Патенты автора ДИРКСЕН Петер (NL)

Использование: для создания полупроводниковой пластины. Сущность изобретения заключается в том, что в пластине, подразделенной и разделимой на множество кристаллов, каждый кристалл содержит массив ячеек емкостного микрообработанного преобразователя, каждая ячейка содержит подложку, содержащую первый электрод, мембрану, содержащую второй электрод, и полость между подложкой и мембраной, каждая ячейка по меньшей мере части кристаллов содержит компенсационную пластину на мембране, причем каждая компенсационная пластина имеет конфигурацию для оказания влияния на прогиб (h) мембраны. Технический результат: обеспечение возможности равномерного прогиба мембраны и увеличения выхода годных изделий. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 16 ил.

Использование: для изготовления емкостного преобразователя. Сущность изобретения заключается в том, что способ содержит этапы, на которых осаждают первый электродный слой на подложку, осаждают первую диэлектрическую пленку на первый электродный слой, осаждают жертвенный слой на первую диэлектрическую пленку, причем жертвенный слой выполнен с возможностью удаления для формирования полости преобразователя, осаждают вторую диэлектрическую пленку на жертвенный слой и осаждают второй электродный слой на вторую диэлектрическую пленку, формируют рисунок в, по меньшей мере, одном(й) из осажденных слоев и пленок, причем этапы осаждения осуществляются посредством атомно-слоевого осаждения в одной единственной последовательности обработки и формирование рисунка осуществляется по нисходящей технологии. Технический результат: обеспечение возможности создания преобразователя с улучшенными эксплуатационными показателями. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 5 ил.

Использование: для изготовления емкостного преобразователя, полученного микрообработкой, в частности CMUT. Сущность изобретения заключается в том, что способ содержит этапы, на которых осаждают первый электродный слой на подложку, осаждают первую диэлектрическую пленку на первый электродный слой, осаждают жертвенный слой на первую диэлектрическую пленку, причем жертвенный слой выполнен с возможностью удаления для формирования полости преобразователя, осаждают вторую диэлектрическую пленку на жертвенный слой и осаждают второй электродный слой на вторую диэлектрическую пленку, причем первая диэлектрическая пленка и/или вторая диэлектрическая пленка содержит первый слой, содержащий оксид, второй слой, содержащий материал с высокой k, и третий слой, содержащий оксид, причем этапы осаждения осуществляются посредством атомно-слоевого осаждения. Технический результат: обеспечение возможности создания емкостного преобразователя с улучшенными эксплуатационными показателями. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к предварительно сжатой ячейке (10) емкостного микрообработанного преобразователя, содержащей подложку (12) и мембрану (14), покрывающую суммарную площадь (Atotal) мембраны, причем между мембраной (14) и подложкой (12) образована полость (20), причем мембрана содержит отверстие (15) и краевой участок (14a), окружающий отверстие (15). Ячейка (10) дополнительно содержит напряженный слой (17) на мембране (14), причем напряженный слой (17) имеет заданное значение напряжения относительно мембраны (14), причем напряженный слой (17) выполнен с возможностью обеспечения изгибающего момента на мембране (14) в направлении к подложке (12) так, что краевой участок (14a) мембраны (14) прижимается к подложке (12). Настоящее изобретение дополнительно относится к способу изготовления такой предварительно сжатой ячейки (10) емкостного микрообработанного преобразователя. Технический результат - обеспечение усовершенствованной предварительно сжатой ячейки емкостного микрообработанного преобразователя и способа ее изготовления. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 10 ил.

Настоящее изобретение относится к ячейке (10) емкостного микрообработанного преобразователя предварительно прижатого типа, содержащей подложку (12) и мембрану (14), покрывающую полную мембранную область (Аполн), при этом между мембраной (14) и подложкой (12) образована полость (20), мембрана (14) содержит отверстие (15) и краевую часть (14а), окружающую отверстие (15), причем краевая часть (14а) мембраны (14) прижата к подложке (12). Ячейка дополнительно содержит заглушку (30), размещенную в отверстии (15) мембраны (14), причем заглушка (30) расположена только в подобласти (Апод) полной мембранной области (Аполн). Настоящее изобретение дополнительно относится к способу изготовления этой ячейки (10) емкостного микрообработанного преобразователя предварительно прижатого типа. Технический результат - улучшение ячейки емкостного микрообработанного преобразователя предварительно прижатого типа, в частности, для высоких частот. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 4 ил.

