Патенты автора Кох Александр Егорович (RU)

Изобретение относится к люминофорам с общей формулой АВС(ВО3)2, где А, В, С - катионы щелочных, щелочноземельных и редкоземельных металлов, излучающих свет в инфракрасной области. Фотолюминесцентный материал состава NaSrYb(BO3)2 излучает свет в инфракрасной области в диапазоне от 950 до 1050 нм и имеет пространственную группу P21/m моноклинной сингонии, параметры решетки а=9.0561(6) b=5.29230(5) с=6.4267(4) β=118.528(4)°. Способ получения фотолюминесцентного материала состава NaSrYb(BO3)2 методом двухстадийного твердофазного синтеза включает приготовление смеси компонентов, взятых в стехиометрическом соотношении, содержащих соответственно, мас.%: карбонат натрия Na2CO3 - 10,04, карбонат стронция SrCO3 - 27,97, Yb2O3 - 37,33 и борную кислоту Н3ВО3 - 24,66. Смесь нагревают на первой стадии до 650°С не менее 5 ч, перетирают до получения однородной массы, затем нагревают на второй стадии до 900°С не менее 12 ч. Группа изобретений обеспечивает расширение арсенала материалов, обладающих фотолюминесцентными свойствами. 2 н.п. ф-лы, 4 ил., 1 пр.

Изобретение относится к получению экологически чистых источников света и люминофоров. Нелинейно-оптический и фотолюминесцентный материал редкоземельного скандобората самария состава Sm0,78Sc3,22(BO3)4 нецентросимметричной моноклинной структуры имеет пространственную группу Сс с параметрами решетки а=7,6819 Å, b=9,8088 Å, с=11,9859 Å, β=105,11, обеспечивает генерацию второй гармоники при накачке на длине волны 1064 нм, излучает свет от 550 нм до 750 нм. Для получения указанного материала методом спонтанной кристаллизации готовят исходную смесь, состоящую из компонентов Sm0,78Sc3,22(BO3)4, взятых в соотношении Sm:Sc=0,3:0,7, содержащую оксид самария Sm2O3, оксид скандия Sc2O3, борную кислоту Н3ВО3, карбонат лития Li2CO3, фторид лития LiF, и компонентов флюса, взятых в соотношении 0,59LiBO2:0,41LiF. Нагревают исходную смесь до 1000°С для получения раствор-расплава, в который вводят платиновую петлю. Снижают температуру со скоростью 20°С/ч до появления первых кристаллов и выращивают спонтанные кристаллы в интервале 910-870°С со скоростью снижения температуры 2°С/сутки. Изобретение позволяет расширить арсенал материалов, обладающих нелинейно-оптическими и фотолюминесцентными свойствами, на основе редкоземельных скандоборатов самария стабильной структуры. 2 н.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.

Изобретение относится к фотолюминесцентному материалу на основе скандобората самария формулы SmSc(BO3)2, излучающего свет от 566 до 708 нм, кристаллизующегося в тригональной сингонии с пространственной группой с параметрами элементарной ячейки а = 4.8923(4) , с = 16.3003(13) . Скандоборат выращен методом спонтанной кристаллизации из собственного расплава смеси исходных компонентов, взятых в стехиометрическом соотношении. Изобретение обеспечивает расширение арсенала материалов, обладающих фотолюминесцентными свойствами. 3 ил., 1 пр.

Изобретение относится к химической промышленности. Фотолюминесцентный материал на основе сложного бората, допированного тербием, относится к пространственной группе Р-1 триклинной сингонии, имеет состав Li3Ba4Sc3B8O22:0,1Tb3+, параметры решетки а=5,2231 b=8,5640 с=11,4209 α=73,362°, β=78,566°, γ=87,037° и излучает свет в диапазоне от 380 до 620 нм. Готовят смесь компонентов, соответствующую формульному составу Li3Ba4Sc3Tb0,1B8O22, содержащую Li2CO3, BaCO3, H3BO3, Sc2O3, Tb4O7. Полученную смесь выдерживают при температуре 600-650 °С в течение суток. Отожженный продукт перетирают и повторно нагревают до 850-870 °C. Расширяется арсенал фотолюминесцентных материалов на основе сложных боратов. 3 ил., 1 пр.
 // 

