Патенты автора Аболдуев Игорь Михайлович (RU)
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий. Коммутирующее устройство является псевдоморфным, изготовленным на базе гетероструктуры AlGaN/InGaN, а емкостный элемент представляет собой конденсатор. Кроме того, коммутирующее устройство включает подложку из сапфира, на которой последовательно размещены: буферный слой из AlN, буферный слой из GaN, слой из нелегированного GaN i-типа проводимости, сверхрешетка из AlXGa1-XN/GaN, буферный слой из GaN, сильнолегированный слой n-типа проводимости из AlXGa1-XN, спейсер из твердого раствора AlXGa1-XN, сглаживающий слой из GaN, канал из твердого раствора InXGa1-XN, и в интерфейсе InXGa1-XN/AlGaN гетероструктуры образован двумерный электронный газ (ДЭГ) высокой плотности, который служит нижней обкладкой конденсатора. Поверх твердого раствора InXGa1-XN размещен химически устойчивый сглаживающий слой из GaN, поверх которого нанесен слой диэлектрика из двуокиси гафния. Поверх диэлектрика размещены металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора. При этом емкостный элемент устройства выполнен с минимальным количеством глубоких электронных ловушек (DX), а канал выполнен упруго-напряженным псевдоморфным с концентрацией InGa 15-25%. Изобретение обеспечивает повышение надежности устройства, эффективности подавления токового коллапса, повышение скорости переключения и уровня выходной мощности, а также ослабление процесса деградации в гетероструктуре. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковых изделий и может быть использовано при создании нового поколения СВЧ элементной базы и интегральных схем на основе гетероструктур широкозонных полупроводников. Технический результат: повышение надежности устройства и плотности носителей, эффективность подавления токового коллапса, повышение скорости переключения и уровня выходной мощности, ослабление процесса деградации в гетероструктуре. Технический результат достигается тем, что ограничитель мощности содержит электроды, емкостные элементы. Ограничитель мощности является псевдоморфным, изготовленным на базе гетероструктуры AlGaN/InGaN, а емкостной элемент представляет собой конденсатор. Кроме того, ограничитель мощности включает подложку из изолирующего карбида кремния, на которой последовательно размещены: буферный слой из GaN, сглаживающий буферный слой из GaN, слой из нелегированного GaN i-типа проводимости, сверхрешетка из AlXGa1-XN/GaN, буферный слой из GaN, сильнолегированный слой n-типа проводимости из AlXGa1-XN, спейсер из твердого раствора AlXGa1-XN, сглаживающий слой из GaN, канал из твердого раствора InXGa1-XN, и в интерфейсе InXGa1-XN/AlGaN гетероструктуры образован двумерный электронный газ (ДЭГ) высокой плотности, который служит нижней обкладкой конденсатора. Поверх твердого раствора InXGa1-XN размещен химически устойчивый сглаживающий слой из GaN, поверх которого нанесен слой диэлектрика из двуокиси гафния. Поверх диэлектрика размещены металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора. При этом емкостной элемент устройства выполнен с минимальным количеством глубоких электронных ловушек (DX), а канал выполнен упруго-напряженным псевдоморфным с концентрацией InGa 15-25%. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области радиотехники и предназначено для улучшения электрических параметров усилителя
