Патенты автора Елин Владимир Александрович (RU)
Группа изобретений относится к способу и устройству защиты электронной аппаратуры от радиоактивных излучений. Технический результат заключается в увеличении надежности защиты электронной аппаратуры от радиоактивных излучений за счет прогнозирования и гарантированного предотвращения его активной работы. Согласно способу осуществляют контроль радиационной обстановки и превентивное отключение электронной аппаратуры при наступлении порога риска его повреждения от ионизирующего излучения, при этом мониторинг мощности дозы ионизирующего излучения предусматривает анализ спектра ионизирующего излучения, анализ рисков выхода из строя электронной аппаратуры при пиковых нагрузках ионизирующего излучения, а также формирование информационных сигналов предупреждения и аварийных сигналов на отключение электронной аппаратуры при наступлении порога риска его повреждения. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 2 ил.
СЕНСОР ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ БЕСТИГЕЛЬНОЙ ЗОННОЙ ПЛАВКИ Р-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ // 2634324
Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования ионизирующего излучения в электрический сигнал, в частности к чувствительным элементам, предназначенным для использования в различных системах измерения уровней радиации. Сенсор ионизирующего излучения содержит n+-i-p+-структуру, включающую i-область в виде высокоомной слаболегированной монокристаллической подложки высокочистого кремния бестигельной зонной плавки р-типа проводимости, на лицевой стороне которой выполнена чувствительная зона в виде, по меньшей мере, одной n+-области, наружная поверхность которой снабжена последовательно расположенными маскирующим покрытием из диоксида кремния, алюминиевой металлизацией и внешним пассивирующим слоем, а на оборотной стороне упомянутой подложки последовательно выполнен слой высоколегированного кремния, образующий р+-область, и нанесена алюминиевая металлизация с образованием подложкой с указанными слоями n+-i-p+-диода, при этом под покрытием из диоксида кремния на лицевой поверхности подложки вокруг чувствительной зоны, выполнена, по меньшей мере, одна пара охранных колец р+-типа и n+-типа, расположенных с зазором между ними, упомянутое покрытие из диоксида кремния выполнено с окнами для контакта чувствительной n+-области с алюминиевой металлизацией, а внешний пассивирующий слой выполнен с окнами для присоединения выводов. Изобретение обеспечивает уменьшение времени измерения радиационного фона, значительное снижение размеров и массы сенсора, расширение диапазона регистрируемых энергий и возможность регистрации различных видов ионизирующего излучения при снижении уровня шумов и увеличении чувствительности сенсора. 11 з.п. ф-лы, 7 ил.
Изобретение относится к области электроники, в частности к средствам приема и передачи речи абонентов, говорящих на разных языках. Техническим результатом является обеспечение защиты передаваемой и принимаемой речи от несанкционированного доступа, повышение точности передачи речи, повышение надежности приема и передачи речи. На мобильном терминале используются языковые модели, настроенные на заданную тему (например, туризм, бизнес, быт и т.д.). Это позволяет достигать высокого качества на устройствах с небольшой вычислительной мощностью (например, смартфонах). Для общения людей, говорящих на языках А и Б, организуется конвейер обработки информации, включающий следующие стадии: ввод речи на языке А, преобразование речи в текст на языке А, перевод текста на язык Б, синтез речи на языке Б, вывод речи на языке Б. Система позволяет также обучать акустические и языковые модели, ориентированные на конкретного пользователя и/или тематику разговора, и сохранять их в облачном сервисе. Гибкость работы обеспечивается возможностью локализации разных стадий конвейера обработки информации на терминалах участников разговора, а также возможностью загрузки используемых моделей из облачного сервиса. 11 з.п. ф-лы, 12 ил.
