Патенты автора Павлюк Анатолий Алексеевич (RU)
Группа изобретений относится к акустооптике и лазерной технике. Способ модуляции лазерного излучения включает возбуждение в монокристалле группы KRE(WO4)2 амплитудно-модулированной бегущей квазисдвиговой акустической волны. Волна поляризована ортогонально оси Np и распространяется в плоскости NmNg кристалла. Лазерный пучок имеет поляризацию собственной волны и распространяется под углом Брэгга от 0.15 до 8 градусов к волновому фронту акустической волны. Частота акустической волны в светозвукопроводе обеспечивает выполнение условия фазового синхронизма для дифракции лазерного пучка. Технический результат заключается в увеличении площади пьезопреобразователя, и уменьшении плотности мощности на пьезопреобразователе, и уменьшении его нагрева, а также в создании такой геометрии АО-взаимодействия в модуляторе, при которой реализуются пониженная управляющая мощность и возможность работать без дополнительных потерь эффективности с многомодовым или неколлинеарным излучением. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 7 ил.
Изобретение относится к области химической технологии выращивания кристаллов натрий-висмутового молибдата NaBi(MoO4)2 для исследования физических свойств и практического использования. Монокристаллы NaBi(MoO4)2 выращивают путем кристаллизации из высокотемпературного раствора в расплаве шихты, содержащей натрий-висмутовый молибдат и растворитель димолибдат натрия в соотношении, равном 10-30:90-70 мол.% соответственно, кристаллизацию ведут на затравку, ориентированную перпендикулярно грани дипирамиды [101], при вращении затравки со скоростью 15-30 об/мин и скорости вытягивания 1-5 мм/сутки, при постоянном охлаждении раствора-расплава со скоростью 0,5-15 град/сутки, при этом выращивание ведут в условиях низких градиентов ΔT/Δl менее 1 град/см в растворе-расплаве. Способ позволяет получать бесцветные, стехиометричные по структуре, крупные (размерами 75×30 мм), оптически однородные кристаллы NaBi(MoO4)2. 1 пр.
Изобретение относится к области химической технологии и касается получения кристаллов рубидий-висмутового молибдата RbBi(MoO4)2. Кристаллы RbBi(MoO4)2 выращивают из высокотемпературного раствора в расплаве из шихты, содержащей растворитель димолибдатат рубидия и тройной литий-рубидий-висмутовый молибдат LiRbBi2(MoO4)4, при соотношении последнего к димолибдату рубидия, равном 10-40: 90-60 мол. %, соответственно, кристаллизацию ведут на затравку, ориентированную по направлению [001], при вращении затравки со скоростью 30-65 об/мин и скорости вытягивания 0,3-1,0 мм/сутки, при постоянном охлаждении раствора-расплава со скоростью 0,2-1,0 град/сутки, при этом выращивание ведут в условиях низких градиентов ∆T меньше 1 град/см в растворе-расплаве. Изобретение позволяет получать крупные однородные кристаллы RbBi(MoO4)2 высокого оптического качества. 1 пр.
Изобретение относится к области химической технологии, а именно к выращиванию кристаллов калий-бариевого молибдата K2Ва(МоО4)2 из раствора-расплава K2Ва(МоО4)2 для исследования физических свойств и практического использования. В качестве растворителя используют молибдат калия K2MoO4,, при мольном соотношении калий-бариевого молибдата и молибдата калия K2MoO4, равном 1:2, соответственно, кристаллизацию ведут на затравку, вытягиваемую со скоростью от 1 до 2 мм/сутки и вращающуюся со скоростью 30-40 об/мин, ориентированную по направлению [001], охлаждение расплава ведут со скоростью от 0,2 до 3 град/сутки, а охлаждение кристаллов со скоростью 20 град/сутки. Предлагаемый способ позволяет получить оптически однородные кристаллы K2Ва(МоО4)2, без включений, блоков и трещин, крупных размеров (25×15 мм). 1 пр.
Изобретение относится к области химической технологии и касается получения объемных кристаллов состава Li8Bi2(MoO4)7. Кристаллы выращивают из раствора-расплава литий-висмутового молибдата в растворителе путем кристаллизации при постепенном охлаждении расплава и выращенных кристаллов, при этом в качестве растворителя используют эвтектическую смесь, содержащую 47 мол. % оксида молибдена и 53 мол. % молибдата лития при содержании литий-висмутового молибдата и эвтектической смеси, равном 10-40 мол. % и 90-60 мол. %, соответственно, выращивание ведут в условиях низких градиентов температуры, составляющих менее 1 град/см, на затравку, ориентированную по [001] и вращающуюся со скоростью 20-30 об/мин при скорости вытягивания 0,5-2,0 мм/сутки при постоянном охлаждении раствора-расплава со скоростью 0,2-5,0 град/сутки с последующим отделением выращенных кристаллов от раствора-расплава и охлаждением до комнатной температуры. Изобретение позволяет получать крупные (размером 20×30 мм) кристаллы Li8Bi2(MoO4) высокого оптического качества. 1 пр.
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов литий-магниевого молибдата Li2Mg2(MoO 4)3
АКУСТООПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР // 2476916
Изобретение относится к акустооптике и лазерной технике, в частности к акустооптическому модулятору пучка оптического излучения
