Патенты автора Винокуров Александр Александрович (RU)

Способ сравнительной оценки стойкости партий интегральных схем к электростатическому разряду // 2787306

Изобретение относится к испытаниям интегральных схем (ИС) и может быть использовано для определения стойкости партий ИС к электростатическому разряду (ЭСР) при изготовлении радиоэлектронной аппаратуры. Сущность: проводят механические испытания ИС, допустимые по техническим условиям, путем многократных ударов на выводы ИС. После механических испытаний произвольные выборки из партий ИС разделяют по крайней мере на три группы ИС, на ИС каждой группы воздействуют ЭСР до наступления отказа ИС и определяют число поданных разрядов на ИС. На одну группу ИС подают ЭСР напряжением не менее удвоенного предельно допустимого по техническим условиям. На другую группу ИС подают ЭСР повышенным напряжением на 100-300 В по сравнению с первой группой. Далее опять повышают напряжение ЭСР на 100-300 В для воздействия на следующую группу ИС в выборке. Затем определяют усредненное число воздействий ЭСР на ИС каждой группы. По наибольшему значению усредненного числа воздействий ЭСР оценивают стойкость партии ИС к ЭСР как более высокую. Технический результат: повышение достоверности оценки сравнительной надежности ИС. 1 табл., 2 ил.

Способ неразрушающей диагностики интегральных схем // 2743708

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для разбраковки интегральных схем (ИС) по критерию потенциальной надежности. Технический результат: повышение эффективности и достоверности разделения ИС на надежные и потенциально ненадежные. Сущность: при исследовании представительной выборки ИС частоту прямоугольных импульсов входного напряжения устанавливают близкой к предельной рабочей частоте ИС данного типа. Измеряют время нарастания выходного напряжения при изменении напряжения питания ИС от номинального до критического с шагом 0,2 В при двух температурах: комнатной температуре, близкой к 20°С, и повышенной температуре, близкой к 100°С. Определяют зависимость разности времени нарастания импульсов выходного напряжения Δτ(Uпит), измеренных при указанных температурах, от напряжения питания. Отбраковывают ИС как потенциально ненадежные по увеличению разности времени нарастания импульсов Δτ(Uпит) более чем на 10% от значения Δτ при критическом напряжении питания. 1 пр., 4 ил.

Способ сравнительной оценки партий транзисторов по качеству и надежности // 2739480

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых транзисторов, и может быть использовано для сравнительной оценки качества и надежности партий транзисторов одного типа как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях - изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Способ сравнительной оценки партий транзисторов по качеству и надежности состоит в том, что подготавливают одинаковые по численности выборки партий транзисторов, измеряют коэффициент передачи тока транзисторов в схеме с общим эмиттером при нормальной температуре около 20°С, затем проводят испытание транзисторов на безотказность в течение приблизительно 100 часов при повышенной температуре и измеряют коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при повышенной температуре, далее после выдержки транзисторов в течение по крайней мере 24 часов при нормальных условиях вновь измеряют коэффициент передачи тока транзисторов в схеме с общим эмиттером при нормальной температуре, по результатам выполненных измерений рассчитывают значения относительного изменения коэффициента передачи тока транзисторов сразу после их испытаний на безотказность К1 и после выдержки при нормальных условиях К2, затем в каждой выборке транзисторов вычисляют произведение П1 значений К1 всех транзисторов в выборке и произведение П2 значений К2 всех транзисторов в выборке, на основании измерений и расчетов как более качественная и надежная партия транзисторов оценивается партия транзисторов с наименьшими значениями произведений П1 и П2 соответствующей выборки транзисторов. Изобретение обеспечивает отбраковку потенциально ненадежных транзисторов без разрушающих воздействий. 2 табл.

