Патенты автора Синицкий Станислав Леонидович (RU)
Изобретение относится к области обработки подложек для формирования вогнуто-выпуклой структуры на поверхности подложки. Сущность изобретения состоит в травлении проводящей подложки посредством обратной литографии с предварительным расчетным упреждением на фотошаблоне для получения расчетных параметров брэгговской решетки, в качестве маски используется кобальт. Способ изготовления брэгговской структуры с гофрировкой поверхности включает изготовление фотошаблона и химическое травление медной пластины. Технология обратной литографии позволяет получить отрицательный подтрав, что позволяет сохранить верхнюю часть структуры и получить расчетные параметры СВЧ-резонатора. При прямой литографии имеет место положительный подтрав, который не позволяет сохранить верхнюю часть структуры. Для решения поставленной задачи на медную пластину предварительно нанесен кобальт, который используется в качестве маски для дальнейшего травления структуры брегговской решетки. Фотошаблон изготавливается с учетом последующей корректировки размеров брэгговской решетки для уменьшения подтравливания боковых стенок элемента решетки во время травления до заданной глубины. Уход при травлении зависит от глубины травления. Целью изобретения является получение габаритных брэгговских решеток с произвольной заданной структурой с глубиной травления более 300 мкм с возможностью корректировки ухода бокового подтрава при малых затратах и простоте технологического процесса. 3 ил.
Изобретение относится к физике плазмы. Технический результат состоит в повышении надежности. Сверхпроводящий соленоид с гофрированным магнитным полем позволяет получить в области пространства длиной 1,6 м и диаметром 0,16 м постоянное по времени аксиально-симметричное магнитное поле с периодом гофрировки 0,43 м с максимальным и минимальным значениями поля на оси соленоида 7,3 Тл и 4 Тл, соответственно. Изменением токов в обмотках соленоида пробочное отношение можно изменять в пределах R=1÷1,8. В его конструкции предусмотрена возможность установки последовательно нескольких идентичных соленоидов, для создания протяженного магнитного поля гофрированной конфигурации, например, три секции, установленных последовательно, создадут гофрированное магнитное поле протяженностью ~5 м. Поскольку соленоид предназначен для проведения экспериментов с высокотемпературной термоядерной плазмой, в его конструкции предусмотрена необходимая защита от теплового воздействия излучения плазмы на сверхпроводящую часть соленоида. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к радиотехнике. Технический результат заключается в расширении возможностей воздействия электромагнитным излучением на приемные тракты электронных устройств, расположенных на расстояниях в сотни и тысячи километров от источника воздействия. Для этого предложен способ воздействия на приемо-передающее электронное устройство путем облучения этого устройства пучком электромагнитного излучения миллиметрового диапазона, содержащего две частоты, которые в десятки раз больше несущей частоты данного устройства и разность между которыми равна этой несущей частоте.
СПОСОБ ГЕНЕРАЦИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ // 2501146
Изобретение относится к технике генерации электромагнитного излучения с перестройкой частоты генерации в широком интервале значений и может быть использовано в системах локации, передачи энергии на большие расстояния. Заявленный способ генерации электромагнитного излучения большой мощности осуществляется путем накачки высокого уровня ленгмюровских колебаний в плазме сильноточным электронным пучком и трансформации этих колебаний в ходе нелинейных плазменных процессов в электромагнитные волны с частотой, соответствующей плазменной или удвоенной плазменной частотам. Техническим результатом заявленного способа является обеспечение возможности достижения большой мощности электромагнитного излучения в миллиметровой, субмиллиметровой и терагерцовой областях (в диапазоне частот от десятков гигагерц до терагерца) с возможностью быстрой (за время ~10-7 с) управляемой перестройки частоты генерируемого излучения при плотности мощности генерируемого излучения в этом случае порядка сотен киловатт на см3 плазмы при частоте излучения более 500 ГГц. 1 ил.
