Патенты автора Сигалов Э.Б.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и ИС

Изобретение относится к устройствам осаждения полупроводниковых слоев из газовой фазы и может быть использовано для термического отжига пластин в различных газовых средах, осаждения диэлектрических слоев (двуокись кремния, нитрид кремния и др.) и эпитаксиальных слоев кремния в технологии производства полупроводников и микроэлектронике

Изобретение относится к технологии и оборудованию для получения эпитаксиальных структур кремния методом осаждения из газовой фазы

 


Наверх