Патенты автора ЛЕЙСТАД Гейрр И. (NO)
Изобретение относится к способу адресации к ферроэлектрической или электретной ячейке памяти путем выполнения операции считывания из ячейки или записи в нее
Изобретение относится к устройству считывания заряда и к энергонезависимому запоминающему устройству с пассивной матричной адресацией
Изобретение относится к устройству объемного хранения данных
НЕРАЗРУШАЮЩЕЕ СЧИТЫВАНИЕ // 2263359
Изобретение относится к способу определения логического состояния выбранных ячеек памяти, имеющихся в запоминающем устройстве с матричной адресацией
Изобретение относится к способу передачи информации в форме файлов по сетям передачи данных или в форме файлов данных, хранящихся на физически транспортируемых средствах хранения данных
Изобретение относится к средствам, обеспечивающим возможность адресации в устройстве, содержащем один или более объемных элементов
Изобретение относится к электродному средству для адресации функционального элемента
Изобретение относится к электрически адресуемой энергонезависимой постоянной памяти
Изобретение относится к электрически адресуемой энергонезависимой постоянной памяти
Изобретение относится к микроэлектронной технологии, а именно к технологии получения тонкопленочных электронных схем
Изобретение относится к устройству хранения и обработки данных и способу его изготовления
МАСШТАБИРУЕМОЕ УСТРОЙСТВО ОБРАБОТКИ ДАННЫХ // 2201639
Изобретение относится к масштабируемому интегрированному устройству обработки данных, в частности микрокомпьютеру
Изобретение относится к устройствам обработки и/или хранения данных с активной или пассивной электрической адресацией
Изобретение относится к способу комбинации электропроводящих и полупроводниковых трехмерных структур в составной матрице, содержащей два или более материалов, обеспеченных в пространственно отдельных и однородных структурах материалов, в которых материалы в ответ на подачу энергии могут подвергаться определенным физическим и/или химическим изменениям состояния, которые вызывают переход от электрически непроводящего состояния к электрически проводящему и/или полупроводниковому состоянию или наоборот, или изменение в режиме электрической проводимости материала, причем каждая структура материала выполнена в форме тонких слоев путем объединения двух или более слоев в слоистую многослойную структуру, которая образует составную матрицу с комбинацией электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур, при этом многослойная структура создается путем последовательного осаждения двух или более слоев в конфигурацию стопки на несущей подложке
