Патенты автора Мустафаев Александр Сеит-Умерович (RU)

Изобретение относится к области атомно-эмиссионного анализа и касается способа измерения параметров спектральных линий при определении содержания примесей в металлах и сплавах. При осуществлении способа продувают образец потоком аргона высокой частоты, затем осуществляют зажигание периодического разряда и фокусировку излучения на входную щель спектрографа. Далее измеряют интенсивность аналитической линии путем суммирования величин оцифрованных зарядов отдельных пикселей фотодиодных приборов с зарядовой связью, на которые попадает изображение аналитической линии выбранного примесного элемента. Затем осуществляют расчет точной поправки к значению фона плазмы, после чего проводят компьютерное моделирование конфигурации кривой фонового излучения с учетом найденной точной поправки. Получают истинную интенсивность аналитической линии примесного элемента путем исключения сигнала, который соответствует интенсивности фонового излучения плазмы и строят градуировочные графики по двум стандартным образцам. Технический результат заключается в повышении точности и достоверности определения примесей в металлах и сплавах. 3 ил., 1 табл., 4 пр.

Изобретение относится к плазменной энергетике, к области модуляции тока и может быть использовано при разработке радиационно-стойкой высокотемпературной плазменной электроники для космических и наземных ядерных энергетических установок, систем экологической противорадиационной защиты, при создании низковольтных сильноточных цепей на объектах минерально-сырьевого комплекса при переработке радиоактивных полезных ископаемых. Способ бессеточной модуляции тока в неустойчивом режиме горения разряда включает выбор давления компонент газа из условия λе>d и горение разряда в бесстолкновительном режиме. Разряд зажигают в парах бинарной цезий-бариевой смеси, при этом размер межэлектродного зазора должен быть больше 1, далее в плазме возбуждают электронную неустойчивость Бурсиана-Пирса и формируют виртуальный катод, модулирующий ток, формирование которого происходит за время пробега электронов через зазор, а затем осуществляют управление процессом модуляции, причем регулирование уровня разрядного тока происходит в диапазоне от 1 до 10 А/см2 путем изменения сопротивления нагрузки R, а в диапазоне от 10 до 20 А/см2 путем изменения температуры эмиттера, изменение амплитуды тока и времени проводящего и запертого состояния осуществляют регулированием величины ЭДС источника Е и величины межэлектродного зазора d. Технический результат - возможность обеспечения полностью управляемой бессеточной модуляции тока плотностью до 20 А/см2 с частотой 5-20 кГц. 7 ил.

Изобретение относится к области диагностики плазмы и может быть использовано для исследований неравновесной анизотропной плазмы непосредственно в рабочих условиях широкого круга газоразрядных устройств: лазеров, плазмотронов, источников света, мощных стабилизаторов тока и напряжения, ключевых элементов, инверторов. Технический результат - определение набора параметров нейтральной (локальная температура) и электронной (транспортное сечение электрон-атомных столкновений и конвективная скорость) компонент плазмы. В исследуемом плазменном объекте регистрируют вторую производную ВАХ цилиндрического зонда, путем совместного использования экспериментальных данных и решения кинетического уравнения Больцмана реконструируют энергетические зависимости лежандровых компонент ФРЭС ƒ0, ƒ1 и ƒ2 и интеграла электрон-атомных столкновений S1 одновременно осуществляют точное измерение давления газа р и напряженности электрического поля Еz. Способ обеспечивает определение температуры Та нейтральной компоненты плазмы и параметров электронной компоненты - транспортного сечения электрон-атомных столкновений и конвективной скорости электронов 〈v〉конв. 5 ил.

Изобретение относится к плазменной энергетике к области стабилизации напряжения в высоковольтном диапазоне и может быть использовано в силовых цепях объектов наземной и космической ядерной энергетики, а также при разработке систем экологической аварийной защиты и контроля на атомных станциях, ядерных энергетических установках, подводных лодках. Технический результат - получение стабилизированного напряжения Uстаб в диапазоне от 10 до 100 B. Разряд создают непосредственно между катодом и управляющим электродом через отверстие в основном аноде, на основной анод подают отрицательный потенциал, а регулировку стабилизируемого напряжения в диапазоне от 10 до 100 B осуществляют изменением давления гелия либо отрицательного потенциала на основном аноде. 6 ил.

Изобретение относится к плазменной электронике к области подавления неустойчивостей характеристик плазменных приборов с отрицательным сопротивлением. Способ стабилизации электрических характеристик в газоразрядных приборах с отрицательным сопротивлением включает создание основного разряда между анодом и катодом. В приборе дополнительно устанавливают управляющий электрод, после основного разряда создают разряд между анодом и управляющим электродом и устанавливают ток управляющего электрода не более 0,05 А, при этом анод выполняют с отверстием, а управляющий электрод устанавливают соосно за анодом. Технический результат - получение стабильной анодной вольт-амперной характеристики. 3 ил.

 


Наверх