Патенты автора Кукушкин Владимир Алексеевич (RU)
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ОТДЕЛЬНЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В ОСАЖДЕННОМ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ АЛМАЗЕ // 2655026
Изобретение относится к области генерации оптического излучения и касается способа получения фотолюминесценции отдельных центров окраски в алмазе. Способ включает в себя воздействие на алмазный образец возбуждающим излучением и сбор излучения центров окраски с лицевой поверхности образца с помощью оптической системы. При изготовлении алмазного образца центры окраски помещают в периодическую последовательность чередующихся высоко- и низкодопированных бором слоев. Затем, используя эффекты брэгговского отражения излучения центров окраски от чередующихся слоев и полного внутреннего отражения от лицевой поверхности образца, формируют локализованные у лицевой поверхности образца волноводные моды фотолюминесценции с одинаковыми величинами волновых векторов, параллельных лицевой поверхности образца. Излучение выводят из образца с помощью оптической системы, состоящей из стеклянного усеченного конуса, конического зеркала и собирающей линзы. Основание конуса размещают параллельно лицевой поверхности алмазного образца на расстоянии порядка масштаба экспоненциального спадания электромагнитного поля локализованных мод. Технический результат заключается в обеспечении возможности получения фотолюминесценции отдельных центров окраски при увеличении их концентрации. 2 ил.
СПОСОБ ВЫВОДА ИЗ ОСАЖДЁННОГО ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ АЛМАЗА ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ // 2643694
Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски, в котором у поверхности алмазного образца формируется собирающая излучение центров окраски оптическая система, состоящая из конуса с круглым основанием из оптического стекла, окружающего конус конического зеркала и собирающей линзы. Диаметр круглого основания конуса значительно превышает характерные размеры алмазного образца, основание конуса параллельно лицевой поверхности алмазного образца и находится на малом расстоянии от нее, центр круглого основания конуса размещается над центром алмазного образца. При этом алмазный образец в области под центрами окраски содержит периодическую последовательность чередующихся высоко- и низкодопированных бором слоев. Технический результат заключается в повышении доли выводимого из алмазного образца электромагнитного излучения, испускаемого фотовозбуждаемыми внешним лазерным излучением центрами окраски. 1 ил.
Изобретение относится к технике полупроводниковых приборов. В полевом транзисторе на осажденной из газовой фазы алмазной пленке с дельта-допированным проводящим каналом, включающем недопированную алмазную подложку, осажденную на ней из газовой фазы алмазную пленку, состоящую из нанесенных последовательно недопированного буферного слоя, тонкого допированного дельта-слоя и недопированного покровного слоя, а также металлические истоковый и стоковый контакты и отделенный от покровного слоя слоем изолятора затворный контакт, допированный дельта-слой дельта-допированного проводящего канала осажден из газовой фазы таким образом, что профиль распределения концентрации допирующей примеси в дельта-допированном проводящем канале имеет два расположенных симметрично относительно центра дельта-допированного проводящего канала и разделенных расстоянием не более 3 нм максимума, между которыми находится локальный минимум, в центре которого концентрация допирующей примеси на порядок меньше, чем в максимумах. Изобретение обеспечивает увеличение быстродействия транзистора. 5 ил.
Изобретение относится к генераторам квантового излучения
