Патенты автора Макаров Сергей Владимирович (RU)
ЖИДКОСТНЫЙ РАКЕТНЫЙ ДВИГАТЕЛЬ С ДОПОЛНИТЕЛЬНЫМ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫМ РАЗГОНОМ ПРОДУКТОВ СГОРАНИЯ // 2788063
Изобретение относится к области ракетного двигателестроения Жидкостный ракетный двигатель содержит конструктивно связанные кольцевую камеру сгорания, смесительную головку и штыревое сопло. В двигатель введены внешняя и внутренняя электрические обмотки, размещенные в корпусе камеры сгорания и подключенные к дополнительному источнику электрической энергии. Корпус кольцевой камеры сгорания выполнен из магнитопроводящего материала. Смесительная головка соединена тоководом с положительным полюсом основного источника электрической энергии и электроизолирована от корпуса камеры сгорания. Центральное тело выполнено из диэлектрического материала, а в основание центрального тела установлен кольцевой катод-компенсатор, соединенный тоководом с отрицательным полюсом основного источника электрической энергии. При реализации изобретения обеспечивается повышение удельного импульса тяги жидкостного ракетного двигателя. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Синий светодиод на основе галогенидных перовскит-полимерных материалов и способ его изготовления // 2780950
Изобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов, а именно к светоизлучающим устройствам на основе перовскита, и может быть использовано для создания светоизлучающих устройств, генерирующих излучение в синем диапазоне длин волн, для применения в RGB-дисплеях, приборах освещения и индикации. Синий светодиод на основе галогенидных перовскит-полимерных материалов содержит подложку из стекла с нанесенным проводящим слоем оксида индий-олова, излучающий слой, содержащий в своем составе перовскит, и катод, отличающийся тем, что излучающий слой выполнен из перовскит-полимерного материала состава CsPbClxBr3-x:РЕО (0 ≤ x ≤ 2), а катод выполнен из индий-галлиевой эвтектики. Хлорид цезия, бромид свинца и полиэтилен оксид смешивают в соотношении 20:40:15 по массе и растворяют в смеси диметилсульфоксида и метанола 1:1. Раствор наносят на очищенные стеклянные подложки с проводящим слоем оксида индий-олова путем центрифугирования в течение 5 минут со скоростью 2500 об/мин с последующим отжигом при температуре 180-200°C в течение 20-30 с. Катод изготавливают нанесением индий-галлиевой эвтектики непосредственно на излучающий слой. Изготовленный светодиод при подаче напряжения излучает в диапазоне длин волн 450-500 нм. Изобретение обеспечивает оптимизацию состава излучающего слоя синего светодиода и сокращение времени его изготовления. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.
Заявленное решение относится к вычислительной технике и телекоммуникационным сетям, может быть использовано для параметрической оценки закона распределения потоков многопакетных сообщений, циркулирующих в инфокоммуникационных сетях, с целью оптимизации процесса управления распределением ресурсов пропускной способности. Устройство для расчета функций распределения потоков сообщений на основе оценочных данных параметров систем информационного обмена содержит: входной усилитель, на вход которого подается бинарная импульсная последовательность, блок формирования оценок интенсивности потока сообщений, блок вычисления соотношений информационных длин пакетов и сообщений, блок определения типа распределения, вычислитель распределений, блок управления. При этом выход входного усилителя подключен к первому входу блока формирования оценок интенсивности потока сообщений и первому входу блока вычисления соотношений информационных длин пакетов и сообщений, второй вход которого соединен со вторым выходом блока формирования оценок интенсивности потока сообщений, второй выход которого соединен со вторым входом вычислителя распределений, второй, третий, четвертый и пятый входы блока формирования оценок интенсивности потока сообщений соединены со вторым, третьим, четвертым и пятым выходами блока управления соответственно, при этом пятый выход блока управления параллельно соединен с третьим входом блока вычисления соотношений информационных длин пакетов и сообщений. Первый выход блока управления соединен с шестым входом вычислителя распределений, первый вход которого подключен к выходу блока вычисления соотношений информационных длин пакетов и сообщений, который параллельно соединен со входом блока определения типа распределений, первый, второй и третий выходы которого соединены с третьим, четвертым и пятым входами вычислителя распределений, выход которого является выходом устройства для расчета функций распределений потоков сообщений на основе оценочных данных параметров систем информационного обмена. