Патенты автора Малышев Илья Николаевич (RU)

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству низкоомных чип-резисторов, которые могут быть использованы в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в частности для применения в качестве датчиков тока. Технический результат предложенного устройства заключается в создании низкоомного чип-резистора со значением ТКС, которое не превышает целевого значения при заданном значении сопротивления. Технический результат достигается за счет того, что предложен низкоомный чип-резистор, включающий резистивную пластину с контактами на концах, с покрытием из изолирующего материала между контактами и гальваническим покрытием на контактах, при этом участок низкоомного чип-резистора, состоящий из контакта с гальваническим покрытием и смежной с контактом части резистивной пластины, образует вывод чип-резистора, а контакты имеют конфигурацию, при которой общее сопротивление выводов удовлетворяет математической зависимости. 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству низкоомных чип-резисторов, которые могут быть использованы в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в частности для применения в качестве датчиков тока. Технический результат предложенного устройства заключается в создании низкоомного чип-резистора со значением ТКС, которое не превышает целевого значения при заданном значении сопротивления. Технический результат достигается за счет того, что предложен низкоомный чип-резистор, включающий резистивную пластину с контактами на концах, с покрытием из изолирующего материала между контактами и гальваническим покрытием на контактах, при этом участок низкоомного чип-резистора, состоящий из контакта с гальваническим покрытием и смежной с контактом части резистивной пластины, образует вывод чип-резистора, а контакты имеют конфигурацию, при которой общее сопротивление выводов удовлетворяет математической зависимости. 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству низкоомных чип-резисторов, которые могут быть использованы в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в частности для применения в качестве датчиков тока. Технический результат предложенного способа заключается в возможности изготовления чип-резисторов со значением ТКС, которое не превышает целевого значения при заданном значении сопротивления. Способ изготовления низкоомного чип-резистора включает резистивное формирование на концах резистивной пластины контактов и подгонку ее сопротивления, между контактами на резистивной пластине формируют покрытие из изолирующего материала, на контакты наносят гальваническое покрытие с образованием выводов чип-резистора, каждый из которых состоит из контакта с гальваническим покрытием и смежной с контактом части резистивной пластины, при формировании контактов проводят процедуру минимизации переходных сопротивлений между контактами и резистивной пластиной путем снятия окисных пленок с поверхности резистивной пластины, а контакты формируют такой конфигурации, при которой общее сопротивление выводов выбрано из математической зависимости. 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в том числе мощных, высокочастотных цепях. В пленочном резисторе, включающем диэлектрическую подложку и сформированную на ней многослойную пленку резистивных материалов, размещенную на теплоотводящем основании, многослойная пленка резистивных материалов включает резистивный слой, адгезионный слой, контактный и пассивирующий слои, размещенные на резистивном, при этом на указанной многослойной пленке размещены защитный и маркировочный слои. Технический результат заключается в улучшении температурного коэффициента сопротивления пленочных резисторов. 1 табл., 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в том числе мощных высокочастотных цепях. В способе изготовления тонкопленочного резистора, включающем напыление резистивного слоя и формирование многослойной проводящей структуры, после напыления резистивного слоя и формирования многослойной проводящей структуры формируют пассивирующую пленку на основе исходного компонента резистивного слоя. Технический результат от использования изобретения заключается в улучшении температурного коэффициента сопротивления за счет формирования пассивирующей пленки на основе исходного компонента резистивного слоя. 1 ил.

