Патенты автора МАУКЗОК Рюдигер (NL)
Использование: для изготовления емкостного преобразователя. Сущность изобретения заключается в том, что способ содержит этапы, на которых осаждают первый электродный слой на подложку, осаждают первую диэлектрическую пленку на первый электродный слой, осаждают жертвенный слой на первую диэлектрическую пленку, причем жертвенный слой выполнен с возможностью удаления для формирования полости преобразователя, осаждают вторую диэлектрическую пленку на жертвенный слой и осаждают второй электродный слой на вторую диэлектрическую пленку, формируют рисунок в, по меньшей мере, одном(й) из осажденных слоев и пленок, причем этапы осаждения осуществляются посредством атомно-слоевого осаждения в одной единственной последовательности обработки и формирование рисунка осуществляется по нисходящей технологии. Технический результат: обеспечение возможности создания преобразователя с улучшенными эксплуатационными показателями. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 5 ил.
Использование: для изготовления емкостного преобразователя, полученного микрообработкой, в частности CMUT. Сущность изобретения заключается в том, что способ содержит этапы, на которых осаждают первый электродный слой на подложку, осаждают первую диэлектрическую пленку на первый электродный слой, осаждают жертвенный слой на первую диэлектрическую пленку, причем жертвенный слой выполнен с возможностью удаления для формирования полости преобразователя, осаждают вторую диэлектрическую пленку на жертвенный слой и осаждают второй электродный слой на вторую диэлектрическую пленку, причем первая диэлектрическая пленка и/или вторая диэлектрическая пленка содержит первый слой, содержащий оксид, второй слой, содержащий материал с высокой k, и третий слой, содержащий оксид, причем этапы осаждения осуществляются посредством атомно-слоевого осаждения. Технический результат: обеспечение возможности создания емкостного преобразователя с улучшенными эксплуатационными показателями. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 5 ил.
Использование: для передачи и/или приема ультразвуковых волн посредством ультразвукового преобразователя. Сущность изобретения заключается в том, что устройство ультразвукового преобразователя содержит, по меньшей мере, одну ячейку (30) cMUT для передачи и/или приема ультразвуковых волн, причем ячейка (30) cMUT содержит мембрану (30a) ячейки и полость (30b) под мембраной ячейки. Устройство дополнительно содержит подложку (10), имеющую первую сторону (10a) и вторую сторону (10b), причем, по меньшей мере, одна ячейка (30) cMUT установлена на первой стороне (10a) подложки (10). Подложка (10) содержит слой (12) основания подложки и множество смежных канавок (17a), простирающиеся в подложку (10) в направлении, перпендикулярном сторонам (10a, 10b) подложки, причем каждый из разделителей (12a) образован между смежными канавками (17a). Подложка (10) дополнительно содержит соединительную полость (17b), которая соединяет канавки (17a) и которая простирается в направлении, параллельном сторонам (10a, 10b) подложки, причем канавки (17a) и соединительная полость (17b) вместе образуют полость (17) подложки в подложке (10). Подложка (10) дополнительно содержит мембрану (23) подложки, покрывающую полость (17) подложки. Полость (17) подложки расположена в области подложки (10) под ячейкой (30) cMUT. Технический результат: обеспечение возможности снижения или подавления акустической связи ультразвуковых волн с подложкой. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 32 ил.
Изобретение относится к устройству (10) с переходными отверстиями в подложке, содержащему подложку (12), выполненную из материала подложки и имеющую первую поверхность (12а) подложки и вторую поверхность (12b) подложки, противоположную первой поверхности (12а) подложки. Устройство (10) с переходными отверстиями в подложке также содержит множество соседних первых канавок (14), обеспеченных проводящим материалом и проходящих с первой поверхности (12а) подложки внутрь подложки (12), так что между первыми канавками (14) формируется множество спейсеров (16) из материала подложки. Устройство (10) с переходными отверстиями в подложке также содержит вторую канавку (18), обеспеченную проводящим материалом и проходящую со второй поверхности (12b) подложки внутрь подложки (12). Вторая канавка (18) соединена с первыми канавками (14). Устройство 10 с переходными отверстиями в подложке также содержит проводящий слой (20), выполненный из проводящего материала и сформированный на стороне первой поверхности (12а) подложки, причем проводящий материал заполняет первые канавки (14), так что первый проводящий слой (20) имеет по существу планарную и закрытую поверхность, покрывающую заполненные первые канавки и формирующую электрическое соединение между заполненными канавками. Изобретение обеспечивает создание усовершенствованного устройства с переходными отверстиями в подложке. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 4 ил.
