Патенты автора Бабкин Сергей Иванович (RU)

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при изготовлении больших интегральных схем (БИС), в том числе БИС на основе комплементарных транзисторов со структурой металл-окисел-полупроводник (КМОП БИС), программируемых матричных БИС, программируемых логических интегральных схем (ПЛИС), однократно программируемых постоянных запоминающих устройств (ППЗУ). Технический результат от использования изобретения заключается в повышении надежности перемычки и металлизации в целом путем предотвращения диффузии атомов алюминия в структуру перемычки и сохранения технологии формирования шин металлизации на планарной поверхности, уменьшения топологического размера перемычки и повышения однородности ее слоев по толщине, увеличения сопротивления перемычки в выключенном состоянии и повышения воспроизводимости напряжения пробоя перемычки. В способе формирования коммутирующей перемычки между шинами двух уровней металлизации, включающем процессы формирования переходного отверстия в межуровневой изоляции к шине первого уровня металлизации, осаждения слоев перемычки и металлизации второго уровня в переходное отверстие и формирование перемычки и шины металлизации второго уровня, согласно изобретению формирование перемычки производят одновременно с формированием промежуточного межуровневого соединения посредством последовательного осаждения слоев перемычки и слоев промежуточного межуровневого соединения на основе пленок нитрида титана и вольфрама в переходное отверстие диаметром d, в промежуточном изолирующем слое толщиной h к шине металлизации первого уровня с отношением h/d, обеспечивающим однородное осаждение слоев перемычки, и последующей химико-механической полировкой осажденных слоев, а соединение перемычки с шинами металлизации второго уровня осуществляют за счет контактной площадки перемычки на основе пленок титана и нитрида титана и дополнительного межуровневого соединения к контактной площадке на основе пленок титана, нитрида титана и вольфрама. 10 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем на комплементарных транзисторах со структурой метал-окисел-полупроводник (КМОП ИС), с использованием подложек кремний на изоляторе (КНИ)

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем на основе комплементарных транзисторов со структурой металл - окисел - полупроводник (КМОП ИС)

 


Наверх