Патенты автора КРИШНАН Сиддарт А. (US)

Изобретение относится к получению многослойной затворной структуры для полевого транзистора. Сущность изобретения: способ получения многослойной затворной структуры для полевых транзисторов включает формирование металлсодержащего слоя непосредственно на первом слое нитрида титана TiN, покрывающем области полупроводниковой подложки, предназначенные для первого и второго типов полевых транзисторов, формирование защитного слоя путем нанесения второго TiN-слоя поверх металлсодержащего слоя, формирование рисунка на втором TiN-слое и металлсодержащем слое для покрытия только первой части первого TiN-слоя, покрывающей область, предназначенную для полевых транзисторов первого типа, вытравливание второй части первого TiN-слоя, оставшейся открытой при формировании рисунка, в то время как первая часть первого TiN-слоя остается защищенной от травления за счет ее закрытия по меньшей мере частью толщины металлсодержащего слоя, на котором сформирован рисунок, и формирование третьего TiN-слоя, покрывающего область полупроводниковой подложки, предназначенную для второго типа полевых транзисторов. Изобретение обеспечивает усовершенствование технологии получения многослойной затворной структуры. 3 н. и 24 з.п. ф-лы, 9 ил.

 


Наверх