Патенты автора Няпшаев Илья Александрович (RU)
УСТРОЙСТВО ЗАРЯДА АККУМУЛЯТОРА // 2773229
Использование: в области электротехники. Технический результат - расширение функциональных возможностей устройства заряда аккумулятора. Устройство заряда аккумулятора содержит микроконтроллер для управления процедурой заряда аккумулятора, соединенный с микросхемой, схему преобразования входного напряжения, энергонезависимую память для хранения данных настроек микросхемы и по меньшей мере один внутренний источник питания. К входу схемы преобразования входного напряжения подключены интерфейсы подключения одного или более фотоэлектрических модулей и внешнего источника питания, а к выходу - интерфейс подключения аккумулятора. С помощью микросхемы управляют схемой преобразования входного напряжения на основе собранных устройством заряда аккумулятора входных и выходных телеметрических данных и с помощью схемы преобразования входного напряжения преобразуют входное напряжения до уровня, требуемого для заряда аккумулятора. 3 н. и 15 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области электроники, а именно к полупроводниковым приборам, и может быть использовано при изготовлении солнечных элементов, которые используются в энергетике, космических и военных технологиях, горнодобывающей, нефтеперерабатывающей, химической отраслях промышленности и др. Фотоэлектрический преобразователь (ФЭП) включает текстурированную пластину поликристаллического, мультикристаллического, монокристаллического или квазимонокристаллического кремния n-типа (n)c-Si или р-типа (p)c-Si с фронтальной и тыльной поверхностями, причем на фронтальной поверхности последовательно расположены противоэпитаксиальный буферный слой в виде аморфного гидрогенизированного карбида кремния собственной проводимости (i)-a-SixCx-1:H, пассивирующий слой аморфного гидрогенизированного кремния собственной проводимости i-a-Si, легированный слой аморфного гидрогенизированного кремния ((n)a-Si:H) или микрокристаллического кремния (n-mc:Si) n-типа проводимости, токосъемный слой в виде антиотражающего прозрачного проводящего покрытия, токособирающая контактная сетка, а на тыльной поверхности последовательно расположены противоэпитаксиальный буферный слой в виде аморфного гидрогенизированного карбида кремния собственной проводимости (i)-a-SixCx-1:H, пассивирующий слой аморфного гидрогенизированного кремния собственной проводимости i-a-Si, легированный слой аморфного гидрогенизированного кремния ((p)a-Si:H) или микрокристаллического кремния (p-mc:Si) р-типа проводимости, токосъемный слой в виде антиотражающего прозрачного проводящего покрытия, токособирающая контактная сетка. Изобретение позволяет повысить эффективность и энергетическую выработку гетеропереходного ФЭП. 1 ил.
Изобретение относится к вариантам установки для напыления тонких слоев с различными свойствами на размещенные в паллетах из одного материала пластины на основе кремния или стекла. Установка включает последовательно расположенные компоненты: узел загрузки пластин на паллеты, входную шлюзовую и буферную камеры, блоки вакуумных камер для напыления по крайней мере на одну из сторон пластин тонких слоев в соответствующем технологическом оснащении, выходную шлюзовую и буферную камеры, узел выгрузки пластин с напылением из паллет, которые объединены системой управления и автоматизированной системой внутренней транспортировки пластин в паллетах, а также содержит систему обратной транспортировки паллет без пластин вне вакуумных камер от узла выгрузки пластин с напылением из паллет к узлу загрузки пластин на паллеты, причем система обратной транспортировки паллет снабжена счетчиком циклов прохождения паллет по системе, модулями лазерной очистки паллет от напыления с одной или двух подвергшихся напылению сторон, а также снабжена датчиками положения паллет относительно модулей лазерной очистки, причем каждая лазерная головка содержит встроенный сканатор с областью сканирования луча d=(0,1-0,12) м и расположенный вблизи области очистки узел локальной вытяжки продуктов лазерной очистки. При этом в первом варианте выполнения установки каждый модуль лазерной очистки паллет содержит одну лазерную головку мощностью излучения не менее 1,6 кВт, снабжен автоматической системой ее перемещения по ширине паллеты после каждого прохода по модулю очистки на шаг «k», равный k=d, а узел локальной вытяжки установлен с возможностью его перемещения вместе с лазерной головкой. При этом во втором варианте выполнения установки каждый модуль лазерной очистки паллет содержит группу из «n» лазерных головок, расположенных по ширине паллеты «В» при 2<n<10, каждая из которых имеет мощность излучения не менее 1,6 кВт причем модуль снабжен автоматической системой синхронного пошагового перемещения по ширине паллеты «В» всех лазерных головок группы в интервалах между их включениями, а узлы локальной вытяжки продуктов очистки расположены вблизи области очистки одной или нескольких лазерных головок группы и установлены с возможностью перемещения вместе со всей группой «n» лазерных головок. В одном частном случае второго варианта лазерные головки группы расположены по ширине паллеты на расстоянии области сканирования луча одной лазерной головки, причем система перемещения головок обеспечивает их перемещение по ширине паллеты с шагом «k», равным k=n-d. В другом частном случае лазерные головки группы расположены равномерно по ширине паллеты на расстоянии друг от друга «b»=В/n, причем система перемещения головок обеспечивает их одновременное перемещение по ширине части паллеты «b» с шагом «k», равным k=d. При этом в третьем варианте установки каждый модуль лазерной очистки паллет содержит блок из «N» лазерных головок при N≥10, мощностью излучения не менее 1 кВт каждая, расположенных равномерно по всей ширине паллеты на расстоянии друг от друга b=B/N при b≤d. В этом случае общая область сканирования лучей блока из «N» лазерных головок покрывает полностью ширину паллеты «В», поэтому перемещения лазерных головок по ширине паллеты не требуется. Технический результат - создание вакуумной напылительной установки, совмещенной с системой лазерной очистки паллет, адаптированной к режиму технологического процесса напыления. 