Патенты автора Митюхляев Виталий Борисович (RU)
Изобретение относится к области растровой электронной микроскопии. В изобретении используется принцип фотограмметрической обработки изображений, полученных в растровом электронном микроскопе при различных углах наклона исследуемого образца. Сущность изобретения: на поверхности исследуемого образца предварительно формируется островковая пленка, создающая контраст на изображении, результаты фотограмметрической обработки изображений корректируются на значения индивидуальной высоты островков, определяемых на плоском участке поверхности. Технический результат - повышение точности результатов трехмерной реконструкции. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к области растровой электронной микроскопии. В изобретении используется принцип фотограмметрической обработки изображений, полученных в растровом электронном микроскопе при различных углах наклона исследуемого образца. На поверхности исследуемого образца предварительно формируются структурные элементы сферической формы, создающие контраст на изображении, результаты фотограмметрической обработки изображений корректируются на значения индивидуальной высоты структурных элементов, определяемых по изображениям. Технический результат - повышение точности результатов трехмерной реконструкции. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Способ количественной трехмерной реконструкции поверхности кремниевых микро- и наноструктур // 2622896
Изобретение относится к области растровой электронной микроскопии. В изобретении используется принцип фотограмметрической обработки изображений, полученных в растровом электронном микроскопе при различных углах наклона исследуемого объекта. Сущность изобретения: исследуемая кремниевая структура предварительно подвергается плазменной обработке при помощи высокочастотного разряда пониженного давления, причем мощность разряда и продолжительность обработки устанавливаются достаточными для возникновения и визуализации в растровом электронном микроскопе морфологических особенностей нанометрового масштаба на поверхности исследуемого объекта. Технический результат - повышение точности результатов трехмерной реконструкции. 1 ил.
Изобретение относится к области калибровки просвечивающих электронных микроскопов (ПЭМ) при измерениях в нано- и субнанометровом диапазонах. Тестовый объект выполнен в виде держателя образцов с несколькими местами крепления исследуемых объектов, в одном из которых расположена эталонная структура, выполненная в виде тонкого поперечного среза кремниевой структуры с периодической рельефной поверхностью, имеющей известное межплоскостное расстояние и известные размеры трапециевидных элементов рельефа. Техническим результатом является повышение точности калибровки ПЭМ, обеспечивающее повышение точности измерений с помощью ПЭМ длин отрезков, характеризующих профиль элемента рельефа в широком диапазоне длин (0.3-2000 нм), а также одновременное определение масштабного коэффициента ПЭМ по двум осям и степени линейности и ортогональности этих осей. 9 ил.
