Патенты автора Мурлиева Жарият Хаджиевна (RU)

Изобретение относится к области электротехники, а именно к высокоэффективному способу изготовления наноструктурированных полупроводниковых материалов на основе фаз со структурой перовскита, содержащих катионы иттрия, бериллия, бария и меди с различной плотностью, необходимых для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. Получение наноструктурированных терморезистивных материалов с заданной пористостью и электрическими свойствами при сравнительно низких температурах (менее 920°С) и времени менее 10 часов является техническим результатом изобретения, который достигается путем компактирования микропорошков и их обработки в течение часа при температуре 600-900°С при скорости подъема и охлаждения не выше ~5°С/мин и ~ 3°С/мин соответственно, при количественном соотношении нанопорошков от 40:60 до 60:40, полученных с технологическими замещениями бериллия на барий в соединении YВе2Сu3О7-δ, с последующим прессованием при давлении не менее 100 МПа и спеканием при температуре 900 до 920°С в течение 1÷10 часов. 3 пр., 6 ил.

Изобретение относится к способу изготовления тонкопленочных структур на основе соединений, содержащих катионы висмута и железа на поверхности наноразмерных трубок TiO2 и недодопированного YBa2Cu3O6+х (YBCO), обладающих чувствительными в зависимости от приложенного внешнего постоянного магнитного поля мемристивными свойствами, которые могут быть использованы при создании функциональных устройств электронной техники, в частности при изготовлении элементов с различными принципами записи, хранения и обработки информации, в том числе транзисторов, ячеек памяти нового поколения (сегнетоэлектрической и мемристивной) и резистивных гибридных структур, содержащих сверхпроводящие и сегнетоэлектрические слои. Сущность изобретения заключается в способе изготовления тонкопленочных структур мультиферроиков, а именно соединений со структурой перовскита, содержащих катионы висмута и железа, на поверхности наноразмерных трубок TiO2 и недодопированного YBa2Cu3O6+x (YBCO), обладающих мемристивными свойствами, чувствительными к внешнему постоянному магнитному полю, методом атомно-слоевого осаждения, заключающимся в послойном нанесении металлоорганических прекурсоров на основе висмута и железа, и последующей термообработкой в течение не более 1 ч при температурах менее 600°С. Технический результат заключается в получении пленок, обладающих мемристивными свойствами, чувствительными к приложенному внешнему постоянному магнитному полю, путем послойного нанесения металлоорганических прекурсоров на основе висмута и железа, и последующей термообработке в течение не более 1 ч и при температурах менее 600°С. 7 ил.

Изобретение относится к получению однофазного нанокристаллического порошка феррита висмута BiFeO3 с ферромагнитными свойствами. Способ включает смешивание нитратов висмута Bi(NO3)3, нитратов железа Fe(NO3)3, глицерина и воды с получением раствора, выпаривание полученного раствора с образованием геля и нагрев его до температуры вспышки с образованием порошка. Упомянутые нитраты висмута и нитраты железа используют в расчетном количестве, необходимом для получения феррита висмута, а глицин - в количестве на 35-50% меньше расчетного количества, при этом выпаривание полученного раствора и нагрев до температуры образуемого геля ведут при непрерывном перемешивании, а полученный после вспышки порошок нагревают до 350-400°C в течение времени до 30 мин. Обеспечивается получение чистого, однородного по дисперсности порошка. 8 ил., 4 пр.

Изобретение относится к способу получения сверхпроводящих керамических материалов различной плотности на основе сложного оксида YBa2Cu3O7-δ, содержащего преимущественно фазу из наноструктурированных порошков, оптимально насыщенную кислородом, для изготовления компонентов электронной техники и электроэнергетики. Технический результат изобретения - разработка простого и высокоэффективного способа получения высокотемпературной сверхпроводящей керамики различной плотности, содержащей преимущественно фазу YBa2Cu3O7-δ, оптимально насыщенную кислородом. Нитраты иттрия, бария и меди смешивают и растворяют в воде в соотношении материал:вода, равном 0,03:1, добавляют концентрированную азотную кислоту до полного растворения солей и глицерин в количестве 0,5-1,5% от общего количества водного раствора нитратов, выпаривают при непрерывном помешивании до образования густой жидкости, ее вспыхивания с образованием прекурсора в виде порошка, который, в свою очередь, нагревают до температур в интервале 350°С-915°С с выдержкой при этих температурах в течение 1-20 часов для формирования соответствующего распределения размера частиц, прессуют при 50-200 МПа и спекают при 920°С в течение 0,5-5 часов. 13 пр., 39 ил.

Изобретение относится к способу получения нанопорошков на основе феррита висмута для создания магнитоэлектрических материалов - мультиферроиков и компонентов электронной техники, которые могут найти широкое применение в микроэлектронике, в частности спиновой электронике (спинтронике); в сенсорной и СВЧ-технике; в устройствах для записи, считывания и хранения информации и др. Задача предлагаемого изобретения - получение чистых однородных по дисперсности нанокристаллических порошков на основе феррита висмута, со строгой стехиометрией в один этап - для изготовления материалов и компонентов электронной техники. Техническим результатом изобретения является то, что он позволяет повысить эффективность и снизить энергозатраты при изготовлении чистых однородных по дисперсности нанокристаллических порошков на основе феррита висмута, со строгой стехиометрией, путем нагревания, с различными скоростями, содержащего глицин раствора нитратов соответствующих металлов разной насыщенности. Преимуществами предложенного способа являются: получение непосредственно однофазного феррита висмута; чистота и однородность; низкие температуры синтеза; экспрессность за счет получения продукта за один этап синтеза. 8 ил.
Изобретение относится к способу получения материалов на основе сложного оксида Y(BaxBe1-x) 2Cu3O7- с широким спектром электрических свойств от высокотемпературных сверхпроводников до полупроводников, которые могут быть использованы в микроэлектронике; электротехнике; энергетике, например для получения пленок методами нанесения покрытий и катодного распыления мишеней из этого материала; проводников тока второго поколения; терморезисторов

 


Наверх