Патенты автора Маркелов Антон Викторович (RU)

Изобретение относится к бесколлекторным двигателям постоянного тока со сверхпроводящими обмотками, в частности к устройствам для ввода тока в статорные обмотки из высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) этих двигателей, и может найти применение при производстве таких двигателей. Технический результат заключается в выполнении устройства компактным. Устройство для ввода тока в статорные обмотки ВТСП-электродвигателя содержит криостат, во фланце которого установлен штуцер, и размещенные в криостате статорные обмотки из ВТСП проводов; трубку с установленными на ней шайбами с пазами, выполненными из электроизоляционного материала, пропущенную через штуцер; ВТСП кабель и токоподводящие шины, одним концом соединенные с ВТСП кабелем, а другим - со статорными обмотками, где токоподводящие шины со стороны ВТСП кабеля жестко закреплены на трубке в пазах шайб и зафиксированы на фланце криостата. Изобретение содержит техническое решение вводов тока, отличающееся компактностью, механически удерживающее ВТСП ленты статорных обмоток и ВТСП кабеля от повреждения, адаптированное для размещения в криостате цилиндрической формы с вводом через штуцер подсоединения металлорукава кабеля. 6 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к технологии производства высокотемпературных сверхпроводящих лент (далее - ВТСП лент) второго поколения, а именно к диагностике качества ВТСП лент и поиску дефектных транспортирующих и измерительных роликов в процессе их производства путем анализа измеряемых характеристик. Способ диагностики транспортирующих и измерительных роликов, используемых в процессе производства ВТСП ленты, получаемой в несколько технологических стадий с ее перемещением в процессе получения при помощи транспортирующих роликов и контролем параметров процесса измерительными роликами, предусматривает проведение каждой стадии с использованием группы транспортирующих роликов одного и того же диаметра D и группы измерительных роликов одного и того же диаметра d, причем диаметр транспортирующих роликов, по меньшей мере, одной группы отличается от диаметров транспортирующих роликов остальных групп. Предложенный способ позволяет быстро и с большой достоверностью выявить дефектные транспортирующие ролики, в том числе непосредственно в процессе производства ВТСП ленты, а следовательно, принять оперативные меры к замене роликов и получению качественной ВТСП ленты. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к технологии получения длинномерных стеков из высокотемпературных сверхпроводящих лент (ВТСП) второго поколения, а более конкретно к установке для их получения, и может быть использовано в производстве токопроводящих кабелей, токоограничителей, обмоток мощных электромагнитов, электродвигателей и т.д. Установка для изготовления длинномерные стеков из высокотемпературных сверхпроводящих лент второго поколения включает узел предварительного лужения основной ленты, разрезания ее на ленты заданной ширины и наматывание лент на отдельные катушки, узел предварительного формирования отдельных лент с катушек в стопку, узел протягивания стопки лент через ванну с флюсом, узел уплотнения и предварительного формирования поперечного сечения длинномерного стека, узел протягивания стека через паяльную ванну с припоем, узел окончательного контроля поперечного сечения стека, узел охлаждения стека до температуры ниже температуры плавления припоя, узел сматывания в катушку готового стека и механизм протягивания ленты через установку. Изобретение позволяет создавать установку изготовления длинномерных стеков из высокотемпературных сверхпроводящих лент второго поколения путем непрерывного пропускания подготовленной стопки высокотемпературных сверхпроводящих лент второго поколения через паяльную ванну. 6 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к способу изготовления высокотемпературной сверхпроводящей ленты. Осуществляют осаждение буферных слоев на подложку в следующей последовательности: слой оксида алюминия, слой оксида иттрия, слой оксида магния, слой гомоэпитаксиального оксида магния и слой манганита лантана, осаждение слоя высокотемпературного сверхпроводника на буферные слои и нанесение по меньшей мере одного защитного слоя. Слои оксида магния и гомоэпитаксиального оксида магния осаждают путем электронно-лучевого испарения. Слой оксида магния осаждают при одновременном облучении зоны осаждения потоком ионов аргона, слой гомоэпитаксиального оксида магния осаждают при нагреве подложки до температуры 400-800°С. Нанесение слоя высокотемпературного сверхпроводника на буферные слои проводят путем импульсного лазерного осаждения при нагреве подложки до 500-900°С и последующего отжига при температуре 300-500°С в атмосфере кислорода. В результате повышается стабильность свойств получаемой высокотемпературной сверхпроводящей ленты. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления тонкопленочных высокотемпературных сверхпроводящих материалов и может быть использовано при промышленном производстве длинномерных сверхпроводящих лент для создания токопроводящих кабелей, токоограничителей, обмоток мощных электромагнитов, электродвигателей и т.д

 


Наверх