Патенты автора Астраускас Йонос Ионо (RU)
Изобретение относится к лазерной технике. Портативный импульсно-периодический полупроводниковый лазерный излучатель с пиротехнической накачкой и перестраиваемой длиной волны содержит корпус с фокусирующим оптическим элементом, полупроводниковый лазер, блок управления работой полупроводникового лазера с источником питания, систему электрической связи электронных элементов лазера и магазин с источниками оптического излучения с пиротехнической накачкой, содержащий несколько пиротехнических ламп и систему их подачи. В излучатель введен приемник оптического излучения, выполненный из монокристаллического кремния. Технический результат заключается в обеспечении возможности создания полупроводникового лазерного излучателя с пиротехнической накачкой. 1 ил.
Способ исследований температурных зависимостей оптических характеристик полупроводниковых материалов // 2700722
Изобретение относится к области исследований оптических характеристик полупроводниковых материалов, находящихся под действием температурного поля, и может найти применение в исследовательской деятельности. Сущность предлагаемого изобретения заключается в том, что процесс измерения оптических характеристик полупроводниковых материалов производится при изменении температур исследуемого материала с интервалом, устанавливаемым непосредственно для каждого конкретного исследования, т.е. с возможностью управления уровнем температурного воздействия на исследуемый образец в широком диапазоне, что позволяет с высокой точностью проводить определение оптических характеристик материала и их зависимость от изменения температуры. Технический результат - повышение информативности исследований температурных зависимостей оптических характеристик полупроводниковых материалов. 1 ил.
ИНФРАКРАСНЫЙ ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ ЛАЗЕР // 2593819
Изобретение относится к лазерной технике. Инфракрасный твердотельный лазер содержит лазер накачки, кристалл Fe2+:ZnSe - пассивный модулятор добротности и дополнительный резонатор. Резонатор лазера накачки выполнен «глухим», а пассивный модулятор добротности имеет вид кристалла Fe2+:ZnSe, установленного между зеркалами дополнительного резонатора внутри лазера накачки. Технический результат заключается в обеспечении компактности устройства, за счет использования одного кристалла Fe2+:ZnSe одновременно в качестве пассивного модулятора добротности и активного элемента. 1 ил.
Использование: для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Сущность изобретения заключается в том, что способ лазерной обработки неметаллических материалов заключается в облучении их поверхности импульсом лазерного излучения, формируют лазерный импульс, плотность энергии которого на облучаемой поверхности пластины определяется по представленному соотношению. Технический результат: обеспечение возможности снижения энергетических затрат и уменьшения термоупругих напряжений. 2 ил.
Портативный автономный многоразовый импульсный твердотельный лазер выполнен в виде двух состыкованных сборок и внешнего резонатора. Одна из сборок - разрушаемая (сменная), включает в себя ударную трубку, заполненную ксеноном, заряд взрывчатого вещества, разрушаемый отражатель и светопроводящую пластину в корпусе. Другая сборка, прочная, состоит из прочного корпуса, световода и активного элемента, представляющего собой стержень с плоскопараллельными торцами, изготовленный из стекла, активированного неодимом Nd3+, расположенного перпендикулярно ударной трубке. Внутренняя поверхность прочного корпуса имеет зеркальное покрытие и в совокупности с разрушаемым отражателем образует осветитель. Ударная трубка внутри имеет зеркало, отражающее световое излучение с фронта ударной волны в сторону активного элемента. Корпус заряда имеет ослабленное сечение в месте планируемого разрушения. Технический результат - получение мощного импульсного лазерного излучения с малым углом расходимости пучка. 2 ил.
СПОСОБ ОБРАБОТКИ НЕМЕТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ // 2486628
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для скрайбирования полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов
