Патенты автора Лопатин В.С.
Изобретение относится к области ускорительной техники и может найти применение для генерации импульсных пучков электронов, ионов большой мощности, а также для генерации импульсного рентгеновского излучения большой мощности, импульсной накачки мощности СВЧ-генераторов, коллективного ускорения ионов
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых материалов, в частности к способам отжига радиационных дефектов, полученных ионной бомбардировкой, и способам отжига ростовых дефектов, полученных при выращивании кристаллов
Изобретение относится к ускорительной технике и может найти применение для получения сильноточных пучков тяжелых ионов
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерения угла расходимости и смещения как легких, так и тяжелых ионов в сильноточном нано- и микросекундном ионном пучке, определения центров эмиссии и расширения скорости эмиссионной поверхности
Изобретение относится к области ускорительной техники и может быть использовано для генерации интенсивных пучков многозарядных ионов