Патенты автора Васильев Александр Леонидович (RU)

Изобретение относится к области растровой электронной микроскопии. В изобретении используется принцип фотограмметрической обработки изображений, полученных в растровом электронном микроскопе при различных углах наклона исследуемого объекта. Сущность изобретения: исследуемая кремниевая структура предварительно подвергается плазменной обработке при помощи высокочастотного разряда пониженного давления, причем мощность разряда и продолжительность обработки устанавливаются достаточными для возникновения и визуализации в растровом электронном микроскопе морфологических особенностей нанометрового масштаба на поверхности исследуемого объекта. Технический результат - повышение точности результатов трехмерной реконструкции. 1 ил.

Изобретение относится к области калибровки просвечивающих электронных микроскопов (ПЭМ) при измерениях в нано- и субнанометровом диапазонах. Тестовый объект выполнен в виде держателя образцов с несколькими местами крепления исследуемых объектов, в одном из которых расположена эталонная структура, выполненная в виде тонкого поперечного среза кремниевой структуры с периодической рельефной поверхностью, имеющей известное межплоскостное расстояние и известные размеры трапециевидных элементов рельефа. Техническим результатом является повышение точности калибровки ПЭМ, обеспечивающее повышение точности измерений с помощью ПЭМ длин отрезков, характеризующих профиль элемента рельефа в широком диапазоне длин (0.3-2000 нм), а также одновременное определение масштабного коэффициента ПЭМ по двум осям и степени линейности и ортогональности этих осей. 9 ил.

 


Наверх