Патенты автора НИСИХАРА Тосиюки (JP)
Изобретение относится к устройству формирования изображения, такому как датчик изображения CMOS, и к системе камеры. Техническим результатом является формирование изображений или измерение при низкой интенсивности, с низким уровнем шумов, даже при низкой освещенности и с широким динамическим диапазоном. Результат достигается тем, что устройство формирования изображения включает в себя: блок матрицы пикселов, выполняющий функцию блока приема света, который включает в себя устройства фотоэлектрического преобразования, и в котором множество пикселов, которые выводят электрические сигналы, когда падают фотоны, расположены в виде матрицы; блок чувствительной схемы, в котором множество чувствительных схем, которые принимают электрические сигналы от пикселов и выполняют двоичное определение в отношении того, произошло или нет падение фотонов на пиксели в заданный период, расположены в виде матрицы; и блок схемы интегрирования результата определения, имеющий функцию интегрирования множества результатов определения чувствительных схем для соответствующих пикселов или для каждой группы пикселов, в котором блок схемы интегрирования результата определения выводит количество попавших фотонов на блок приема света, путем выполнения подсчета фотонов, для интегрирования множества результатов определения во множестве пикселов. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 17 ил.
Изобретение относится к формирователям сигналов изображения. Техническим результатом является уменьшение эффективной емкости затвора усиливающего транзистора без изменения площади затвора для значительного уменьшения общей паразитной емкости. Результат достигается тем, что элемент 200 изображения содержит скрытый фотодиод 111, усиливающий транзистор 114 и передаточный транзистор 112. Передаточный транзистор 112 передает заряд, полученный за счет фотоэлектрического преобразования с помощью фотодиода 111, к затвору усиливающего транзистора 114. Усиливающий транзистор 114 формирует схему истокового повторителя, входом которого является затвор усиливающего транзистора 114, выходом - истоковая область. Усиливающий транзистор 114 сформирован во второй полупроводниковой подложке 206, по меньшей мере, электрически изолированной от первой полупроводниковой подложки 202, в которой сформированы скрытый фотодиод и передаточный транзистор. Подложка усиливающего транзистора соединена с истоком усиливающего транзистора. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 18 ил.
Изобретение относится к изобретение относится к устройствам формирования изображения. Техническим результатом является исключение обработки аналоговых сигналов, чтобы устранить шум в схеме, возникающий в AD преобразователе и при обработке аналоговых сигналов, без уменьшения числа диафрагмы пикселей. Результат достигается тем, что устройство формирования изображения включает в себя: блок матрицы пикселей, имеющий массив пикселей, каждый из которых имеет устройство фотоэлектрического преобразования и выводит электрический сигнал в соответствии с входным фотоном; блок чувствительной схемы, имеющий множество схем датчика, каждая из которых выполняет двоичный выбор, поступил ли входной фотон в пиксель в заданный период после приема электрического сигнала от него; и блок IC результата решения, который интегрирует результаты решения, полученные из чувствительных схем, пиксель за пикселем или для каждой группы пикселей, множество раз для генерирования отображаемых данных с градацией, причем блок IC результата решения включает в себя схему подсчета, которая выполняет обработку подсчета, чтобы интегрировать решение, полученное из чувствительных схем, и запоминающее устройство, предназначенное для сохранения результата подсчета для каждого пикселя из схемы подсчета, причем множество чувствительных схем совместно используют схему подсчета для интегрирования результатов решения. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 31 ил.
Изобретение относится устройствам формирования изображения. Техническим результатом является повышение чувствительности устройства формирования изображения. Результат достигается тем, что схема пиксела содержит первый, второй и третий полевые транзисторы, объединенные и соединенные последовательно между осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом и одной стороной схемы усиления. Первый и второй полевые транзисторы содержат электроды затворов, подлежащие одновременному совместному возбуждению. Пороговое напряжение первого полевого транзистора установлено выше порогового напряжения второго полевого транзистора. При поэтапном возбуждении электродов затворов электроны, сгенерированные осуществляющим фотоэлектрическое преобразование элементом и передаваемые через первый полевой транзистор, накапливаются в канальной области второго полевого транзистора. Электроны, накапливаемые в канальной области, передаются на вход схемы усиления через третий полевой транзистор. 6 н. и 11 з.п. ф-лы, 33 ил.
