Патенты автора Васильевский Иван Сергеевич (RU)
Изобретение относится к полупроводниковым наногетероструктурам AIIIBV, используемым для изготовления радиационно стойких сенсоров магнитного поля. Технический результат предлагаемого изобретения направлен на получение поликристаллических высоколегированных нанослоев InAs высокого кристаллического качества на сапфировой подложке с низкой шероховатостью поверхности и низким удельным сопротивлением, пригодных для создания радиационно стойких сенсоров магнитного поля. Создание нижнего зародышевого слоя InAlAs толщиной 1÷5 нм, расположенного непосредственно на подложке сапфира, необходимо для смачивания поверхности сапфира и предотвращения аморфизации поверхности в процессе проведения эпитаксиального роста вышележащих слоев. Следующий за нижним зародышевым слоем отжиг слоя InAs в потоке мышьяка в течение 1÷5 мин позволяет сгладить поверхность нанослоя, уменьшив шероховатость поверхности гетероструктуры. Толщина нижнего зародышевого слоя определяется с одной стороны необходимостью восстановления поверхности подложки сапфира и предотвращением ее аморфизации после обязательного предварительного обезгаживания, а с другой стороны - предотвращением механической релаксации перед формированием верхнего зародышевого слоя. Формирование верхнего зародышевого слоя InAs толщиной 1÷3 нм с последующим отжигом в потоке мышьяка в течение 8÷12 минут приводит к релаксации механических напряжений в слое, в результате чего дислокации несоответствия оказываются в нижележащих слоях гетероструктуры и в меньшей степени проникают в высоколегированный слой InAs, что позволяет получать слои InAs с низким удельным сопротивлением более высокого кристаллического качества. Наличие переходного слоя толщиной 1÷3 нм необходимо, чтобы избежать проводимости по вспомогательным слоям под действием нейтронного облучения, в том числе при процессах трансмутационного легирования, что может приводить к изменению чувствительности и удельного сопротивления сенсора магнитного поля. 3 ил.
Изобретение относится к технологии создания монолитных интегральных схем АIIIВV, в частности затворов транзисторов с критическим размером менее 500 нм, используемым в сверхвысокочастотных (СВЧ) устройствах. Технический результат изобретения направлен на повышение стабильности и воспроизводимости процесса создания Y-затвора, а также увеличивает процент выхода годных СВЧ транзисторов с полупроводниковой пластины. Это достигается благодаря тому, что формирование затворной металлизации происходит с использованием профиля, сформированного в диэлектрике SixOyNz, а не в полимерном резисте, при этом не требуется использование термической обработки полимерной резистивной маски для изменения профиля затвора. Как следствие, профиль в диэлектрике SixOyNz не подвержен деградации из-за термического воздействия в процессе вакуумного напыления металлов, является механически жестким и хорошо контролируется методом растровой электронной микроскопии. Таким образом, применение настоящего способа позволяет сформировать механически устойчивый Y-затвор СВЧ транзистора, не подверженный температурному влиянию на его профиль. 2 ил.
Изобретение может быть использовано при производстве передающих и приемных антенн для терагерцевого диапазона частот (от 300 ГГц до 5 ТГц). Полупроводниковая структура для фотопроводящих антенн эпитаксиально выращена на подложке GaAs с кристаллографической ориентацией (111)А и состоит из чередующихся слоев нелегированного низкотемпературного LT-GaAs и высокотемпературного легированного кремнием GaAs:Si дырочного типа проводимости. Слои LT-GaAs выращены при соотношении потоков мышьяка и галлия большими, чем слои GaAs:Si, легированные кремнием и выращенные в высокотемпературном режиме. Изобретение обеспечивает возможность управления концентрацией точечных дефектов AsGa и тем самым возможность регулирования времени жизни фотовозбужденных носителей заряда за счет выращивания матричного матричных слоев LT-GaAs при повышенном давлении мышьяка. 1 ил.
Изобретение относится к полупроводниковым метаморфным наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями
Изобретение относится к полупроводниковым наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями
