Изобретение относится к устройствам осаждения полупроводниковых слоев из газовой фазы и может быть использовано для термического отжига пластин в различных газовых средах, осаждения диэлектрических слоев (двуокись кремния, нитрид кремния и др.) и эпитаксиальных слоев кремния в технологии производства полупроводников и микроэлектронике