Изобретение относится к способу получения на основе минерального сырья доломита (CaMg(CO3)2) и диоксида кремния (чистого кварцевого песка) диопсидного стекла, близкого к составу MgCaSi2O6, с различными функциональными свойствами, в частности, для получения люминесцентных и окрашенных диопсидных стекол с добавками редкоземельных оксидов, которые могут быть использованы для изготовления изделий промышленного, ювелирного и декоративно-художественного назначения. Способ включает подготовку шихты термообработкой смеси из минерального сырья доломита и диоксида кремния в мольном соотношении 1:2 в открытом алундовом тигле путем нагрева до 1200°С, плавку подготовленной шихты в стеклоуглеродном тигеле в инертной атмосфере с использованием высокочастотного нагрева с перегревом расплава до 1600-1700°С до осветления расплава и закалку расплава в режиме выключенной печи. Редкоземельные оксиды, такие как празеодим, неодим, самарий, европий, тербий или диспрозий, вводят в состав подготовленной шихты в количестве 1-30 мас.%. Применение доломита упрощает подготовку шихты, поскольку доломит содержит в своем составе соотношение кальция и магния, близкое как в диопсиде и необходимое для получения диопсидного стекла. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 табл., 3 ил.

Изобретение может быть использовано при изготовлении экологически чистых источников света. Сначала готовят исходную смесь следующих компонентов, мол.%: карбонат калия K2CO3 - 12,5; карбонат кальция CaCO3 - 25; борную кислоту Н3ВО3 - 50 и оксид редкоземельного элемента неодима Nd2O3 - 12,5. Полученную смесь отжигают при 650°C в течение суток. Затем отожженный порошок перетирают, таблетируют, повторно нагревают до 850°C и выдерживают при этой температуре 8-12 ч. Полученный фотолюминесцентный материал редкоземельного ортобората имеет состав KCaNd(BO3)2, пространственную группу Pbca орторомбической сингонии, параметры решетки , Z=8 и излучает свет в диапазоне 850-1080 нм. Изобретение позволяет расширить арсенал материалов, обладающих фотолюминесцентными свойствами. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к использованию минерального сырья хромдиопсида (магний-кальциевый силикат состава MgCaSi2O6, содержащий примесь хрома) для получения ювелирного поделочного материала в виде плавленых цветных однородных окрашенных стеклообразных образцов. Зеленое хромдиопсидовое стекло получают плавлением с использованием высокочастотного нагрева минерального хромдиопсидового сырья в стеклоуглеродном тигле в инертной атмосфере с последующим перегревом расплава до температуры 1600°С, выдержкой расплава при этой температуре до его осветления и закалкой расплава выключением высокочастотного нагрева, обеспечивающим в течение до трех минут охлаждение расплава до 600°С. Синее хромдиопсидовое стекло получают плавлением с использованием высокочастотного нагрева минерального хромдиопсидового сырья в стеклоуглеродном тигле в инертной атмосфере с последующим перегревом расплава до температуры 1700°С, выдержкой расплава при этой температуре до его осветления, снижением температуры расплава до 1600°С и последующей закалкой расплава выключением высокочастотного нагрева, обеспечивающим в течение до трех минут охлаждение расплава до 600°С. Техническим результатом является получение ювелирного поделочного материала в виде прозрачных стеклообразных однородных окрашенных образцов хромдиопсида зеленого и синего цвета с сохранением свойств, присущих хромдиопсиду, для поделочных материалов. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к получению монокристаллов метабората бария ΒaΒ2O4 (ВВО), применяемых в лазерных системах. Рост кристалла ВВО осуществляют в прецизионной нагревательной печи, обладающей высокой симметрией и стабильностью теплового поля из высокотемпературного раствора-расплава, включающего расплав бората бария ΒaΒ2O4 и комплексный растворитель на основе эвтектического состава LiF - NaF с избытком B2O3 от 3 до 7 вес. %, на вращающуюся ориентированную по направлению [0001] затравку, при скорости вытягивания кристалла от 0,15 до 0,4 мм/сутки с одновременным охлаждением раствора-расплава со скоростью от 0,3 до 1 град/сутки. Технический результат - увеличение размеров кристаллов ВВО и повышение коэффициента выхода с сохранением их оптического качества. 2 ил., 1 пр.

