Патенты автора Шадрин Антон Викторович (RU)
Изобретение относится к вычислительной технике. Техническим результатом является создание вычислительной системы для выполнения нейросетевых алгоритмов. Вычислительная система содержит массив вычислительных ядер, чередующихся с блоками локальной памяти, блок синхронизации, блок диагностики, краевые интерфейсные блоки, вспомогательное процессорное ядро, процессор общего назначения, динамическую оперативную память, контроллер динамической оперативной памяти, контроллер интерфейса, использующийся для подключения к внешней компьютерной системе. 9 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к способу построения нейросетевых процессоров для вывода в свёрточных нейронных сетях и нейросетевому процессору. Технический результат заключается в повышении быстродействия работы свёрточных нейронных сетей. В способе размещают на одной интегральной схеме нейросетевого процессора вычислительные элементы, которые располагаются в узлах регулярной сетки, а также разделяемые регистровые файлы, которые содержат локально сохраненные данные, при этом каждый разделяемый регистровый файл соединяется с несколькими соседними вычислительными элементами, каждый из которых по очереди осуществляет обработку данных из разделяемых регистровых файлов, а потом хранение выходных данных вычислений в этих разделяемых регистровых файлах; при этом на одной или нескольких сторонах интегральной схемы к совокупности крайних разделяемых регистровых файлов подсоединяются располагающиеся на той же стороне контроллеры ввода-вывода. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.
Использование: для создания сверхпроводникового джозефсоновского прибора. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводниковый джозефсоновский прибор с композитной магнитоактивной прослойкой на основе тонкопленочной структуры имеет планарную геометрию из тонких пленок в виде гетероструктуры Sd-M-S (Sd - базовая пленка купратного сверхпроводника, М - композитная магнитоактивная прослойка, S - верхний сверхпроводящий электрод), сформированный на подложке из кристалла NdGaO3 с ориентацией (110), в качестве базовой пленки Sd используется эпитаксиально выращенная пленка сверхпроводящего купрата YBa2Cu3O7-δ, в качестве композитного магнитоактивного слоя М используются последовательно осаждаемые пленки рутената стронция SrRuO3 (SRO) толщиной dSRO и оптимально допированного манганита La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO) толщиной dLSMO, а в качестве верхнего электрода S используется сверхпроводящая тонкопленочная двуслойка AuNb, толщины SRO и LSMO пленок определяются числом импульсов лазерной абляции, обеспечивая расчетное соотношение dSRO и dLSMO относительно соответствующих длин когерентности ξF в SRO и LSMO, толщина композитной пленки dM=dSRO+dLSMO может варьироваться от единиц до десятков нанометров, толщина Au в верхнем электроде AuNb должна обеспечивать сверхпроводящий эффект близости и составляет величину порядка нескольких единиц нанометров, при этом тонкопленочная топология прибора формируется вместе со сверхпроводниковой тонкопленочной антенной из пленок Sd и S, расположенных на той же подложке, а планарный размер L Sd-M-S структуры (в плоскости слоев) варьируется от долей до десятков микрометров. Технический результат: обеспечение возможности создания сверхпроводникового джозефсоновского прибора. 4 ил.
Изобретение относится к криоэлектронным приборам и может быть использовано в измерительной технике
