Патенты автора Каныгина Ольга Николаевна (RU)
Способ получения гётита // 2748801
Изобретение может быть использовано при получении сорбентов. Способ получения гётита включает обработку кристаллогидрата хлорида железа (III) при атмосферном давлении сверхвысокочастотными волнами мощностью 300 Вт в течение 3-4 мин. При этом кристаллогидрат хлорида железа (III) массой 50 г размещают слоем толщиной 5-6 мм на плоской подложке. Изобретение позволяет упростить получение гётита за счет проведения процесса в одну стадию за короткий промежуток времени с получением химически чистого продукта, повысить экологичность процесса. 1 табл.
Способ получения маггемита // 2732298
Изобретение относится к способу получения маггемита. Способ включает обработку оксида железа, гематита, с размером частиц менее 30 мкм, сверхвысокочастотными волнами мощностью 800 Вт в течение 12–15 минут в воздушной среде влажностью 70-80%. Изобретение обеспечивает упрощение и удешевление способа получения маггемита, получение химически чистого продукта и повышение экологичности процесса. 1 табл., 3 пр.
Способ получения функциональной керамики // 2670312
Изобретение относится к керамическому производству и может быть использовано для получения функциональной керамики. Технический результат - повышение производительности способа при высоких эксплуатационных характеристиках готового изделия. Способ получения функциональной керамики включает приготовление сырьевой смеси, содержащей природный глинистый минерал, мелкодисперсный углерод и воду, заполнение формы сырьевой смесью, сушку в поле источника тока высокой частоты и обжиг. Сушку и обжиг осуществляют одновременно под действием СВЧ-излучения в три этапа: сначала в течение 10 минут при мощности СВЧ-излучения 300 Вт, затем в течение 5 минут при мощности СВЧ-излучения 500 Вт и окончательно в течение 5-10 минут при мощности СВЧ-излучения 700 Вт. Углерод вводят в природный глинистый минерал в количестве 10-20 мас.%. 2 табл.
Изобретение относится к области микроэлектроники, фотовольтаики, к не литографическим технологиям структурирования кремниевых подложек, в частности к способам структурирования поверхности монокристаллического кремния с помощью лазера. Способ согласно изобретению включает обработку поверхности монокристаллического кремния ориентации (111) с помощью импульсного излучения лазера, сфокусированного перпендикулярно поверхности обработки с длительностью импульса 15 нс, при этом предварительно монокристаллический кремний ориентации (111) помещают в ультразвуковую ванну и обрабатывают в спирте в течение 30 минут, а обработку лазером ведут импульсами с длиной волны 266 нм и частотой 6 Гц, при этом число импульсов составляет 5500-7000 с плотностью энергии на обрабатываемой поверхности 0,3 Дж/см2. Изобретение обеспечивает формирование периодических пирамидальных структур на поверхности монокристаллического кремния, имеющих монокристаллическую структуру и три кристаллографические грани ориентации (111). 1 табл., 5 ил.