Изобретение относится к области получения кристалла трибората лития LiB3O5 (LBO), являющегося высокоэффективным нелинейно-оптическим материалом, применяющимся для пассивного преобразования частоты лазерного излучения. Способ выращивания кристалла трибората лития включает загрузку начальной шихты в ростовой тигель, ее расплавление и гомогенизацию, приведение точки с наименьшей температурой на поверхности раствор-расплава в центр тигля, введение ориентированного затравочного кристалла в контакт с поверхностью раствор-расплава в центре тигля, поиск равновесной температуры и последующее разращивание кристалла при снижении температуры в трехзонной ростовой печи, средняя и нижняя зоны которой состоят из восьми нагревательных элементов, коммутация по времени которых обеспечивает управление конвективными потоками в расплаве. Разращивание кристалла ведут при понижении температуры на нижней зоне относительно средней и верхней зон таким образом, чтобы в конце ростового цикла температурный интервал снижения нижней зоны увеличился на 5-10%. При этом по первому варианту разращивание ведут при увеличении в процессе роста времени отключения 2, 3, 6 и 7 нагревательных элементов средней и нижней зон, расположенных по кристаллографическому направлению "b", с 5 до 7 секунд и с 20 до 23 секунд соответственно, при одновременном дополнительном уменьшении времени отключения 1, 4, 5 и 8 нагревательных элементов средней и нижней зон, расположенных по кристаллографическому направлению "а", с 5 до 3 секунд и с 20 до 17 секунд соответственно. По второму варианту разращивание кристалла ведут при изменении в процессе роста времени отключения 5 и 8 нагревательных элементов нижней зоны с 30 до 35 секунд, 6 и 7 с 30 до 37 секунд, 1 и 4 с 30 до 27 секунд и 2 и 3 с 30 до 23 секунд. По третьему варианту разращивание кристалла ведут при увеличении в процессе роста времени отключения 1, 8, 4 и 5 нагревательных элементов средней и нижней зон, расположенных по кристаллографическому направлению "а", с 6 до 11 секунд и с 30 до 37 секунд соответственно, и при одновременном уменьшении времени отключения 2, 3, 6 и 7 нагревательных элементов средней и нижней зон, расположенных по кристаллографическому направлению "b", с 6 до 1 секунды и с 30 до 23 секунд соответственно. Достигаемый технический результат: создание в процессе разращивания кристалла динамически изменяющихся, ассиметричных тепловых полей путем управления тепловыми потоками в расплаве от нагревательных элементов ростовой печи и получение кристаллов LBO необходимых размеров в заданных кристаллографических направлениях, обеспечивающих возможность изготовления нелинейно-оптических элементов увеличенных размеров для различных типов преобразования лазерного излучения. 3 н.п. ф-лы, 11 ил., 2 табл., 5 пр.

Изобретение может быть использовано в неорганической химии, в производстве фотокатализаторов, полупроводников и сенсорных материалов. Способ получения частиц хлорида серебра включает обменную реакцию между солями, одна из которых - серебросодержащая, а вторая – хлорсодержащая. Осуществляют механохимическую активацию реакционной смеси. Реакционную смесь разбавляют водорастворимым нецелевым продуктом обменной реакции. Изобретение позволяет упростить выделение частиц хлорида серебра, снизить степень их агрегации, уменьшить продолжительность синтеза. 1 табл., 4 пр.

