Патенты автора Амосов Владимир Николаевич (RU)

Изобретение относится к медицинской технике, а именно к герметичному детектору для спектроскопии нейтронов в водном фантоме. Чувствительным элементом является алмазный детектор. Алмазный детектор состоит из внешнего цилиндрического корпуса. В корпусе размещаются капсула с собственно алмазным детектором, внутренняя и внешняя шайбы с уплотнителями, торцевая гайка и сигнальный кабель. Детектор выполнен с возможностью обеспечения электрогерметичности алмазного детектора при одновременном обеспечении общей герметичности детектора с соблюдением условий спектрометрии нейтронов и возможностью замены алмазного детектора. Внутренняя и внешняя шайбы выполнены с фасками, куда устанавливается один уплотнитель. Внутренняя шайба выполнена с конусом. На конус надвигается внешняя изоляция сигнального кабеля и устанавливается второй уплотнитель. Конструкция уплотняется торцевой гайкой. Обеспечивается электрогерметичность алмазного детектора при одновременном обеспечении общей герметичности узла детектора с соблюдением условий спектрометрии нейтронов и возможностью замены собственно детектора. 1 ил.
Изобретение относится к области преобразования вакуумного ультрафиолетового излучения (ВУФ) в электричество и регистрации ВУФ излучения. Предложен высокотемпературный фотопреобразователь ультрафиолетового диапазона, содержащий чувствительный элемент на основе синтетического алмаза, при этом конструкция преобразователя содержит гомоэпитаксиальную структуру, представляющую собой подложку из НРНТ алмаза р-типа, сильно легированного бором, с нанесенной алмазной CVD-пленкой типа IIa толщиной ~10 мкм, и дополнительно введенный нагревающий элемент для обеспечения рабочей температуры УФ преобразователя до температуры 300°C. Изобретение обеспечивает расширение УФ-диапазона фотовольтаического преобразователя в сторону коротких волн до 170 нм. 1 ил.

Изобретение относится к области измерения альфа-радиоактивности в жидкой и газообразной средах. Погружной детектор альфа-частиц на основе алмазного чувствительного элемента в виде пластины, отличающийся тем, что контакты, создающие электрическое поле в объеме алмазного чувствительного элемента, выполнены в виде трехмерного массива заглубленных графитовых электродов, при этом трехмерный массив заглубленных графитовых электродов формируется в алмазной пластине со стороны грани, обращенной внутрь детектора, и алмазный чувствительный элемент в виде пластины запрессовывается в герметичный корпус детектора таким образом, чтобы противоположная электродам грань пластины была обращена к исследуемой среде. Технический результат – повышение чувствительности детектора, расширение диапазона регистрируемых частиц, упрощение конструкции. 2 ил.

Изобретение относится к области измерения ионизирующих излучений и может быть использовано при регистрации частиц, ультрафиолетового-, альфа-излучений. Чувствительный элемент с кольцевым контактом для алмазного детектора, предназначенный для регистрации частиц, альфа-, УФ излучений, содержит лицевой контакт, выполненный с отверстием радиуса R, определяющимся из условия достаточной величины электрического поля в цилиндрической области радиуса R и позволяющим устранить энергетические потери регистрируемых частиц вследствие отсутствия контакта внутри цилиндрической области радиуса R. Технический результат – расширение диапазона регистрируемых чувствительным элементом алмазного детектора частиц, включая области энергий менее 150 кэВ. 1 ил., 4 табл.

Изобретение относится к области электроники, а именно к предварительным усилителям для съема сигналов с детекторов ионизирующих излучений при использовании длинной кабельной линии в схемах амплитудной спектрометрии и для регистрации ядерных излучений. Техническим результатом является увеличение динамической емкости предусилителя. Устройство содержит входной полевой транзистор n-типа, канал усиления тока, выполненный на паре биполярных транзисторов pnp-типа, и основной усилитель, выполненный на базе широкополосного операционного усилителя, охваченный резистивно-емкостной обратной связью, причем в зарядочувствительном предусилителе входной полевой транзистор и каналы усиления тока включают каскодно-дифференциально так, что сток входного полевого транзистора подключен к эмиттеру первого биполярного транзистора, исток входного полевого транзистора подключен к эмиттеру второго биполярного транзистора, и коллекторы этих транзисторов подключены к неинвертирующему и инвертирующему входам операционного усилителя соответственно, а величины резисторов нагрузок биполярных транзисторов выбирают из условия минимизации входного шума. 3 ил.

Изобретение относится к ядерной физике и может быть использовано для регистрации ядерных излучений, например, для регистрации спектров быстрых нейтронов в экспериментальных исследованиях и на объектах ядерной энергетики. Алмазный детектор содержит чувствительный к ядерному излучению элемент, выполненный в виде алмазной пластины с контактами, размещенными противоположно на двух плоскостях алмазной пластины, имеющими большую площадь, токовводы, соединенные с соответствующими контактами на алмазной пластине с помощью проволочек, и корпус, при этом в алмазный детектор дополнительно введены оправка из высокотемпературного изоляционного материала, например, сапфира с отверстием, размеры которого соответствуют размерам алмазной пластины, и пружина, токовводы выполнены в виде плоских пружин, проволочки соединены с контактами на алмазной пластине и токовводами посредством сварки, например, ультразвуковой микросварки, а корпус выполнен совместимым с триаксиальной линией связи. Технический результат - расширение области применения и повышение надежности. 6 з.п. ф-лы, 7 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления термолюминесцентных дозиметров и может быть использовано в исследованиях воздействия радиации на вещества и биологические объекты, а также в аппаратуре дозиметрического контроля. Способ изготовления чувствительного элемента термолюминесцентного дозиметра включает изготовление кристаллического синтетического алмаза при температуре 1480°C и давлении 50 ГПа. Полученный кристаллический синтетический алмаз дополнительно отжигают при температуре 1400-2000°C и давлении 4,5-7,0 ГПа и охлаждают до комнатной температуры. Далее кристаллический синтетический алмаз подвергают термообработке повышением температуры до 470-530°C в течение 1,5-2,5 часов и плавно охлаждают до комнатной температуры. Алмаз содержит примеси бора и азота в концентрации менее 0,1 ppm и не более 1 ppm соответственно. Технический результат - расширение диапазона регистрируемых чувствительным элементом термолюминесцентного детектора доз облучения, особенно в области доз, близких к природным фоновым излучениям, обеспечение простоты, безопасности подготовки детектора к работе и увеличение времени хранения накопленной дозы облучения. 1 табл., 1 пр.

 


Наверх