Патенты автора Калашников Юрий Николаевич (RU)

Изобретение относится к составам флюсов для низкотемпературной пайки с повышенной термостойкостью. Водорастворимый флюс содержит компоненты в следующем соотношении, мас %: глицерин 60-62, сорбит 27-28, щелочь 8-9, ингибитор в виде тетрабората натрия или борной кислоты 2-4. Введение в состав флюса ингибитора уменьшает внутрифлюсовое окисление глицерина и сорбита щелочью. Флюс обеспечивает проведение пайки при температурах до 350°С за счет повышения его термостойкости к окислению при сохранении флюсующей активности, а также обеспечивает полную отмывку остатков флюса водой после пайки. 2 табл., 1 пр.

Изобретение может быть использовано при подготовке поверхности фольги, ленты припоя после прокатки перед низкотемпературной бесфлюсовой пайкой, в частности, при сборке изделий РЭА и СВЧ-техники. В первой ванне ультразвукового комплекса проводят обезжиривание при температуре 180-200°С в течение 5-7 мин моющим средством, содержащим, мас.%: щелочь KОН или NaOH 15-25, глицерин 50-60, вода – остальное. Во второй ванне очистку производят при температуре 50-60°С в течение 3-5 мин деионизованной водой. В третьей ванне - при температуре 60-70°С в течение 20-30 мин моющим средством, содержащим, мас.%: щелочь KОН или NaOH 3-4, сода Na2CO3 3-3,5, ПАВ-синтанол 0,25-0,35, вода - остальное, при температуре 60-70°С в течение 20-30 мин. В четвертой ванне очистку проводят деионизованной водой при температуре 60-70°С в течение 2-3 мин. В пятой ванне очистку проводят в ацетоне при комнатной температуре в течение 2-3 мин с наложением ультразвука с последующей сушкой горячим воздухом. Изобретение обеспечивает полное удаление закатанных после горячей прокатки остатков смазочных жидкостей с поверхности золотосодержащих низкотемпературных эвтектических припоев. 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает формирование многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного отверстия в подложке, последующее спекание и отжиг, закрепление подложки экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящее основание, закрепление активного тепловыделяющего компонента в одном сквозном отверстии подложки, соединение электрически контактных площадок активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия подложки, контроль электрических характеристик гибридной интегральной схемы. При изготовлении отдельных диэлектрических слоев многослойной диэлектрической подложки сквозные отверстия изготавливают с определенным сечением. При нанесении металлизационного покрытия топологического рисунка и экранной заземляющей металлизации одновременно заполняют материалом металлизационного покрытия одно сквозное отверстие и дополнительные сквозные отверстия. При формировании многослойной диэлектрической подложки отдельные диэлектрические слои располагают определенным образом, а формирование активного тепловыделяющего компонента осуществляют непосредственно в одном сквозном отверстии многослойной диэлектрической подложки. Технический результат - снижение трудоемкости изготовления и улучшение электрических характеристик. 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление многослойной диэлектрической подложки, нанесение на каждый из диэлектрических слоев металлизационного покрытия топологического рисунка и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки, совмещение сквозных отверстий диэлектрических слоев, спекание и отжиг, расположение и закрепление многослойной диэлектрической подложки экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящее основание, расположение и закрепление в каждом сквозном отверстии активного тепловыделяющего компонента с обеспечением расположения их лицевых сторон в одной плоскости, электрическое соединение контактных площадок активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизации многослойной диэлектрической подложки. При этом одну часть отдельных диэлектрических слоев подложки изготавливают со сквозным отверстием, сечением соразмерным активному тепловыделяющему компоненту с превышением не более 0,5 мм, другую часть - с меньшим сечением при соотношении их площади сечения 1,4-10 соответственно, сквозные отверстия последних заполняют материалом металлизационного покрытия, а при формировании последовательности многослойной диэлектрической подложки с ее лицевой стороны располагают отдельные диэлектрические слои с большим сечением, с обратной стороны - с меньшим. Изобретение обеспечивает повышение технологичности и электрических характеристик. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
Изобретение относится к пайке, а более конкретно, к флюсам для пайки и лужения особолегоплавкими припоями

 


Наверх