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к области защиты газотурбинного двигателестроения и может быть использовано в локальных системах управления газотурбинными силовыми установками различного назначения. Автономный блок защиты двигателя (БЗД) газотурбинной установки состоит из как минимум двух блоков каналов измерения температуры и как минимум четырех блоков каналов измерения частоты вращения силовой турбины, блока обработки и управления, дополнительно снабженного автономными часами, блока преобразователей питания, дополнительно снабженного фильтрами помех, блока исполнительных реле, блока интерфейсов ввода-вывода информации и блока контроля и индикации, выполненного с обеспечением возможности ручной проверки работоспособности БЗД. Также представлен способ работы автономного блока защиты двигателя газотурбинной установки. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к технологи получения сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита, допированного ионами кадмия CsСdxPb1-xBr3, (0<x<1), которые могут быть использованы как компоненты оптоэлектронных приборов, работающих в синем диапазоне длин волн света. Способ получения сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита включает добавление октадецена к порошку безводного карбоната цезия Cs2CO3, выдерживание полученной смеси при температуре 100°C в течение 30 мин, добавление олеиновой кислоты и нагревание до 180°C с образованием олеата цезия, охлаждение полученного раствора до 25°C за 30 мин, введение октадецена в бромид свинца PbBr2, создание вакуума с последующим перемешиванием при 100°C в течение 30 мин, введение в эту смесь олеиламина и олеиновой кислоты и ее нагрев до 180°C, смешивание полученных растворов олеата цезия и бромида свинца с образованием коллоидного раствора нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита в октадецене, его охлаждение до 15°C на ледяной бане, очистку от октадецена центрифугированием, редиспергирование осадка нанокристаллов, повторное центрифугирование коллоидного раствора и удаление надосадочного раствора, редиспергирование осадка нанокристаллов в толуоле с образованием коллоидного раствора нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита в толуоле, который прокапывают на предварительно очищенную кремниевую подложку с образованием сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита при испарении толуола, при этом перед очисткой в коллоидный раствор нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита CsPbBr3 в октадецене дополнительно добавляют октадецен, центрифугирование во время очистки осуществляют с ускорением 1000g в течение 5-10 мин, далее удаляют надосадочный раствор, редиспергирование осадка нанокристаллов проводят в октадецене, к нему добавляют заранее приготовленную смесь, полученную перемешиванием четырехводного бромида кадмия CdBr2•4H2O с октадеценом при температуре 130°C со скоростью 1000 об/мин в перчаточном боксе, заполненном атмосферой азота 99,999%, в течение 40 мин и добавлением олеиламина и олеиновой кислоты с нагревом до 180°C и охлаждением до 25°C за 30 мин, полученный состав вакуумируют и перемешивают со скоростью 1000 об/мин при комнатной температуре в течение 10 мин, нагревают до 150°C и выдерживают в течение 10 мин, охлаждают до 25°C за 30 с, в результате чего получают коллоидный раствор нанокристаллов состава CsСdxPb1-xBr3, (0<x<1) в октадецене, повторное центрифугирование проводят с ускорением 1000g в течение 5 мин, а после удаления надосадочного раствора в результате редиспергирования осадка нанокристаллов в толуоле получают концентрированный коллоидный раствор нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита CsСdxPb1-xBr3 в толуоле, раствор после редиспергирования вновь центрифугируют в толуоле с ускорением 1000g в течение 5 мин и отбирают надосадочный коллоидный раствор нанокристаллов состава CsСdxPb1-xBr3 в толуоле, который прокапывают на упомянутую кремниевую подложку, предварительно очищенную в атмосфере кислородной плазмы под давлением 0,3-0,4 Мбар с мощностью генератора 50-100 Вт в течение 1 мин. Добавление кадмия в структуру нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита позволяет получать сверхрешетки из нанокристаллов CsCdxPb1-xBr3, (0<x<1), обеспечивающих фотолюминесценцию синего цвета. Уменьшение количества реагентов на этапе очистки и замена кислотной обработки подложек на плазменную обеспечивает оптимизацию процесса изготовления и ее упрощения. 1 пр., 3 ил.
Группа изобретений относится к области материаловедения, оптоэлектронной технике и может быть использована для создания фотосенсоров и элементов носимой электроники, обладающих гибкостью и одновременно фотолюминесцирующих в видимом диапазоне длин волн при облучении УФ- и ИК-излучением. Описан формовочный раствор для получения нетканого композитного материала, включающий полимер, растворитель и неорганические наночастицы в виде квантовых точек. В качестве полимера используют сополимер тетрафторэтилена винилиденфторида, в качестве растворителя бутилацетат с диметилформамидом в объемном соотношении 1:1, а в качестве наночастиц используют квантовые точки галогенидных стехиометрических перовскитов CsPbBr3, высушенных в толуоле. Количество наночастиц в формовочном растворе составляет не более 3 % от массы полимера, а количество полимера 12-13 % от массы растворителя. Описан также нетканый композитный материал, полученный методом электроформования формовочного раствора, содержащего в качестве полимера тетрафторэтилен винилиденфторида, а в качестве наночастиц - квантовые точки галогенидных перовскитов CsPbBr3. Технический результат – получение раствора и формование из него гибкого нетканого материала, обладающего фотолюминесценцией, в том числе двухфотонной, в видимом диапазоне длин волн. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.
МНОГОКАНАЛЬНЫЙ ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ // 2760640
Изобретение относится к термоэлектрическим устройствам для измерения температуры и может быть использовано для регистрации температуры высокоскоростных термодинамических процессов, таких как горение ВВ и ПТС. Многоканальный датчик температуры представляет собой подложку 1, например, из ситалла с нанесенными на нее дорожками, например тремя, из контактирующих слоев пары металлов 2 и 3 (например, меди и никеля), способных вырабатывать термо-ЭДС с образованием зоны горячих спаев с площадью сечения S1, S2 и S3 соответственно, при этом S1<S2<S3 или S3<S2<S1. Технический результат - обеспечение быстродействия при регистрации профилей температуры высокоскоростных термодинамических процессов. 1 ил.
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЕРОЯТНОСТНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОЙ СЕТИ // 2756883
Изобретение относится к области вычислительной техники и телекоммуникационным системам. Технический результат заключается в повышении степени адекватности модели процесса функционирования телекоммуникационной сети на основе технической реализации дополнительных информационных каналов. Технический результат достигается за счет устройства для вероятностного моделирования процесса функционирования телекоммуникационной сети, которое состоит из датчика случайной последовательности, блока формирования корректирующей последовательности, блока коррекции, блока формирования значений матрицы, блока управления, блока формирования значений индикаторов, генератора тактовых импульсов, элемента И, блока элемента И, блока памяти, дешифратора, блока задания времени, элемента ИЛИ, блока оценки интенсивности потока пакетов данных, блока оценки интенсивности обслуживания пакетов данных, блока оценки интенсивности выхода пакетов данных из очереди. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.
