Патенты автора Дик Татьяна Алексеевна (RU)

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для задержки включения нагрузки. Технический результат заключается в уменьшении площади, занимаемой схемой задержки включения на кристалле, уменьшении потребляемой мощности и расширении диапазона изменения напряжения питания. Технический результат достигается за счет того, что в известной интегральной схеме задержки включения, содержащей входной транзистор p-n-р типа и выходной транзистор n-p-n типа с нагрузкой в цепи коллектора, база входного транзистора подключена к токозадающей цепи, эмиттер соединен с шиной питания, а коллектор через конденсатор подключен к общей шине, база выходного транзистора соединена с первым выводом резистора, а эмиттер - с общей шиной, входной транзистор выполнен в виде латеральной структуры с дополнительной областью р-типа, расположенной внутри изолированного n-кармана входного транзистора между его коллектором и изолирующей областью данного n-кармана, дополнительная область подключена к базе выходного транзистора, а второй вывод резистора соединен с общей шиной. 2 ил.

 


Наверх