Патенты автора Маркеев Андрей Михайлович (RU)
Изобретение относится к области нанесения тонких диэлектрических пленок для создания устройств микро- и наноэлектроники на основе перспективных материалов, в частности элементов энергонезависимой памяти на основе явления сегнетоэлектричества (FeRAM, ferroelectric random access memory) с деструктивным считыванием, к которому предъявляются жесткие требования к ресурсу, времени хранения информации и энергоемкости. В основе изобретения лежит способ нанесения тонкой пленки многокомпонентного оксида гафния и циркония методом атомно-слоевого осаждения из металлоорганических прекурсоров гафния Hf[N(CH3)(C2H5)]4 (ТЕМАН) и циркония Zr[N(CH3)(C2H5)]4 (TEMAZ) на нижний электрод в виде смеси из двух металлоорганических реагентов ТЕМАН и TEMAZ, подаваемой из общего прогреваемого контейнера. Повышение электрофизических характеристик сегнетоэлектрического конденсатора является техническим результатом изобретения. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 4 пр.
Изобретение относится к области медицины. Описано многослойное биоактивное покрытие титанового имплантата, вводимого в костную ткань человека, полученное атомно-слоевым осаждением и состоящее, по крайней мере, из слоев одного оксида переходного металла, выбранных из группы, включающей слои оксида титана, слои из оксида циркония, слои из оксида гафния, слои из оксида тантала, слои из оксида ниобия, из слоев многокомпонентного оксида (TiO2)x(Ta2O5)1-x, где х равен 0,8-0,95 со структурой твердого раствора на основе тетрагональной кристаллической решетки, с контролируемой толщиной покрытия, определяемой числом повторяющихся циклов осаждения соответствующих прекурсоров - химических реагентов в виде жидких органометаллических соединений указанных переходных металлов и воды. Покрытие обладает высокой однородностью с развитым поверхностным рельефом, хорошими биоактивными свойствами, высокой коррозионной стойкостью. 1 з.п. ф-лы, 7 ил., 5 табл., 6 пр.
Изобретение относится к медицине и заключается в способе получения биоактивного покрытия на титановом имплантате. Покрытие содержит слои из по меньшей мере одного оксида металла, выбранного из оксида титана, оксида циркония, оксида гафния, оксида тантала, оксида ниобия. Способ включает нанесение многослойного или многокомпонентного покрытия методом атомно-слоевого осаждения при пониженном давлении, температуре 200-300°C, продувке реакционной зоны азотом и с использованием прекурсоров, включающих органометаллические соединения указанных металлов и воду. Прекурсоры наносят на поверхность с использованием импульсной подачи к поверхности титановой подложки с длительностью импульсов подачи 0,2-0,6 сек и с промежуточной продувкой реакционной зоны азотом 6 сек. Количество циклов осаждения составляет 100-1000 циклов. Способ обеспечивает высокую однородность покрытия, хорошие биоактивные свойства, пониженную токсичность, коррозийную стойкость. 6 пр., 5 табл., 7 ил.
Предложенное изобретение относится к области электротехники, а именно к твердотельным суперконденсаторам на основе многокомпонентных оксидов. Увеличение емкости и плотности запасаемой энергии и уменьшение токов утечки конденсатора является техническим результатом изобретения. Суперконденсатор содержит два электрода и размещенный между ними диэлектрический слой, при этом нижний электрод выполнен из материала с большой удельной площадью поверхности, диэлектрический слой конформно и однородно расположен на нижнем электроде, верхний электрод конформно и однородно расположен на диэлектрическом слое и выполнен из оксида цинка, легированного алюминием, при этом диэлектрический слой выполнен из многокомпонентного оксида, содержащего смесь по меньшей мере двух оксидов, выбранных из ряда TiO2, НfO3, ZrO2, Аl2О3, Та2O5, Nb2O5, Y2О3 и оксидов элементов из группы лантаноидов, и выполнен таким образом, что относительная диэлектрическая проницаемость активного диэлектрического слоя находится в интервале 10-30. Предложенный твердотельный конденсатор может найти применение в электромобилях, где может располагаться на внутренней поверхности кузова и служить идеальным источником питания в экстремальных условиях. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 5 пр.
Изобретение относится к устройствам микро- и наноэлектроники. Мемристорные устройства являются устройствами энергонезависимой памяти и могут быть использованы для создания компьютерных систем на основе архитектуры искусственных нейронных сетей. Данное устройство состоит из активного слоя, расположенного между двумя токопроводящими слоями, находящегося с ними в электрическом контакте. Активный слой обладает свойством резистивного переключения и представляет собой двухслойную оксидную структуру HfAlxOy/HfO2. Слой HfAlxOy имеет высокую растворимость и высокую равновесную концентрацию кислородных вакансий, а HfO2 является слоем с низкой растворимостью вакансий. Токопроводящие слои выполнены их нитрида титана или нитрида вольфрама. На границе раздела HfO2/TiN наносится сверхтонкий слой оксида рутения толщиной не менее 0.5 нм. Изобретение обеспечивает повышение стабильности режимов переключения сопротивления в низко- и высокоомное состояние, снижение напряжения переключения, высокую технологическую совместимость с существующими процессами производства кремниевых микросхем. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.