Патенты автора Максимов Павел Валерьевич (RU)

Изобретение относится к области вычислительной техники, конкретно к области иммерсионного охлаждения вычислительных устройств. Ванна для охлаждения включает емкость, заполненную низкокипящей жидкостью, в которую погружено охлаждаемое оборудование, крышку, накрывающую указанную емкость и объем, заполненный высококипящей жидкостью, препятствующей выходу паров низкокипящей жидкости в окружающую среду. Емкость для размещения охлаждаемого оборудования выполнена двустенной, высококипящая жидкость помещена в зазор между стенками, а крышка выполнена в виде колпака, юбка которого погружена в жидкость в указанном зазоре. Для предотвращения утечки паров низкокипящей жидкости используется запирающий слой высококипящей жидкости, но в теплообменнике охлаждают не высококипящую жидкость, а только пары низкокипящей жидкости. Достигается охлаждение низкокипящей жидкостью вычислительного оборудования произвольно больших размеров с возможностью быстрого доступа в охлаждаемую емкость для замены охлаждаемого оборудования или его части, в сочетании с минимизацией утечки низкокипящей жидкости и минимизацией площади теплообменника для сброса тепла в окружающую среду. 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к жидкостям для иммерсионного охлаждения вычислительной техники. Технический результат заключается в обеспечении пузырькового кипения при минимальном количестве низкокипящей жидкости. Технический результат достигается за счет того, что вычислительная техника охлаждается погружением в эмульсию, производимую следующим образом: в диэлектрической жидкости, не кипящей при рабочих температурах процесса охлаждения, диспергируется низкокипящая жидкость, доля которой составляет от 2 до 42% масс. 2 табл.

Изобретение относится к способу наращивания слоев полупроводниковых структур, осуществляемого методами эпитаксиального осаждения. Сущность: способ наращивания монокристаллических слоев полупроводниковых структур, осуществляемого методом эпитаксиального осаждения, заключается в том, что пропускают поток ростообразующего вещества над поверхностью монокристаллической полупроводниковой подложки, нагретой до заданной температуры, и активируют эту поверхность лазерным излучением, направленным под скользящим углом к поверхности и имеющим линейную поляризацию, при которой вектор Е электрического поля лежит в плоскости, практически перпендикулярной к плоскости, касательной к поверхности в точке падения лазерного излучения. Технический результат заключается в повышении скорости наращивания монокристаллических слоев в полупроводниках без увеличения количества дефектов их структуры. 6 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к мишени для проведения реакции термоядерного синтеза и к способу использования такой мишени. Мишень 1 для проведения реакции термоядерного синтеза выполнена в виде тонкостенного полого усеченного конуса 2, на внутренней поверхности которого нанесен слой 3 вещества термоядерного топлива, при этом размеры конуса сопоставимы по меньшей мере с размерами фокусного пятна в пучке лазерного излучения, используемого для воздействия на мишень. Способ использования этой мишени заключается в том, что размещают мишень в вакуумной камере; облучают мишень первым пучком 7 лазерного излучения, направленным вдоль оси 6 конуса на его внутреннюю поверхность со стороны его более широкого основания 4; одновременно облучают мишень вторым пучком 8 лазерного излучения, направленным симметрично относительно оси конуса на его внешнюю поверхность со стороны его более узкого основания 5; при этом лазерное излучение обоих пучков имеет круговую поляризацию, направление вращения которой вокруг продольной оси конуса в обоих пучках совпадает при взгляде со стороны любого из оснований. Техническим результатом является повышение эффективности выгорания мишени. конуса. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к лазерной технике. Активный элемент твердотельного лазера выполнен из прозрачного материала в виде полого тонкостенного цилиндра, высота которого много меньше его внутреннего и внешнего диаметров. Толщина стенки упомянутого полого тонкостенного цилиндра выбрана с учетом теплопроводности упомянутого прозрачного материала для гарантированного подавления термоупругих напряжений и критических значений градиента температуры. По внешней и внутренней поверхностям упомянутого полого тонкостенного цилиндра вдоль его образующих расположены линейки диодов накачки под углом к плоскости, касательной к поверхности упомянутого полого тонкостенного цилиндра в точке касания, с заданным шагом. Технический результат заключается в повышении эффективности использования импульса накачки, подавлении термоупругих напряжений и повышении частности при работе лазера. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к устройствам для генерирования электрической энергии из светового излучения Солнца, в частности к конструкции фотоэлектрических преобразователей (ФЭП)

 


Наверх