Патенты автора Пржибельский Сергей Григорьевич (RU)

Изобретение относится к нанотехнологии и может применяться при изготовлении планарных двухэлектродных резистивных элементов запоминающих устройств. Способ получения резистивного элемента памяти включает в себя создание проводящих электродов на непроводящей подложке, напыление в зазор между электродами металлической пленки и последующий термический отжиг пленки. Во время напыления и термического отжига пленки контролируется ее сопротивление, причем напыление останавливают при уменьшении сопротивления до сотен кОм, а отжиг прекращают при резком увеличении сопротивления более чем в 106 раз. Способ обеспечивает четкий контроль готовности изделия во время его изготовления без контроля фактора покрытия, а также позволяет упростить процесс изготовления и увеличить производительность. 4 ил.

Изобретение относится к области изготовления поверхностных наноструктур и может быть использовано для изготовления устройств наноэлектроники, наноплазмоники, химических и биологических сенсоров, сенсоров на основе гигантского комбинационного рассеяния, СБИС и т.д

 


Наверх