Способ неразрушающего контроля качества сверхбольших интегральных схем по значению критического напряжения питания // 2696360

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для обеспечения качества и надежности сверхбольших интегральных схем (СБИС). Сущность: измеряют критическое напряжение питания при нормальной и повышенной температуре. СБИС предварительно программируют тестирующей программой для раздельного диагностирования блоков СБИС. Измеряют критическое напряжение питания выбранного блока путем подачи однократных тактирующих импульсов при пониженном напряжении питания и вывода результата через блок ввода/вывода при нормальном напряжении питания. Для представительной выборки СБИС измеряют зависимость критического напряжения питания от температуры в диапазоне 10÷85°С. На зависимости выделяют информативную область, ограниченную прямой, соответствующей минимально рабочему напряжению согласно ТУ для данного типа СБИС, и кривой измеренной зависимости критического напряжения питания от температуры. По площади этой информативной области оценивают надежность СБИС. Технический результат: возможность контроля качества и надежности программируемых СБИС типа микроконтроллеров и микропроцессоров. 2 табл., 1 ил.

СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ КЛАССА "СИСТЕМА НА КРИСТАЛЛЕ" ПО НАДЕЖНОСТИ // 2684681

Использование: для разбраковки ИС класса «система на кристалле» по критерию потенциальной надежности. Сущность изобретения заключается в том, что на представительной выборке ИС класса «система на кристалле» измеряют значения критических напряжений питания (КНП) отдельно для каждого функционального блока ИС при различных температурах (например, при 25°С, 50°С, 75°С и верхней допустимой для ИС данного класса температуре), строят графики усредненных по выборке зависимостей значений КНП от температуры для каждого функционального блока. ИС относят к надежным или потенциально ненадежным по степени отклонения индивидуальных температурных зависимостей КНП функциональных блоков ИС от усредненных по выборке. Технический результат: обеспечение возможности повышения эффективности способа. 1 ил., 1 табл.

СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ПО НАДЕЖНОСТИ // 2537104

Изобретение относится к электротехнике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС) как логических, так и аналоговых. Сущность изобретения заключается в том, что на представительной выборке проводят измерение критического напряжения питания (КНП) до и после электротермотренировки (ЭТТ) продолжительностью до 100 ч и после термического отжига продолжительностью 4-10 ч при температуре, максимально допустимой для данного типа ИС, затем находят коэффициент М и по его значению разделяют ИС по надежности. M = Е К Р Э Т Т − Е К Р Н А Ч Е К Р Э Т Т − Е К Р о т ж , где Е К Р Н А Ч , Е К Р Э Т Т , Е К Р о т ж - значения КНП до ЭТТ, после ЭТТ и после отжига соответственно. Предложенный способ позволяет снизить риск повреждения испытуемых схем при воздействии на них внешних испытательных факторов.

СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ "ПО НАДЕЖНОСТИ" // 2529675

Изобретение относится к контролю качества и надежности интегральных схем (ИС), как логических, так и аналоговых, и может быть использовано как в процессе производства, так и при входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность: на представительной выборке ИС проводят измерения электрического информативного параметра при трех напряжениях питания: критическом, номинальном и максимально допустимом по ТУ. Находят коэффициент, характеризующий надежность ИС: , где A U м а к с , A U н о м , A U К Н П - значения электрических информативных параметров соответственно при допустимом, номинальном и критическом напряжениях питания. Технический результат: расширение функциональных возможностей. 1 табл.

НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЙ КАТАЛИЗАТОР ДЛЯ ДОЖИГАНИЯ МОНООКСИДА УГЛЕРОДА // 2500469

Настоящее изобретение относится к катализаторам из металлов платиновой группы на оксидном носителе, предназначенным для удаления вредных компонентов, в частности газообразного монооксида углерода в выхлопных газах автомобильных двигателей, или для использования в электродах газочувствительных сенсоров, в топливных элементах, работающих на синтез-газе, и в других электрохимических устройствах. Описан наноструктурированный катализатор для дожигания монооксида углерода, содержащий в качестве носителя диоксид олова, легированный оксидом сурьмы в соотношении сурьмы к олову 2 мол.%, и частицы нанокристаллической платины, содержание которой в катализаторе составляет 2 мас.%, при этом оксидный носитель имеет однофазный состав, а осажденные на оксидный носитель частицы нанокристаллической платины имеют размер 3-5 нм. Техническим результатом является получение высокоактивного катализатора для окисления монооксида углерода. 2 пр.