Группа изобретений относится к медицинской технике, а именно к катетерам для нагреваний пациента ультразвуковой энергией. Катетер содержит стержень с дистальным и проксимальным концами, при этом дистальный конец содержит модуль преобразователя с решеткой емкостных микромашинных ультразвуковых преобразователей с регулируемым фокусом для управляемого нагревания заданной зоны и соединитель на проксимальном конце для снабжения решетки емкостных микромашинных ультразвуковых преобразователей электрической мощностью и для управления регулируемым фокусом. Модуль преобразователя является частично гибким, а стержень содержит механическое управляющее устройство направлением дистального конца. Система формирования медицинских изображений для сбора данных медицинского изображения содержит интерфейс катетера для подсоединения к соединителю катетера, процессор управления системой формирования медицинских изображений и регулируемым фокусом катетера, память, содержащую машиноисполняемые команды для процессора. Машиночитаемый носитель информации содержит команды для исполнения процессором системы формирования медицинских изображений, которые предписывают процессору собирать данные медицинского изображения, регистрировать местоположение дистального конца катетера в данных медицинского изображения, формировать сигналы управления фокусом в соответствии с зарегистрированным местоположением дистального конца, управлять фокусом посредством деформирования модуля преобразователя и управлять механическим управляющим устройством в стержне для управления направлением дистального конца. Использование изобретений позволяет повысить точность и безопасность абляционной процедуры. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для температурной компенсации в устройстве CMUT. Устройства CMUT используют во многих применениях, например, ультразвукового формирования изображения и измерения давления. Эти устройства работают посредством считывания изменения электрической емкости, вызываемого отклонением мембраны (32), содержащей один из пары электродов в устройстве, из-за ультразвукового воздействия или давления, приложенного к мембране. Устройство CMUT может быть восприимчивым к воздействиям изменения температуры. Технический результат - повышение точности получаемых данных. 4 н. и 12 з.п. ф-лы, 14 ил.

Настоящее изобретение относится к емкостному микрообработанному ультразвуковому преобразователю, системе для генерирования или обнаружения ультразвуковых волн и к способу изготовления преобразователя. Заявленная группа изобретений включает емкостной микрообработанный ультразвуковой преобразователь, систему для генерирования или обнаружения ультразвуковых волн, содержащую преобразователь, и способы изготовления преобразователя. При этом емкостной микрообработанный ультразвуковой преобразователь содержит кремниевую подложку, полость, первый электрод, расположенный между кремниевой подложкой и полостью, причем первый электрод расположен под полостью, мембрану, в котором мембрана расположена над полостью и напротив первого электрода, второй электрод, расположенный внутри мембраны или рядом с ней, при этом первый электрод и второй электрод выполнены с возможностью подачи на них напряжения, и первый изоляционный слой, расположенный между первым электродом и вторым электродом, а первый изоляционный слой содержит диэлектрик. Система для генерирования или обнаружения ультразвуковых волн содержит преобразователь согласно настоящему изобретению. Описан способ изготовления преобразователя по настоящему изобретению, в котором преобразователь изготавливают производственным процессом КМОП, и преобразователь можно изготавливать пост-процессом в процессе КМОП. Технический результат заключается в предотвращении зарядки путем добавления дополнительных слоев и получении преобразователей со стабильными характеристиками посредством установки по меньшей мере одного барьера, который расположен на траектории носителей заряда для прерывания потока носителей заряда, начинающегося на одном электроде и направленного к другому электроду. 4 н. и 9 з.п. ф-лы, 4 ил.

 


Наверх