Патенты автора Костюк Дмитрий Валентинович (RU)
Преобразователь электрического тока // 2724304
Изобретение может быть использовано для обнаружения электрического тока в проводниках электротехнических устройств. Преобразователь электрического тока содержит разъемный корпус 1 с отверстием 2 для размещения контролируемого проводника. Корпус 1 выполнен из двух частей: основания 3 и крышки 4 с полукруглыми пазами 5 и 6 с образованием при закрытии крышки сквозного круглого отверстия 2. Преобразователь электрического тока содержит магниточувствительный элемент 7 и концентратор магнитного потока, который выполнен из трех частей, с возможностью соединения первой части концентратора 8 с торцами двух других частей концентратора 9 и 10, при этом образуется разомкнутый контур, в зазоре которого размещен магниточувствительный элемент 7. В крышке 4 размещена упругая пластина 11, взаимодействующая с первой частью концентратора 8. Корпус 1 выполнен с возможностью соединения основания и крышки по направляющим, которыми снабжена крышка с пазами, которые выполнены в основании корпуса. Преобразователь снабжен петлевыми пружинными элементами, закрепленными с одного конца в основании с возможностью поворота вокруг точки крепления, с размещением при фиксации противоположных концов пружинных элементов в углублениях, выполненных в крышке. Основание содержит кристалл, на поверхности которого выполнен магниточувствительный элемент, состоящий из тонкопленочных магниторезистивных элементов, соединенных в мостовую схему Уинстона, над которыми расположена планарная катушка подмагничивания. Изобретение обеспечивает увеличение надежности фиксации контролируемого проводника в отверстии преобразователя электрического тока, увеличение чувствительности и точности измерений. 2 ил.
Изобретение относится к элементам магнитной стрейнтроники и может быть использовано в преобразователях механических деформаций (напряжений, давлений), акустических преобразователях на основе многослойных тонкоплёночных магнитострикционных наноструктур с анизотропным магниторезистивным эффектом. Сущность изобретения заключается в том, что структура содержит расположенные между защитными слоями слой с анизотропным магниторезистивным эффектом, выполненный из сплава, содержащего Fe, Ni, Co, и слой из магнитострикционного материала, выполненный из сплава, содержащего Fe и Co или Co, Fe и B. Технический результат заключается в обеспечении возможности использования в преобразователях (датчиках) механических деформаций, основанных на изменении магнитных свойств магнитострикционного слоя под действием механической деформации/напряжения и измерении возникающего магниторезистивного эффекта в другом слое. 7 з.п. ф-лы, 7 ил.
Использование: для конструкции оптоволоконных датчиков магнитного поля. Сущность изобретения заключается в том, что чувствительный элемент преобразователя магнитного поля для волоконно-оптического датчика содержит подложку из монокристаллического кремния, мембрану, расположенную над отверстием, выполненным в подложке для образования подмембранной камеры, и планарную чувствительную площадку, отражающую свет, из магнитострикционного материала в центральной области мембраны, причем мембрана содержит по меньшей мере два диэлектрических слоя, имеющих внутренние напряжения противоположного знака, а также на мембране выполнен рельеф гофров в виде по меньшей мере одной кольцевой концентрической канавки. Технический результат: обеспечение возможности повышения чувствительности элемента мембранного типа при минимальных встроенных механических напряжениях. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
Корпус для микросистем измерения силы тока // 2665491
Использование: для датчиков тока. Сущность изобретения заключается в том, что корпус для микросистем измерения силы тока, содержащий крышку и сопрягаемые между собой две части корпуса: основание и вставку, верхняя поверхность основания выполнена с углублением для размещения компонентов устройства измерения силы тока, внутренняя стенка углубления выполнена с горизонтальной ступенькой, на которой сформированы выводы к контактным площадкам выводной рамки на наружной поверхности корпуса, с нижней стороны основания выполнено углубление, сопрягаемое с выступами, выполненными на верхней поверхности вставки, с образованием горизонтально ориентированной П-образной полости для размещения токопроводящей шины, во вставке выполнено по меньшей мере два отверстия, вертикально пересекающие П-образную полость, а в углублении нижней стороны основания выполнены дополнительные выемки, расположенные напротив отверстий в выступающих частях вставки, с образованием при сопряжении основания и вставки вертикально ориентированной П-образной полости для размещения концентраторов. Технический результат - обеспечение возможности оптимального позиционирования элементов: токопроводящей шины, концентраторов и кристаллов, содержащих чувствительные элементы, что приводит к повышению надежности, точности и воспроизводимости измерений при проведении контроля силы тока. 3 ил.
