Патенты автора ЧАН Цзуй-Фэнь (GB)
ФОРМИРОВАНИЕ РИСУНКА // 2518084
Изобретение относится к способу формирования рисунка электронного или фотонного материала на подложке, применению фторполимера в приготовлении снабженного рисунком электронного или фотонного материала на подложке, способу изготовления электронного прибора на подложке, а также к электронному или фотонному прибору. Способ формировании рисунка электронного или фотонного материала на подложке включает: образование пленки упомянутого электронного или фотонного материала на упомянутой подложке и использование фторполимера для защиты областей упомянутого электронного или фотонного материала во время процесса формирования рисунка. Технический результат - разработка способа формирования рисунка высокого разрешения, который применяется для широкого круга обрабатываемых в растворах органических материалов и легко интегрируется во все обычные архитектуры тонкопленочных транзисторов (TFT) без нарушения рабочих характеристик приборов. 6 н. и 38 з.п.ф-лы, 18 ил.
Изобретение относится к способу формирования рельефа из электронных и фотонных материалов и структурам и устройствам, изготовленным с использованием этого способа. Способ формирования рельефа из электронного или фотонного материала на подложке включает обработку поверхности подложки путем осаждения слоя модификации поверхностной энергии и структурирования упомянутого слоя модификации поверхностной энергии, чтобы обеспечить упомянутую поверхность рисунком, определяющим, где должен присутствовать упомянутый электронный или фотонный материал, формирование пленки из упомянутого электронного или фотонного материала на упомянутой подложке, причем пленка заполняет упомянутый рисунок, перекрывает края упомянутого рисунка и имеет области, простирающиеся за упомянутые края упомянутого рисунка, и наслоение адгезива на нижележащий материал и отрывание указанного адгезива для избирательного удаления областей упомянутого электронного или фотонного материала из упомянутой пленки с оставлением на упомянутой подложке упомянутого структурированного электронного или фотонного материала и упомянутого слоя модификации поверхностной энергии. Изобретение обеспечивает создание новой простой технологии формирования рельефа, которая позволяет структурировать полупроводниковые полимеры с высоким разрешением. 7 н. и 22 з.п. ф-лы, 6 ил.