Изобретение относится к вычислительной технике и телекоммуникационным сетям и может быть использовано для параметрической оценки законов распределения потоков многопакетных сообщений, циркулирующих в сетях передачи данных (СПД), и оценки состояния сетей в целом. Техническим результатом является повышение точности оценки интенсивности потока сообщений за минимальное необходимое количество шагов наблюдения и обеспечение оценки состояния сети передачи данных в целом. Устройство содержит входные усилители, на входы которых из обслуживающих центров СПД подаются бинарные импульсные последовательности входящих и обслуженных сообщений соответственно, блок формирования оценок интенсивности потока сообщений, блок формирования оценок интенсивности обслуживания сообщений, блок вычисления соотношений информационных длин пакетов и сообщений, блок определения типа распределения потоков, первое арифметико-логическое устройство, блок управления, второе арифметико-логическое устройство и третье арифметико-логическое устройство. 4 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение может быть использовано при изготовлении излучающих слоёв в светодиодах. Сначала раздельно готовят раствор полиэтиленоксида (РЕО) в метаноле с добавлением хлорида цезия и раствор бромида свинца в диметилсульфоксиде (ДМСО). Полученные растворы смешивают. Смешанный раствор, содержащий CsPbBr2Cl:PEO в массовом соотношении 1:1, наносят на подложку, центрифугируют в течение 10 мин со скоростью 2500 об/мин с образованием тонкой пленки, содержащей зерна галоидного перовскита, пассивированные в матрице РЕО, ограничивающей размер и взаимное распределение указанных зерен. Подложку с полученной пленкой помещают на плитку и проводят отжиг в течение 20-30 с при температуре 180-200°С. Полученный электролюминесцирующий смешанный свинцово-галоидный перовскитный материал обладает высокой фазовой стабильностью и люминесцирует в диапазоне 450-500 нм, соответствующем синему свету. За счёт оптимального распределения зерен перовскита в объеме материала обеспечивается подавление эффекта фазовой сегрегации в приложенном внешнем электрическом поле. 9 ил.
Изобретение относится к области синтеза неорганических материалов, в частности к получению перовскитных тонких пленок, которые могут применяться в качестве активного слоя для светодиодов и солнечных элементов. Способ изготовления неорганических хлорсодержащих перовскитных тонких пленок методом химического анионного обмена в паровой фазе заключается в том, что предварительно полученный образец перовскитной тонкой пленки состава CsPbBr3, нанесенной на подложку, помещают рядом со второй чистой подложкой в сосуд с плоским дном, нагревают до 120°С в течение не менее 3 мин. Затем на чистую подложку наносят соляную кислоту (HCl, 40%) и обе подожки накрывают нагретой до 120°С крышкой, поперечный размер которой меньше поперечного размера сосуда с плоским дном, при этом количество нанесенной кислоты и размер крышки подбирается в примерном объемном соотношении 1:2500, а время протекании реакции анионного обмена выбирают в зависимости от требуемого соотношения брома и хлора в изготовляемой пленке состава CsPbBr3-xClx (0≤x≤3) с учетом того, что время полного замещения галогенов Br на Cl не превышает 3 мин, после чего полученный образец нагревают, поднимая температуру от 120°С до 200°С в течение 2 мин. Технический результат состоит в возможности проведения процедуры в замкнутой среде, которая делает процесс безопасным, в получении любых соотношений галогенов за короткий период времени и сохранении высококачественной морфологии перовскитных пленок. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 пр.
Изобретение относится к области синтеза наноструктур на основе перовскитов, которые могут быть использованы в качестве материалов для нанофотоники для создания Фабри-Перо наносенсоров и фотонных интегральных схем. Способ изготовления неорганических перовскитных нановискеров типа CsPbBr3 включает обработку стеклянной подложки путем полирования ее поверхности смесью частиц оксида хрома Cr2O3 диаметром меньше 100 нм, глицерилтристеарата и олеиновой кислоты для создания гидрофобного слоя, после чего методом распыления или спин-коутинга на подложку наносят раствор прекурсоров перовскита CsBr и PbBr2 с образованием капель раствора, затем подложку с упомянутым нанесением помещают на дно сосуда, помещенного в другой сосуд большего размера, который содержит азеотроп: изопропиловый спирт-вода (ИПС⋅Н2О) и находится при постоянной температуре 50°С, закрывают его крышкой и для окончательного формирования нановискеров проводят сушку в течение 5-7 минут до полного высыхания капель раствора. Технический результат изобретения состоит в повышении быстродействия (время изготовления сокращено до 5-7 мин), упрощении и удешевлении технологии изготовления высококачественных неорганических перовскитных нановискеров типа CsPbBr3 с продольным размером 2-50 мкм и поперечным сечением менее 1 мкм, отличающихся низкой концентрацией дефектных состояний, улучшенной отражательной способностью боковых поверхностей и улучшенными оптическими свойствами: высоким коэффициентом добротности Q=1017-6166 и низким порогом генерации Рпор=13 нДж/см2. 6 ил., 1 пр.