3 н. и 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к способу изготовления тонкопленочного солнечного модуля (ТПСМ). Способ изготовления тонкопленочного солнечного модуля включает последовательное осаждение на стеклянную подложку слоя фронтального прозрачного проводящего контакта, слоя гидрогенизированного аморфного и микрокристаллического кремния (a-Si:H/µc-Si:H) и слоя тыльного прозрачного проводящего контакта. После операции осаждения слоя фронтального прозрачного проводящего контакта проводят его непрерывное лазерное скрайбирование с образованием канавки, при этом после операции осаждения слоя гидрогенизированного аморфного и микрокристаллического кремния (a-Si:H/µc-Si:H) проводят прерывистое лазерное скрайбирование этого слоя с образованием отверстий, а после операции осаждения слоя тыльного прозрачного проводящего контакта выполняют операцию разделения этого слоя непрерывным лазерным скрайбированием, при которой одновременно удаляют слои гидрогенизированного аморфного и микрокристаллического кремния и тыльного прозрачного проводящего контакта с образованием канавки. Соединение фронтального и тыльного прозрачных проводящих контактов осуществляют через отверстия слоя гидрогенизированного аморфного и микрокристаллического кремния, образованные после прерывистого лазерного скрайбирования этого слоя. Изобретение позволяет увеличить фотоактивную площадь за счет уменьшения мертвой зоны. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
Структура фотопреобразователя на основе кристаллического кремния и линия по его производству // 2632267
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к структуре фотопреобразователей на основе монокристаллического или поликристаллического кремния и к линии по производству фотопреобразователей. Структура фотопреобразователя на основе кристаллического кремния включает: текстурированную поликристаллическую или монокристаллическую пластину кремния; пассивирующий слой в виде аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенный на каждую сторону пластины кремния; р-слой; n-слой; контактные токосъемные слои в виде прозрачных проводящих оксидов; тыльный токосъемный слой в виде металлического непрозрачного проводящего слоя, при этом в качестве р-слоя и n-слоя применяют металлические оксиды соответственно р-типа и n-типа, при этом слои n-типа и р-типа, пассивирующий и токосъемный слои наносятся методом магнетронного распыления. В качестве металлического оксида n-типа используют оксид цинка (ZnO), или SnO2, Fe2О3, ТiO2, V2O7, МnО2, CdO, или другие металлические оксиды n-типа. В качестве металлического оксида р-типа используют МоО, или СоО, Сu2О, NiO, Сr2О3, или другие металлические оксиды р-типа. Линия по производству фотопреобразователя на основе кристаллического кремния, включающая последовательные операции, такие как: очистку и текстурирование пластин кристаллического кремния; нанесение пассивирующего слоя аморфного гидрогенизированного кремния на каждую сторону пластины кремния; нанесение р-слоя фотопреобразователя; нанесение n-слоя фотопреобразователя; нанесение контактных токосъемных слоев фотопреобразователя; нанесение тыльного токосъемного слоя; окончательная сборка, при этом выполняют последовательное магнетронное напыление пассивирующего слоя, р-слоя в виде металлического оксида р-типа, n-слоя в виде металлического оксида n-типа и токосъемных слоев методом магнетронного распыления. При этом может осуществляться магнетронное распыление кремниевой мишени в атмосфере силана и аргона с добавлением водорода. Изобретение позволяет повысить производительность, уменьшить габариты производственной линии, исключить необходимость переворота пластин кремния в процессе производства. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к изготовлению активных слоев солнечных модулей на основе монокристаллического или поликристаллического кремния. Солнечный модуль на основе кристаллического кремния включает пластину поликристаллического или монокристаллического кремния; пассивирующий слой в виде аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенный на каждую сторону пластины кремния; р-слой в виде аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенный на верхнюю сторону пассивирующего слоя; n-слой, нанесенный на нижнюю сторону пассивирующего слоя; токосъемные слои, нанесенные на р-слой и n-слой. В качестве n-слоя применяют металлические оксиды n-типа, полученного методом магнетронного распыления или методом атомного наслаивания, или методом газофазного осаждения при пониженном давлении. В качестве металлического оксида n-типа используют оксид цинка (ZnO) или SnО2, Fе2О3, TiΟ2, V2O7, МnO2, CdO и другие металлические оксиды n-типа. Изобретение позволяет повысить производительность процесса производства фотопреобразователей. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к пассивации поверхности пластин кремния. Пассивация поверхности кремниевых пластин включает очистку пластин кристаллического кремния, распыление кремния магнетроном с кремниевой мишенью. Процесс распыления кремниевой мишени выполняют в атмосфере аргона (Ar) с добавлением водорода (Н2), или в атмосфере аргона (Ar) с добавлением кремнийорганических соединений, или в атмосфере аргона (Ar) с добавлением водорода (Н2) и кремнийорганических соединений, с получением пассивирующего слоя аморфного гидрогенизированного кремния повышенного качества, для пассивации поверхности пластины и снижения скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда. В качестве кремнийорганического соединения используют по меньшей мере один химический реагент, выбранный из группы, состоящей из силана (SiH4), Si2H6, Si2H4, SiF4, Si2F6 и других соединений, содержащих кремний. Изобретение позволяет уменьшить дефекты и поверхностную рекомбинацию носителей заряда, повысить время жизни носителей заряда, повысить качество, технологичность и безопасность процесса пассивации. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к области приборостроения, преимущественно к измерительной технике
