Патенты автора Штурмин Александр Александрович (RU)
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления тонкопленочных чип-резисторов, резистивных матриц, а также гибридных интегральных схем с резисторами в производстве радиоэлектронной аппаратуры различного назначения. Техническим результатом является повышение надежности резисторов за счет увеличения до максимально возможной поверхности контактирования проводникового и резистивного слоев по их периметру в области контактных площадок резисторов и расположения контактных площадок резисторов на обеих поверхностях подложки. Способ изготовления включает травление окон в диэлектрическом слое заготовки из лакофольгового диэлектрика до слоя медной фольги, осаждение в эти окна гальванической меди, вакуумное напыление на диэлектрический слой подложки резистивных и проводникового слоев, формирование из них в области окон в диэлектрическом слое заготовки резистивных элементов и контактных площадок к ним, которые представляют собой многослойную структуру из медной фольги, гальванической и вакуумной меди, внутри которой осуществляется электрический контакт проводникового и резистивного слоев по всему периметру. 3 ил.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ УЗЛОВ // 2575641
Изобретение относится к способу внутреннего монтажа электронных компонентов (ЭК) для создания планарных радиоэлектронных узлов (РУ) на основе гибко-жестких плат. Технический результат - повышение эксплуатационной надежности планарных РУ, создание надежной коммутации трех и более слоев платы, увеличение процента выхода годных узлов. Достигается тем, что на жесткой плате формируют окна, соответствующие с определенным допуском размерам кристаллов, монтируемых в эти окна. Причем верхняя сторона кристаллов, содержащая контактные площадки интегральной схемы, направлена вверх. Дополнительно с помощью фотошаблонов изготавливают однослойные гибкие платы (ГП), последовательно совмещают и разваривают контактные площадки кристаллов на проводники ГП через предварительно сформированные окна в диэлектрических слоях ГП. Затем ГП послойно совмещают с жесткой платой со сформированными в ее объеме окнами под ЭК, далее через окна в диэлектрических слоях ГП разваривают или распаивают однослойные ГП между собой и жесткой платой, обратные стороны ЭК и жесткой платы склеивают между собой клеевой пленкой, а на лицевую сторону наносят слой фоторезиста или другого защитного диэлектрика, образуя планарный РУ на основе многослойной гибко-жесткой платы. 8 ил.
Изобретение относится к радиоэлектронике, электронной аппаратуре как специального, так и бытового назначения, в частности к изготовлению многокристальных модулей, многослойных больших гибридных интегральных схем, многослойных печатных плат, гибких шлейфов