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в сканирующей зондовой микроскопии. Зонд для сканирующей зондовой микроскопии содержит кантилевер для атомно-силовой микроскопии с оптически активной областью, находящейся на острие иглы кантилевера. Активная область представляет с собой гибридную наночастицу из полупроводникового материала с металлическим покрытием диаметром 50-300 нм. Материалом кантилевера является кремний или нитрид кремния, а наночастица состоит из кремния с золотым покрытием. Способ изготовления зонда заключается в формировании на острие иглы кантилевера наночастицы с формой, близкой к сфероиду. В одном из вариантов способа наночастицу из полупроводникового материала предварительно изготавливают методом лазерной абляции из слоистой металл-полупроводниковой структуры, осажденной на прозрачную подложку, после чего наночастицу вместе с кантилевером помещают в камеру сканирующего электронного микроскопа, где осуществляют перенос наночастицы с подложки на острие иглы кантилевера металлическим острием, расположенным на трехкоординатном микроманипуляторе в камере сканирующего электронного микроскопа. Во втором варианте полупроводниковую наночастицу формируют непосредственно на острие иглы кантилевера путем облучения острия нефункционализированного полупроводникового кантилевера для атомно-силовой микроскопии, приведенного в контакт с поверхностью тонкого металлического слоя, лазерными импульсами длительностью не более микросекунды. Техническое решение обеспечивает высокое пространственное разрешение и субволновое разрешение. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 8 ил.
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОСТРУКТУРИРОВАННОГО И ВЫСОКОДОПИРОВАННОГО СЛОЯ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ // 2550868
Изобретение может быть использовано при изготовлении фоточувствительных элементов солнечной энергетики и приборов ночного видения. Сухую поверхность кремния облучают множественными фокусированными ультракороткими фемто- или короткими пикосекундными лазерными импульсами (УКИ) для её абляционного микроструктурирования. Затем для допирования поверхностного слоя кремния атомами серы микроструктурированную поверхность обрабатывают множественными УКИ под тонким слоем жидкой фазы сероуглерода, для чего в него погружают мишень кремния. Атомы серы, образовавшиеся в результате разложения сероуглерода, диффундируют в объем конденсированной фазы кремния. Изобретение обеспечивает формирование микроструктурированного высокодопированного - до 5 ат % атомами серы слоя на поверхности кремния. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Заявленная группа изобретений относится к средствам для формирования субдифракционной квазирегулярной одно- и двумерной нанотекстуры поверхности различных материалов для устройств нанофотоники, плазмоники, трибологии или для создания несмачиваемых покрытий. Данное изобретение позволяет повысить пространственное разрешение способа субдифракционного одно- и двумерного нанотекстурирования поверхностей различных материалов - металлов, полупроводников, диэлектриков - под действием множественных ультракоротких импульсов (УКИ), с повышением периодичности одно- и двумерной поверхностной нанотекстуры до ≈20-100 нм. Предложенный способ основан на облучении поверхности материалов множественными фокусированными УКИ фемто- или короткими пикосекундными, импульсами поляризованного электромагнитного поля, мгновенном - в течение каждого УКИ - возбуждении ими на поверхности поверхностных электромагнитных волн, интерференции в течение каждого УКИ падающих на поверхность УКИ и/или возбужденных ими на поверхности поверхностных плазмон-поляритонов и локальном абляционном удалении материала после каждого УКИ из областей максимумов интерференции на поверхности фотовозбужденного материала с формированием регулярного одно- или двумерного рельефа. При этом параметры УКИ - длительность, центральная длина волны и ширина спектра, спектральный чирп, плотность энергии - выбираются так, чтобы обеспечить для металла или электронно-возбужденного полупроводника/диэлектрика из всей ветви поверхностных плазмон-поляритонов резонансное возбуждение именно поверхностного плазмона, или сам резонанс поверхностного плазмона направленно подстроить под спектр УКИ путем фотоиндуцированного изменения оптических постоянных материала под действием УКИ, и далее динамически поддерживать резонансное возбуждение поверхностного плазмона в течение УКИ. Указанный способ реализуется при помощи соответствующего устройства. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к полиграфии, в частности к увлажняющим растворам для офсетных печатных форм