Изобретение относится к области гальванотехники, в частности к оборудованию для нанесения химических и гальванических покрытий, и служит для гальванохимической обработки мелких деталей россыпью, в частности для нанесения гальванического покрытия на охватывающие контакты чип-резисторов. Линия содержит последовательно установленные ванны технологических операций обезжиривания, промывок, травления, нанесения покрытий - слоев никеля и припоя, а также средство межоперационного транспортирования обрабатываемых деталей, при этом ванны нанесения покрытий снабжены автоматическими блоками точного поддержания температуры, оборудованы манипулятором с подвесками-вибраторами корзин, выполненных со сливными пробками с перфорацией, закрытых мелкоячеистой сеткой, для нанесения покрытий на детали вибрационным перемешиванием, а также ванной каскадной противоточной промывки. Технический результат: получение покрытий с необходимыми свойствами для мелких деталей радиоэлектронной промышленности, уменьшение объема сточных и промывных вод, размещение гальванической линии на малой производственной площади. 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности. В способе изготовления толстопленочных резисторов, включающем последовательное нанесение методом трафаретной печати на изолирующую подложку проводникового и резистивного слоев с последующими сушкой и вжиганием в воздушной атмосфере, на резистивный слой дополнительно наносят основной защитный слой методом трафаретной печати с последующим вжиганием, затем после лазерной подгонки сопротивления резисторов наносят дополнительный защитный слой методом трафаретной печати, затем формируют охватывающие контакты посредством напыления слоя никеля с подслоем титана с последующим горячим лужением припоем. Технический результат от использования изобретения заключается в повышении выхода годных резисторов с одновременным повышением технических характеристик резисторов. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 табл.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности. В способе изготовления чип-резисторов, включающем формирование резистивного слоя путем напыления с последующей фотолитографией, формирование планарных контактов на лицевой стороне подложки, лазерную подгонку, формирование защитного слоя, разделение подложки на полосы, формирование торцевых контактов по тонкопленочной технологии, нанесение припоя, разделение полос на чипы, планарные контакты на лицевой стороне подложки формируют по тонкопленочной технологии, а планарные контакты на тыльной стороне подложки формируют одновременно с торцевыми контактами, дополнительно введены операции термообработки, термотренировки, подгонки в чипах, импульсной тренировки и термоэлектротренировки, при этом термообработку осуществляют после формирования резистивного слоя, термотренировку, подгонку в чипах, импульсную тренировку, формирование защитного слоя и термоэлектротренировку проводят после разделения на чипы. Технический результат заключается в улучшении эксплуатационных характеристик и в повышении технологичности. 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности. В способе изготовления толстопленочных резисторов, включающем последовательное нанесение методом трафаретной печати на изолирующую подложку проводникового и резистивного слоев с последующими сушкой и вжиганием в воздушной атмосфере, на резистивный слой дополнительно наносят слой высокотемпературной защитной пасты методом трафаретной печати с последующим вжиганием, затем после лазерной подгонки сопротивления резисторов наносят дополнительный защитный слой методом трафаретной печати, затем формируют охватывающие контакты посредством нанесения низкотемпературной проводниковой пасты с последующей сушкой и гальваническим осаждением слоев никеля и припоя. Технический результат заключается в повышении выхода годных резисторов с одновременным повышением технических характеристик резисторов. 1 з.п. ф-лы, 2 табл., 1 ил.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности. В способе изготовления чип-резисторов, включающем формирование резистивного слоя путем напыления с последующей фотолитографией, формирование планарных контактов на лицевой стороне подложки, лазерную подгонку, формирование защитного слоя, разделение подложки на полосы, формирование торцевых контактов по тонкопленочной технологии, нанесение припоя, разделение полос на чипы, планарные контакты на лицевой стороне подложки формируют по тонкопленочной технологии с использованием фотолитографии, а планарные контакты на тыльной стороне подложки формируют одновременно с торцевыми контактами, дополнительно введены операции термообработки, термотренировки и импульсной тренировки, при этом термообработку осуществляют после формирования резистивного слоя, термотренировку и импульсную тренировку проводят после разделения полос на чипы, а также повышение технологичности. 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области измерения характеристик материалов и может быть использовано для определения диэлектрической проницаемости изоляционных композитных и других материалов. Способ основан на измерении комплексного коэффициента отражения электромагнитных волн от отрезка линии передачи, на конце которого устанавливают калибровочные меры и испытуемый образец материала, с последующей обработкой материалов. На входе отрезка линии передачи с волновым сопротивлением Zв параллельно ему подключают резистивный элемент с сопротивлением R=(0,1-0,2)Zв, по результатам калибровочных измерений определяют параметры рассеяния цепи, соединяющей плоскость измерения коэффициента отражения с плоскостью подключения испытуемого участка линии с испытуемым образцом. Обрабатывая массив данных, находят диэлектрическую проницаемость и тангенс угла потерь испытуемого материала. Предложено устройство для осуществления способа. Технический результат заключается в повышении точности определения диэлектрической проницаемости в широком диапазоне частот. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл.

Изобретение относится к технике испытаний электронных компонентов в полосковых линиях передачи в СВЧ диапазоне с помощью векторного анализа цепей компонентов. Устройство для испытаний электронных компонентов в полосковом тракте, содержащее установленные на основании неподвижную стойку и подвижную по его продольной оси стойку, в которых закреплены коаксиально-полосковые переходы, блок установки измерительного или калибровочного узла с испытываемым электронным компонентом, отличающееся тем, что блок установки измерительного или калибровочного узла с испытываемым электронным компонентом выполнен в виде размещенной между стойками, подвижной вдоль оси основания каретки с площадкой для установки этого узла, а стойки снабжены микровинтами для позиционирования и регулирования силы прижатия выходов центральных проводников коаксиально-полосковых переходов к микрополосковым проводникам измерительного или калибровочного узла. Технический результат заключается в упрощении конструкции и повышении точности измерений. 1 ил.
Мы будем признательны, если вы окажете нашему проекту финансовую поддержку!

 


Наверх