Патенты автора НИКОЛАЕВ Владимир (RU)
Изобретение относится к производству независимых подложек из нитрида III группы для применения в области электроники и оптоэлетроники. Способ получения независимой подложки 100 из нитрида III группы включает осаждение первого слоя 102 нитрида III группы на подложку 101 для выращивания, формирование в первом слое 102 механически ослабленного жертвенного слоя 110, осаждение второго слоя 107 нитрида III группы на первый слой 102 и отделение второго слоя 107 от подложки 101 по механически ослабленному жертвенному слою 110, при этом стадия формирования механически ослабленного жертвенного слоя 110 включает образование вертикальных отверстий 105, проходящих вниз от свободной поверхности первого слоя 102 нитрида III группы к границе раздела 109 между первым слоем 102 и подложкой 101, латеральное травление, через отверстия 105, первого слоя 102 в указанной граничной области 109 и латеральное заращивание отверстий 105 на стадии осаждения второго слоя 107 для обеспечения непрерывного слоя. Технический результат изобретения состоит в обеспечении эффективного отделения второго слоя нитрида III группы от подложки с получением независимого кристалла нитрида, который служит в качестве подложки для дополнительного осаждения нитрида. 6 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к реакторной установке для эпитаксиального выращивания гидридов в паровой фазе