Использование: для преобразования воздействия ионизирующего излучения в электрический сигнал. Сущность изобретения заключается в том, что на полированной пластине, вырезанной из слитка сверхчистого кремния n-типа проводимости формируется сенсор, для чего последовательно производятся первая химическая отмывка пластины в растворе поверхностно активных веществ, содержащих комплексоны, формирование слоя окисла кремния термическим окислением в атмосфере сухого кислорода с добавлением хлорсодержащих компонентов, имплантация ионов примеси р-типа проводимости в рабочую сторону пластины и ионов примеси n-типа проводимости в нерабочую сторону пластины при температуре не менее 50°С с энергией имплантации не более 200 кэВ и с дозой имплантации не более 1000 мкКл/см2, повторная химическая отмывка пластины в растворе поверхностно активных веществ, содержащих комплексоны, формирование слоя окисла кремния термическим окислением в атмосфере сухого кислорода с добавлением хлорсодержащих компонентов, повторная имплантация ионов примеси р-типа проводимости в рабочую сторону пластин и ионов примеси n-типа проводимости в нерабочую сторону пластин при температуре не более 25°С с энергией имплантации не более 200 кэВ, нанесение слоя алюминия на обе стороны пластин, формирование омического контакта путем вжигания алюминия и осаждение пассивирующего покрытия на рабочую сторону пластин, а затем проведение двухстадийного постимлантационного отжига. Технический результат: обеспечение возможности производства более высоко чувствительного элемента детектора на базе планарной технологии. 14 з.п. ф-лы, 8 ил.
МАТРИЧНЫЙ СЕНСОР ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ // 2551257
Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования ионизирующего излучения в электрический сигнал. Сущность изобретения заключается в том, что матричный сенсор (чувствительный элемент) ионизирующего излучения представляет собой p-i-n структуру, выполненную по планарной технологии. Сенсор содержит высокоомную подложку высокочистого БЗП кремния n-типа 1 проводимости, на лицевой (рабочей) стороне которой расположены p-области 2, 3, слой 4 (покрытие) из SiO2, алюминиевая металлизация 5, пассивирующий (защитный) слой 6. P-области 2, занимающие большую часть площади поверхности, образуют чувствительную область сенсора. При этом количество p-областей 2, образующих чувствительную область сенсора, выполнено равным 2n, где n=1÷8. По крайней мере, две p-области 3, выполненные в виде кольцеобразных элементов (охранных колец), расположены в нечувствительной области по периферии подложки вокруг сформированной p-областями 2 чувствительной области с обеспечением снижения величины поверхностного тока и плавного падения потенциала от чувствительной области к периферии прибора. В слое 4 SiO2 сформированы окна 7 для обеспечения контакта металла (алюминиевой металлизации) с p-областью; в пассивирующем слое над p-областью, расположенной в центральной части подложки, сформированы окна 8 для контактирования с p-n областями в процессе тестирования, и окна 9 для присоединения выводов. На подложке со стороны, противоположной лицевой поверхности, расположен слой n-области 10 и металла 11. Технический результат - расширение диапазона регистрируемых энергий, уменьшение габаритов и массы сенсора. 9 з.п. ф-лы, 7 ил.
СЕНСОР ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ // 2545502
Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования ионизирующего излучения в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить уровень радиации и набранную дозу гамма-, протонных, электронных и альфа-излучений. Сенсор (чувствительный элемент) ионизирующего излучения представляет собой p-i-n структуру, выполненную по планарной технологии. Сенсор содержит высокоомную подложку кремния n-типа 1 проводимости, на лицевой (рабочей) стороне которой расположены p-области 2, 3, слой 4 (покрытие) из SiO2, алюминиевая металлизация 5, пассивирующий (защитный) слой 6. P-область 2, расположенная в центральной части подложки и занимающая большую часть площади поверхности, образует чувствительную область сенсора. По крайней мере, две p-области 3, выполненные в виде кольцеобразных элементов (охранных колец), расположены в нечувствительной области по периферии подложки вокруг центральной p-области 2 с обеспечением снижения величины поверхностного тока и плавного падения потенциала от чувствительной области к периферии прибора. В слое 4 SiO2 сформированы окна 7 для обеспечения контакта металла (алюминиевой металлизации) с p-областью; в пассивирующем слое над p-областью, расположенной в центральной части подложки, сформировано окно 8 для контактирования с p-n областью в процессе тестирования и окна 9 для присоединения выводов. На подложке со стороны, противоположной лицевой поверхности, расположен слой n-области 10 и металла 11. Технический результат - уменьшение времени измерения радиационного фона, уменьшение размеров и массы устройства, расширение диапазона регистрируемых энергий. 10 з.п. ф-лы, 6 ил.
СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ // 2484554
Изобретение относится к области детектирования ионизирующих излучений с использованием полупроводниковых устройств и может быть использовано в научно-исследовательском оборудовании и средствах радиационной защиты