Изобретение относится к нелинейной оптике. Нелинейный анизотропный кристалл трибората лития LiB3O5 (LBO) применяют в качестве активной среды для генерации излучения терагерцового диапазона 0.3-10 ТГц (1000-30 мкм) путем обеспечения выполнения условий фазового синхронизма при генерации разностной частоты излучения лазеров, работающих в области максимальной прозрачности 0.155-3.2 мкм, при реализации трехчастотных взаимодействий в главной плоскости XZ, выборе соответствующих длин волн излучений первого и второго источников накачки и углового позиционирования кристалла в соответствии с результатами расчетов по дисперсионным уравнениям Технический результат заключается в обеспечении возможности получения генерации излучения в важном, с точки зрения практических приложений, спектральном диапазоне. 5 ил.

Изобретение относится к материалам для поляризационных оптических устройств, которые могут быть использованы для получения линейно-поляризованного света в оптико-электронных приборах: поляриметрах, эллипсометрах, дихрометрах, фотоэлектрических автоколлиматорах, модуляторах световых потоков, устройств индикации, отображения и хранения информации, элементов памяти. Кристалл LiBa12(BO3)7F4, характеризуемый наличием эффекта избирательного поглощения - эффектом дихроизма в видимой области спектра, выращен из раствор-расплава исходных компонентов, взятых в соотношении 0,30 ВаСО3 : 0,30 BaF2 : 0,30 Н3ВО3 : 0,10 Li2CO3 на затравку методом снижения температуры раствор-расплава от 910°С до 888°С при скорости снижения температуры 1,2-1,5°С/сут и одностороннем вращении кристалла со скоростью 1,0-2,0 об/мин. Технический результат заключается в получении эффективной среды для линейной дихроичной поляризации, оптическое качество которого обеспечивает изготовление пластин, обеспечивающих получение поляризованного света в видимой области спектра. 4 ил., 1 пр.

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов парателлурита методом Чохральского, которые могут быть использованы при изготовлении поляризаторов в ближней ИК-области. Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы из расплава включает наплавление порошка диоксида теллура в платиновый тигель, создание необходимого осевого распределения температуры, обеспеченного градиентом температуры 1-2 град/см над расплавом, скачком в 2-3 град на границе раздела воздух-расплав, повышением температуры на 2-3 градуса до глубины 2 см и постоянством температуры по всей оставшейся толщине расплава, нахождение равновесной температуры при касании затравочным кристаллом поверхности расплава, рост кристалла при его вращении и вытягивании с заданным изменением площади поперечного сечения с использованием системы весового автоматического контроля и нагревательной печи с четырьмя независимыми нагревательными элементами по вертикали, отрыв кристалла от расплава и охлаждение кристалла до комнатной температуры, при этом используют печь, в которой средние нагревательные элементы выполнены в виде трех одинаковых сегментов по 120 градусов каждый, а рост кристалла ведут в условиях неоднородного радиального разогрева расплава повышением на 1-2 градуса температуры в 120-градусном секторе в нижней части ростового тигля. Изобретение позволяет получить крупногабаритные кристаллы парателлурита (массой до 1,8 кг) с пониженным светорассеянием и полностью свободные от газовых включений. 2 н. п. ф-лы, 4 ил., 1 табл., 1 пр.

Изобретение относится к выращиванию крупных кристаллов, предназначенных для использования в приборах квантовой электроники. Способ выращивания кристалла методом Киропулоса из расплава или из раствор-расплава включает рост кристалла на затравку, зафиксированную в кристаллодержателе и расположенную сверху в центральной точке поверхности расплава, разращивание кристалла в ростовом тигле при медленном снижении температуры и охлаждение выросшего кристалла, при этом по окончании ростового цикла оставшийся в тигле расплав или раствор-расплав сливают через нагретую с помощью дополнительного нагревателя трубку, расположенную в донной части тигля, а выросший кристалл, сохраняющий свое положение после окончания ростового цикла, охлаждают в тигле, освобожденном от расплава. Технический результат - предотвращение растрескивания выросшего кристалла из-за термоупругих напряжений, возникающих в момент подъема кристалла, а также деформации платинового тигля расплавом при его медленном охлаждении. Получают кристалл, например, трибората лития размером 150×130×80 мм, оптически качественная часть которого составляет 80-90% объема выросшего кристалла. 2 ил.

 


Наверх