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ // 2601360
Использование: для использования в конструкциях датчиков и преобразователей магнитного поля, электрического тока, контроля перемещения и угла поворота объекта. Сущность изобретения заключается в том, что магниторезистивный элемент содержит участки магниторезистивной пленки в форме параллелограмма с острым углом 45°, имеющей ось легкой намагниченности, параллельную короткой стороне параллелограмма, соединенные между собой немагнитными металлическими перемычками, контактные окна к участкам магниторезистивной пленки выполнены на длинных сторонах параллелограмма. Технический результат: обеспечение возможности улучшения магниточувствительности датчика. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ // 2568148
Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой магниторезистивный преобразователь и может быть использовано в конструкции датчиков магнитного поля. Преобразователь содержит кремниевый кристалл с выполненными в нем по меньшей мере двумя заглублениями, в которых размещены планарные металлические концентраторы. Планарные металлические концентраторы выполнены длиной L и толщиной b, причем величина зазора между концентраторами h составляет примерно не более чем 2 толщины концентратора b и не менее чем 0,06 длины концентратора L. На поверхности кристалла в области между заглублениями размещен магниточувствительный элемент. Над магниточувствительным элементом размещена планарная катушка первого типа, выполненная с возможностью формирования магнитного поля вдоль оси легкого намагничивания магниторезистивных полосок, отделенная от магниточувствительного элемента первым слоем диэлектрика, над которой размещена планарная катушка второго типа, выполненная с возможностью формирования магнитного поля, перпендикулярного оси легкого намагничивания магниторезистивных полосок, отделенная от планарной катушки первого типа вторым слоем диэлектрика. Техническим результатом является увеличение относительной чувствительности к слабому магнитному полю (до 1 мТл) и повышение соотношения сигнал/шум. 7 з.п. ф-лы, 4 ил.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО СЕНСОРА "МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ГОЛОВКА-ГРАДИОМЕТР" // 2506666
Изобретение относится к области магнитных датчиков на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным эффектом. Способ согласно изобретению включает окисление кремниевой подложки 1, формирование диэлектрического слоя 2, формирование магниторезистивной структуры, содержащей верхний 3 и нижний 4 защитные слои, между которыми расположена ферромагнитная пленка 5, формирование из трех рядов параллельных магниторезистивных полосок балластных плеч мостовой схемы и полоски рабочего плеча мостовой схемы путем жидкостного травления, причем ширина магниторезистивных полосок балластных плеч мостовой схемы в N раз меньше ширины полоски рабочего плеча, а длины магниторезистивных полосок балластных и рабочего плеча мостовой схемы равны, нанесение первого изолирующего слоя 6, вскрытие в нем контактных окон к полоскам, формирование перемычек между рядами магниторезистивных полосок балластных плеч мостовой схемы путем напыления слоя алюминия 7 и последующего плазмохимического травления, формирование второго изолирующего слоя 8, вскрытие в нем переходных окон к перемычкам, формирование планарного проводника, проходящего над рабочем плечом мостовой схемы, путем напыления слоя алюминия 9 последующего плазмохимического травления и пассивацию с образованием верхнего защитного слоя 10. Изобретение обеспечивает возможность уменьшения размеров датчика, увеличения чувствительности датчика, увеличения процента выхода годных изделий. 2 з. п. ф-лы, 2 ил.
МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ГОЛОВКА-ГРАДИОМЕТР // 2506665
Изобретение относится к области магнитных наноэлементов. В магниторезистивной головке-градиометре, содержащей подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками четыре ряда последовательно соединенных такими же перемычками в каждом плече мостовой схемы тонкопленочных магниторезистивных полосок, содержащих каждая верхний и нижний защитные слои, между которыми расположена ферромагнитная пленка, первый изолирующий слой поверх тонкопленочных магниторезистивных полосок, на котором сформирован первый планарный проводник с рабочими частями, расположенными над тонкопленочными магниторезистивными полосками, и второй изолирующий слой, второй планарный проводник, проходящий над и вдоль рабочей тонкопленочной магниторезистивной полоски, и защитный слой, при этом все тонкопленочные магниторезистивные полоски расположены в один ряд, во всех тонкопленочных магниторезистивных полосках ОЛН ферромагнитной пленки направлена под углом 45° относительно продольной оси тонкопленочной магниторезистивной полоски, а рабочее плечо мостовой схемы, ближайшее к краю головки-градиометра, удалено от трех балластных плеч мостовой схемы, ширина балластной тонкопленочной магниторезистивной полоски в N раз меньше ширины рабочей тонкопленочной магниторезистивной полоски, а балластный ряд мостовой схемы состоит из набора N параллельно соединенных тонкопленочных магниторезистивных полосок. Изобретение обеспечивает ослабление действующего на магниторезистивную головку-градиометр локального магнитного поля и увеличение чувствительности. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
