Патенты автора Манкевич Алексей Сергеевич (RU)
Изобретение относится к технологии производства высокотемпературных сверхпроводящих лент (далее - ВТСП лент) второго поколения, а именно к диагностике качества ВТСП лент и поиску дефектных транспортирующих и измерительных роликов в процессе их производства путем анализа измеряемых характеристик. Способ диагностики транспортирующих и измерительных роликов, используемых в процессе производства ВТСП ленты, получаемой в несколько технологических стадий с ее перемещением в процессе получения при помощи транспортирующих роликов и контролем параметров процесса измерительными роликами, предусматривает проведение каждой стадии с использованием группы транспортирующих роликов одного и того же диаметра D и группы измерительных роликов одного и того же диаметра d, причем диаметр транспортирующих роликов, по меньшей мере, одной группы отличается от диаметров транспортирующих роликов остальных групп. Предложенный способ позволяет быстро и с большой достоверностью выявить дефектные транспортирующие ролики, в том числе непосредственно в процессе производства ВТСП ленты, а следовательно, принять оперативные меры к замене роликов и получению качественной ВТСП ленты. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к технологии получения высокотемпературных сверхпроводников на основе смешанных оксидов редкоземельных элементов, бария и меди и может быть использовано при изготовлении высокотемпературных сверхпроводящих проводов второго поколения для использования в устройствах, требующих постоянного контроля качества проводов, в частности в токоограничителях, и к способу контроля качества такого сверхпроводника. Сущность: способ получения высокотемпературной сверхпроводящей ленты второго поколения, преимущественно для токоограничивающих устройств, включающий получение металлической ленты, нанесение на нее буферных и функциональных слоев, финишное покрытие ленты защитными и стабилизирующими слоями металлов и контроль качества ленты посредством измерения распределения сопротивления по длине ленты, путем пропускания постоянного тока через непрерывно движущуюся через токовые и потенциальные ролики ленту и измерения падения напряжения ленты между потенциальными роликами, при этом сравнивают полученное значение с заданным значением сопротивления ленты или с фактическим, полученным предварительно и, при необходимости наносят на ленту дополнительный стабилизирующий слой металла с компенсирующим сопротивлением. Также предложен способ контроля качества такой ленты. Технический результат заключается в повышении качества ленты, возможности контроля ее качества во время изготовления, возможности в процессе изготовления ленты контролировать параметр сопротивления ВТСП лент, возможность изготавливать ленты с заданным сопротивлением. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к способу изготовления высокотемпературной сверхпроводящей ленты. Осуществляют осаждение буферных слоев на подложку в следующей последовательности: слой оксида алюминия, слой оксида иттрия, слой оксида магния, слой гомоэпитаксиального оксида магния и слой манганита лантана, осаждение слоя высокотемпературного сверхпроводника на буферные слои и нанесение по меньшей мере одного защитного слоя. Слои оксида магния и гомоэпитаксиального оксида магния осаждают путем электронно-лучевого испарения. Слой оксида магния осаждают при одновременном облучении зоны осаждения потоком ионов аргона, слой гомоэпитаксиального оксида магния осаждают при нагреве подложки до температуры 400-800°С. Нанесение слоя высокотемпературного сверхпроводника на буферные слои проводят путем импульсного лазерного осаждения при нагреве подложки до 500-900°С и последующего отжига при температуре 300-500°С в атмосфере кислорода. В результате повышается стабильность свойств получаемой высокотемпературной сверхпроводящей ленты. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 1 ил.
СПОСОБ ГРАВИМЕТРИЧЕСКОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО СЛОЯ ВТСП ПРОВОДОВ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ // 2687312
Использование: для высокоточного определения толщины сверхпроводящего слоя на ВТСП проводах второго поколения. Сущность изобретения заключается в том, что способ гравиметрического определения толщины сверхпроводящего слоя ВТСП проводов второго поколения включает следующие стадии: (А) изготовление эталонного образца из ВТСП провода, содержащего подложку, нанесенный на подложку по меньшей мере один буферный слой и нанесенный на буферный сверхпроводящий слой, где длина образца соответствует длине провода, при которой масса сверхпроводящего слоя составляет не менее 50 мг; (Б) измерение длины, ширины и массы эталонного образца; (В) растворение сверхпроводящего слоя эталонного образца в травильном растворе, не взаимодействующем с материалом буферного слоя, промывку упомянутого образца, сушку и измерение массы образца без сверхпроводящего слоя; (Г) определение толщины сверхпроводящего слоя образца с учетом растворенной массы. Технический результат: обеспечение возможности точного определения средней величины толщины слоя ВТСП на длинномерных образцах. 6 з.п. ф-лы, 2 ил., 3 табл.
Изобретение относится к технологии изготовления тонкопленочных высокотемпературных сверхпроводящих материалов и может быть использовано при промышленном производстве длинномерных сверхпроводящих лент для создания токопроводящих кабелей, токоограничителей, обмоток мощных электромагнитов, электродвигателей и т.д
