Патенты автора Акпаров Владимир Валерьевич (RU)
Предложенный способ изготовления полупроводниковых излучателей применяется в технологии квантовой электроники. Получаемые полупроводниковые излучатели предназначены для использования в аппаратуре медицинской диагностики, экологической аппаратуре контроля газовых сред, волоконно-оптических датчиках давления, температуры, вибрации, химического анализа веществ, скорости потока жидкости и газов, в системах связи, контрольно-измерительной аппаратуре. Способ заключается в изготовлении полупроводникового излучателя, в котором торцевую грань, противоположную выводной, активного элемента соединяют с внешним спектрально-селективным отражателем на основе кристаллической брэгговской решетки, имеющей последовательность чередующихся параллельных слоев двух видов полупроводниковых материалов. Излучатель может быть суперлюминесцентный, лазерный одноэлементный, многоэлементный. Способ изготовления полупроводникового излучателя согласно изобретению обеспечивает упрощение технологии изготовления за счет упрощения и ускорения сборки элементов излучателя, увеличение мощности излучения при сохранении стабилизации длины волны и ширины спектра выходного излучения при изменении температуры окружающей среды и тока накачки через активный кристалл, увеличение долговечности и надежности, уменьшение габаритов излучателя, снижение его себестоимости. 8 з.п. ф-лы, 1 ил., 5 пр.
