Патенты автора Иржак Дмитрий Вадимович (RU)
Использование: для планаризации поверхности наноструктур материалов. Сущность изобретения заключается в том, что способ планаризации поверхности наноструктур материалов электронной техники осуществляют пучком газовых кластерных ионов, а в качестве рабочего газа пучка газовых кластерных ионов используют ксенон. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения шероховатости поверхности примерно в 2 раза. 1 табл.
ПРЯМОЙ МЕТАНОЛЬНЫЙ ТОПЛИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ // 2691127
Изобретение относится к области электротехники, а именно к прямому метанольному топливному элементу, который может использоваться в качестве источника питания, например, для сотовых телефонов. Предложенный топливный элемент в катодной части содержит расположенную между газодиффузионным слоем и электротеплопроводящей жесткой пластиной газоподводящую систему со встроенным микронасосом для принудительного удаления воды из системы, при этом микронасос содержит пьезоэлектрическую подложку с расположенным на ее поверхности встречно-штыревым преобразователем. На поверхности пьезоэлектрической подложки, покрытой пленкой наноструктурированного углерода, при помощи встречно-штыревого преобразователя, соединенного с высокочастотным генератором, возбуждается поверхностная акустическая волна. Газоподводящая система расположена на пленке наноструктурированного углерода и выполнена в виде перегородок, которые образуют входной, выходной и линейные газораспределительные каналы, при этом продольные оси линейных газораспределительных каналов перпендикулярны штырям встречно-штыревого преобразователя. Акустическая волна взаимодействует с микрообъемами воды, располагающимися в газораспределительных каналах, что способствует принудительному удалению воды. Повышение удельной электрической мощности метанольного топливного элемента является техническим результатом изобретения. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 3 пр.
СПОСОБ МОДИФИКАЦИИ НАНОСТРУКТУР МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ГАЗОВЫМИ КЛАСТЕРНЫМИ ИОНАМИ // 2688865
Использование: для модификации наноструктур материалов. Сущность изобретения заключается в том, что способ модификации наноструктур материалов электронной техники газовыми кластерными ионами, включающий удаление из пучка кластерных ионов любого нежелательного ионизирующего излучения, при этом пучок газовых кластерных ионов подают в импульсном режиме. Технический результат: обеспечение возможности увеличения производительности ускорителя пучка газовых кластерных ионов. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов лантангаллиевого танталата алюминия, обладающего пьезоэлектрическим эффектом, используемым для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Способ получения материала для высокотемпературного массочувствительного пьезорезонансного сенсора на основе монокристалла лантангаллиевого танталата алюминия, состав которого соответствует формуле La3Ta0,5Ga5,5-xAlxO14, где x=0,1-0,3, характеризующегося электрическим сопротивлением не менее 109 Ом при температуре 20-600°C, включает выращивание монокристалла из расплава оксидов составляющих его компонентов в атмосфере инертного газа, содержащего окислитель, и дополнительный отжиг на воздухе при температуре 1050-1150°C в течение 41-43 часов. Технический результат изобретения состоит в повышении эксплуатационных свойств, таких как электрическое сопротивление самого материала, увеличенное более чем на порядок, и расширении рабочего температурного диапазона до комнатной температуры. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 5 табл.
Использование: для управления временной структурой пучка рентгеновского излучения. Сущность заключается в том, что высокочастотный акустооптический модулятор рентгеновского излучения состоит из пьезоэлектрической подложки со сформированным на ней преобразователем высокочастотного электрического сигнала в ультразвуковую волну, закрепленной на держателе, обеспечивающем крепление всего устройства, по месту использования, и снабженном контактными площадками для подключения источника высокочастотного электрического сигнала, при этом имеется второй преобразователь высокочастотного электрического сигнала в ультразвуковую волну, причем преобразователи сформированы так, что ультразвуковые волны могут быть запущены во встречных направлениях и расположены на расстоянии, обеспечивающем достижение максимальной амплитуды ультразвуковой волны в промежутке между преобразователями, а пьезоэлектрическая подложка выполнена из материала, обеспечивающего максимальную эффективность Брэгговской дифракции рентгеновского излучения и обладающего термостабильностью акустических свойств, обеспечивающей постоянное значение скорости распространения акустических волн в материале при повышении температуры кристалла, вызываемого поглощением рентгеновского излучения, а также радиационной стойкостью и имеет площадь не менее 1 см2. Технический результат: обеспечение возможности взаимодействия рентгеновского излучения с исследуемым объектом в определенные моменты времени. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
