Патенты автора Артамонов Антон Вячеславович (RU)
Изобретение относится к области авиадвигателестроения, в частности к конструкции деталей и сборочных единиц (ДСЕ) соплового аппарата турбины высокого давления (СА ТВД) газотурбинного двигателя, преимущественно для высокоманевренных самолетов. Деталь сборочной единицы соплового аппарата турбины высокого давления изготовлена из жаропрочного и жаростойкого сплава на основе никеля с теплозащитным покрытием, содержащим металлический подслой, керамический подслой и верхний керамический слой, при этом металлический подслой толщиной от 35 до 130 мкм выполнен плазменным напылением порошкового сплава на основе никеля, содержащего 18-25% кобальта, 13-22% хрома, 10-15% алюминия и 0,1-0,9 иттрия, причем объемная пористость и объемное содержание включений оксидов в слое в сумме составляют не более 7%, керамический подслой толщиной от 120 до 220 мкм выполнен плазменным напылением порошкового материала на основе диоксида циркония, содержащего 7,5-11,5% оксида диспрозия, при этом пористость слоя составляет от 5 до 20%, а верхний керамический слой толщиной от 30 до 130 мкм выполнен плазменным напылением порошкового материала на основе диоксида циркония, содержащего 45-65% оксида гадолиния, при этом пористость слоя составляет от 5 до 20%. Техническим результатом изобретения является повышение ресурса ДСЕ СА ТВД газотурбинного двигателя до 2000 часов за счет снижения температуры на поверхности ДСЕ путем нанесения на поверхности, наиболее контактирующие с газовым потоком, многослойного теплозащитного покрытия с верхним керамическим слоем, обладающим низкой теплопроводностью. 1 табл., 1 пр.
Способ напыления защитных покрытий для интерметаллического сплава на основе гамма-алюминида титана // 2716570
Изобретение относится к способам защиты легированных сплавов на основе титаналюминидов с преобладающей фазой γ-TiAl. Сплавы этого типа отличаются малой плотностью, высокой удельной прочностью и стойкостью к окислению и предназначены для изготовления конструкций, работающих при высоких температурах и нагрузках. На поверхность изделия из упомянутого сплава наносят порошок с содержанием компонентов, мас. %: Со 20-26, Cr 18-23, Al 6-11, Y 0.3-0.9, Та 2-6, Ni – остальное, с применением технологии высокоскоростного газопламенного напыления. Соотношение керосина и кислорода выбирают 1:1, давление в камере сгорания составляет более 4,9 МПа, скорость подачи порошка - 12-16 г/мин. Дистанция напыления составляет 250-350 мм, а скорость передвижения по поверхности сплава 0.3-0,7 м/с. Получают покрытие толщиной не менее 150 мкм. Способ обеспечивает повышение термостойкости сплава на основе TiAl до 920°С, высокие механические свойства при комнатной температуре и температуре эксплуатации. 2 ил., 1 табл., 1 пр.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, содержащих пассивную структуру диэлектрик - полупроводник, в том числе диодов и транзисторов, а также приемников излучения, чувствительных в спектральном диапазоне (1÷3,5) мкм, таких как фотодиоды и фототранзисторы на кристаллах InAs n-типа проводимости. Изобретение обеспечивает устранение поверхностных токов утечки и взрывных шумов туннельного типа, а также увеличение пробивного напряжения планарных р+-n переходов на кристаллах InAs. В способе формирования диэлектрического слоя методом анодного окисления в гальваностатическом режиме при плотности тока 0,5 мА/см2 в электролите на основе смеси этиленгликоля и концентрированного раствора аммиака в соотношении 5:1 с добавлением фторсодержащей компоненты - соли NH4F, обеспечивающей концентрацию NH4F в электролите 12 г/л, толщину слоя обеспечивают . 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InGaAs n-типа проводимости, фототранзисторов, фоторезисторов на основе кристаллов p-типа проводимости. В способе изготовления слоев p-типа проводимости на кристаллах InGaAs, включающем имплантацию ионов Be+ и постимплантационный отжиг, последний проводят при температуре 570÷580°С с длительностью 10÷20 с в вакууме или осушенной нейтральной атмосфере, что позволяет повысить технологичность и снизить энергозатраты при получении слоев с наилучшими электрофизическими свойствами. В частном случае выполнения отжиг проводят излучением галогенных ламп через кремниевый фильтр. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InAs n-типа проводимости, фототранзисторов, фоторезисторов на основе кристаллов p-типа проводимости. Способ изготовления слоев p-типа проводимости на кристаллах InAs включает имплантацию ионов Ве+ с энергией (30÷100) кэВ и дозой (1013÷3·1014) см-2 и постимплантационный отжиг в две стадии с длительностью каждой (10÷20) секунд, первая - при температуре T1=400÷450°C, вторая - при температуре Т2=500÷550°C. За счет наиболее эффективного отжига, при котором сначала отжигаются простые, а затем сложные дефекты, происходит улучшение структурного совершенства слоев. 1 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InSb n-типа проводимости (изготовление p-n-переходов), фототранзисторов (изготовление базовых областей на кристаллах n-типа проводимости и эмиттеров и омических контактов на кристаллах p-типа проводимости), фоторезисторов на основе кристаллов p-типа проводимости (омические контакты)
