Патенты автора Гаджиев Махач Хайрудинович (RU)
Изобретение относится к технологии получения пленок гексагонального феррита бария, которые могут быть использованы во невзаимных микроволновых устройствах: фазовращателях, изоляторах, циркуляторах. Способ обработки пленочного магнитного материала гексаферрита бария включает нанесение пленки гексаферрита бария состава BaFe12O19 на сапфировую подложку epi-ready ориентации (0001), после чего пленку в открытой атмосфере дополнительно подвергают воздействию плазмы со среднемассовой температурой в диапазоне 3727÷9727°С в течение 50-60 с, при этом в качестве источника плазмы используют плазмотрон постоянного тока с вихревой стабилизацией и расширяющимся каналом выходного электрода, генерирующий на выходе слабо расходящуюся плазменную струю азота диаметром D равным 8÷10 мм. Технический результат: формирование выраженной текстуры пленки гексаферрита бария вдоль оси <0001>, перпендикулярной поверхности сапфировой подложки, и понижение величины коэрцитивного поля в ней до значений (14330÷39000) А⋅м-1 (180÷490 Э) при обработке пленки плазмой со среднемассовой температурой в диапазоне 3727÷9727°С в течение 50-60 с; достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 40÷42 А⋅м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 3727÷4727°С; достижение намагниченности насыщения пленки гексаферрита бария 60÷62 А⋅м2кг-1 при среднемассовой температуре плазмы в диапазоне 7727÷9727°С. 6 ил., 1 табл., 3 пр.
Изобретение относится к области термохимической обработки материалов, находящихся в твердой фазе, в частности, к азотированию покрытий титана на твердой подложке. Способ азотирования покрытий из титана на твердой подложке включает воздействие на открытом воздухе на покрытие без его предварительного прогрева низкотемпературной азотной плазмой атмосферного давления со среднемассовой температурой в диапазоне от 6720°С до 9720°С в течение 0,8-1,1 мин для получения покрытия твердостью 25,5-27 ГПа, имеющего гидрофорбные свойства. В качестве источника плазмы применен плазмотрон постоянного тока. Технический результат заключается в создании способа, обеспечивающего получение покрытий высокой твердости с гидрофобными свойствами. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 табл.
Изобретение относится к способу азотирования покрытий титана на твердой подложке. Способ включает воздействие на покрытие низкотемпературной плазмой азота атмосферного давления на открытом воздухе без его предварительного прогрева со среднемассовой температурой в диапазоне от 3727°С до 4727°С в течение 0,8-1,1 мин для получения покрытия твердостью 25,5-27 ГПа, имеющего гидрофильные свойства. В качестве источника плазмы применен плазмотрон постоянного тока. Технический результат заключается в получении покрытия, имеющего гидрофильные свойства. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 табл.
Изобретение относится к области электротехники, а именно к высокоэффективному способу изготовления наноструктурированных полупроводниковых материалов на основе фаз со структурой перовскита, содержащих катионы иттрия, бериллия, бария и меди с различной плотностью, необходимых для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. Получение наноструктурированных терморезистивных материалов с заданной пористостью и электрическими свойствами при сравнительно низких температурах (менее 920°С) и времени менее 10 часов является техническим результатом изобретения, который достигается путем компактирования микропорошков и их обработки в течение часа при температуре 600-900°С при скорости подъема и охлаждения не выше ~5°С/мин и ~ 3°С/мин соответственно, при количественном соотношении нанопорошков от 40:60 до 60:40, полученных с технологическими замещениями бериллия на барий в соединении YВе2Сu3О7-δ, с последующим прессованием при давлении не менее 100 МПа и спеканием при температуре 900 до 920°С в течение 1÷10 часов. 3 пр., 6 ил.
Изобретение относится к области термо-химической обработки материалов. Способ плазменного азотирования оксида кремния в твердой фазе в контролируемой среде включает воздействие на упомянутый оксид кремния низкотемпературной азотной плазмой при атмосферном давлении в течение 7-10 секунд. Низкотемпературную азотную плазму генерируют плазмотроном постоянного тока со среднемассовой температурой плазменного потока 7÷10 кK. Обеспечивается значительное уменьшение, примерно на 3 порядка, времени азотирования оксида цинка в твердой фазе и получение высоких эксплуатационных характеристик оксидных соединений. 1 ил..
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ ПОКРЫТИЙ // 2593650
Изобретение относится к тепловым испытаниям и может быть использовано при измерениях теплофизических свойств веществ. Предметом изобретения является способ определения теплопроводности материалов методом параллельного нагрева двух цилиндрических образцов одинаковых размеров при идентичных условиях теплообмена на поверхности, в котором один из образцов выполнен полностью из материала с известными свойствами, а другой - составной, одна часть его выполнена из материала первого образца, а другая - из исследуемого материала. Технический результат - повышение достоверности результатов при определении теплоемкости материалов. 1 ил.
КОЛЛИНЕАРНАЯ АНТЕННА // 2498466
Изобретение относится к антенно-фидерным устройствам и может быть использовано в качестве антенны с вертикальной поляризацией электрического поля и круговой диаграммой в горизонтальной плоскости. Наиболее эффективно предлагаемое изобретение может быть использовано в антенных системах DME - DISTANCE MEASURING EQUIPMENT (оборудование измерения дальности). Технический результат - расширение рабочей полосы; увеличение коэффициента усиления; выравнивание диаграммы направленности в азимутальной плоскости. Для этого применяется конструктивная схема в виде несущей трубы, на которой расположены n-полуволновые излучатели и n кабелей, проложенных в трубе для запитки вибраторов. 5 ил.
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОГЕРЕНТНЫХ МОДУЛИРОВАННЫХ СИГНАЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ // 2485669
Изобретение относится к устройствам, формирующим сложные сигналы, и может быть использовано в радиосвязи и радионавигации
Изобретение относится к антенно-фидерным устройствам и может быть использовано в радиосвязи, радионавигации или радиопеленгации
