Патенты автора ГЕРСДОРФФ Маркус (DE)

Изобретение относится к способу осаждения одного или нескольких тонких слоев. Осуществляют введение органического материала для осаждения компонентов светоизлучающих диодов в виде газа или образующего полимер технологического газа вместе с газом-носителем с помощью газовпускного устройства (3) в осадительную камеру (8), чтобы на поверхности (7′) субстрата (7), размещенного на несущей поверхности (4′) держателя подложки, который расположен напротив газовпускного устройства (3), осадить тонкий слой из компонентов светоизлучающих диодов или в виде полимера. Перед введением в осадительную камеру (8) упомянутых материалов осуществляют термостатирование газовпускного устройства (3) и/или несущей поверхности (4′) держателя подложки так, что температура (TS) несущей поверхности (4′) держателя подложки ниже температуры (TG) газовпускного устройства (3). Проводят стабилизацию температуры субстрата (7) при давлении (Р1) более 100 Па в осадительной камере (8) путем отведения теплоты к держателю (4) подложки до температуры (TD) субстрата, которая выше температуры (TS) несущей поверхности (4′) держателя подложки, но ниже температуры (TG) газовпускного устройства (3). Затем давление (Р1) в осадительной камере (8) снижают до рабочего давления (Р2). При достижении рабочего давления (Р2) в осадительную камеру (8) подают органический материал для осаждения компонентов светоизлучающих диодов в виде газа или образующий полимер технологический газ, транспортируемый посредством газа носителя. Обеспечивается нанесение покрытия при температуре субстрата, превышающей температуру несущей поверхности держателя подложки. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 пр.

Группа изобретений относится к нанесению покрытий. Устройство для осаждения латерально структурированных слоев на субстрат посредством теневой маски, поверхностно наложенной на предназначенную для нанесения покрытия поверхность субстрата, включает держатель субстрата. Держатель субстрата имеет первые магнитные зоны, предназначенные для магнитного притяжения соответствующих этим первым магнитным зонам вторых магнитных зон теневой маски. Первые магнитные зоны выполнены с возможностью приведения в активное положение с притяжением вторых магнитных зон к поверхности субстрата и с возможностью приведения в неактивное положение для наложения или снятия теневой маски. Причем первые магнитные зоны образованы расположенными в выемках контактной поверхности держателя субстрата, в частности постоянными магнитными элементами, которые по месторасположению соответствуют вторым магнитным зонам. Теневая маска включает расположенные в виде сетки перемычки из магнитного материала, контактная поверхность которых переходит в вогнутую или наклонную боковую поверхность перемычек. Обеспечивается наложение маски на поверхность субстрата без зазоров. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 15 ил.

Изобретение относится к устройству и способу осаждения одного или более тонких слоев полипараксилилена

 


Наверх