Патенты автора Зарезов Максим Александрович (RU)
Изобретение относится к водной композиции для химико-механического полирования (ХМП) поверхности полупроводниковых материалов, в частности Ge, GaAs, PbTe, CdSb, InAs, ZnAs2 и др. Предложена композиция для ХМП при следующем соотношении компонентов в мас. %: наноразмерные частицы коллоидного диоксида кремния 5-30; моноэтаноламин 5,5-10; перекись водорода (20-30%) 3-4; глицерин 2-4; дистиллированная вода - остальное. Технический результат – предложенная композиция позволяет получить бездефектные зеркально гладкие (нано- и субнаношероховатые) поверхности полупроводниковых материалов без царапин и сколов и улучшить качество подложек в различных производственных процессах при изготовлении элементной базы. 2 з.п. ф-лы, 1 табл.
АППАРАТ ВИХРЕВОГО СЛОЯ // 2524727
Изобретение относится к химической промышленности, энергетике и может быть использовано для очистки промышленных и бытовых стоков. Аппарат вихревого слоя содержит сменный картридж (2) из немагнитного материала со вставками из ферромагнитного материала, установленный в активной зоне трубы (4). Картридж (2) представляет собой цилиндр, закрытый с торцов вихревыми диффузорами с лопастями (7), перекрывающими друг друга, внутри которого установлен стержень (9). В реакционной камере (6) находятся ферромагнитные частицы. Электромагнитный индуктор (1) создает в рабочей зоне вращающееся магнитное поле. Изобретение позволяет повысить эффективность и качество обработки жидкости, а также упростить эксплуатацию аппарата. 3 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к очистке поверхности полупроводниковых пластин от органических загрязнений и получению пористой поверхности кремния при изготовлении различных структур. Очистку от органических загрязнений и получение пористой поверхности полупроводниковых пластин осуществляют совместно в одну стадию в растворах HBF4 или NH4HF2, активированных озоном высокой концентрации 17% и выше. Травление полупроводниковых пластин осуществляют в концентрированных, более 10%, растворах HBF4 или NH4HF2. Применение предложенного способа очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин в растворах HBF4 или NH4HF2, активированных озоном высокой концентрации, позволит упростить технологию, понизить температуру процесса очистки, снизить энергоемкость, сократить число стадий и время обработки пластин, повысить экологическую безопасность очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 ил.
Изобретение относится к технологии электрохимических производств, в частности к конструкции электролизеров для получения водорода и озон-кислородной смеси, и может найти применение для нужд энергетики (охлаждение водородных генераторов на ТЭЦ, ГРЭС и АЭС), электроники (очистка поверхности полупроводниковых пластин). Электролизер для получения водорода и озон-кислородной смеси содержит анод и катод цилиндрической формы, расположенные коаксиально и скрепленные сверху и снизу фторопластовыми деталями, обеспечивающими подачу электролита и отвод электролита и газа, при этом корпусом служит катод, а анод расположен внутри катода. Анод выполнен в виде электропроводящей никелевой трубы со стеклоуглеродным покрытием, катод изготовлен из нержавеющей стали с никелевым покрытием или никеля, в качестве охлаждающей жидкости используют электролит, при этом электролизер связан с насосом, рефрижератором, емкостью с рабочим электролитом, дозирующим насосом, емкостью с концентратом электролита и деионизированной водой, а также с блоком анализа качества электролита.
Технический результат - упрощение конструкции электролизера, увеличение удельной производительности, снижение материалоемкости, обеспечение надежности, простоты монтажа и эксплуатации. 2 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к очистке поверхности полупроводниковых пластин кремния от механических и органических загрязнений, и может найти применение в микроэлектронике, радиотехнической, электротехнической и других отраслях промышленности. Сущность изобретения: очистку поверхности полупроводниковых пластин осуществляют в ванне с моющим бифторидным раствором, активированным концентрированным озоном и ультразвуком при комнатной температуре с последующей промывкой в деионизованной воде. Изобретение обеспечивает создание высокоэффективного, ресурсо- и энергосберегающего, экологически чистого и безопасного способа очистки поверхности полупроводниковых пластин от органических и металлических загрязнений и сокращение времени обработки пластин. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
