Патенты автора Федюнин Дмитрий Павлович (RU)
Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам определения комплексных диэлектрической и магнитной проницаемостей, а также толщины ферритовых материалов и покрытий, и может быть использовано для контроля их качества. Повышение точности и достоверности определения комплексной диэлектрической проницаемости, компонента тензора комплексной магнитной проницаемости, а также толщины ферритовых материалов и покрытий является техническим результатом изобретения, который достигается за счет того, что способ СВЧ-измерения электромагнитных параметров диэлектрических и магнитодиэлектрических покрытий на металле включает возбуждение в исследуемом покрытии двух поверхностных электромагнитных волн Е-типа и одной поверхностной электромагнитной волны Н-типа, измерение их коэффициентов затухания в нормальной плоскости относительно направления их распространения, создание постоянного магнитного поля поперечного ферромагнитного резонанса и определение комплексных диэлектрической и магнитной проницаемостей покрытия, а также его толщины путем решения системы уравнений, для чего дополнительно возбуждают поверхностные электромагнитные волны Е-типа, последовательно, на K-частотах и поверхностные электромагнитные волны Н-типа, последовательно, на L-частотах и создают в покрытии постоянное магнитное поле, направленное в плоскости покрытия, перпендикулярно направлению распространения поверхностных электромагнитных волн. 1 ил., 1 пр.
Изобретение относится к электротехнике и иможет быть использовано для определения электрофизических параметров, обнаружения и оценки дефектов в многослойных диэлектрических и магнитодиэлектрических покрытиях на поверхности металла при разработке многослойных радиопоглощающих покрытий в авиации, а также в химической, лакокрасочной и других отраслях промышленности. Техническим результатом изобретения является повышение быстродействия и надежности устройства за счет увеличения точности определения электрофизических параметров слоев многослойных покрытий, повышение вероятности обнаружения в них межслойных дефектов, а также точности оценки их геометрических параметров (высот) и положения относительно слоев многослойного диэлектрического покрытия. Указанный технический результат достигается тем, что в известное СВЧ-устройство введены блок коммутации антенн, последовательно соединенных с блоком управления, блоком синхронизации, механизмом перемещения, взаимодействующими с приемными антеннами, а также блоком обработки сигналов. 1 ил.
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к определению комплексной диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий на поверхности металла, и может быть использовано при контроле качества многослойных диэлектрических покрытий. Технический результат: повышение точности определения комплексной диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий. Сущность: возбуждают в исследуемом многослойном покрытии поверхностные электромагнитные волны Е-типа последовательно на 2N - длинах волн, где N - количество слоев покрытия. Измеряют коэффициент затухания каждой поверхностной электромагнитной волны по нормали к поверхности покрытия, в том числе его мнимую часть. По результатам измерения составляют систему из 2N - комплексных дисперсионных уравнений, а комплексные диэлектрические проницаемости и толщины слоев покрытия определяют путем решения этой системы уравнений. 2 ил.
Изобретение относится к области электротехники, в частности к способу определения диэлектрической проницаемости анизотропных диэлектриков, и может быть использовано при контроле качества твердых диэлектрических материалов и покрытий. Способ измерения диэлектрической проницаемости материалов включает облучение диэлектрического образца электромагнитной волной за счет возбуждения несимметричной волны Н01р в круглом волноводе, в котором располагают диэлектрический образец, выполненный в виде пластины, ортогонально продольной оси круглого волновода, при этом диэлектрический образец размещают на металлической подложке и последовательно возбуждают в нем радиальные поверхностные электромагнитные волны на двух близких длинах волн генератора λ1 и λ2 при условии, что (λ2-λ1)/λ1<<1, измеряют значения коэффициента затухания каждой их двух поверхностных волн над диэлектрическим образцом в точках вдоль всей длины окружности, с центром, совпадающим с точкой возбуждения радиальных поверхностных волн, с шагом в зависимости от количество точек измерения коэффициента затухания, по длине окружности для каждой длины волны, находят максимальное и минимальное значения коэффициентов затухания направления двух главных осей поперечной анизотропии исследуемого материала и проводят определение значений диэлектрической проницаемости поперечных компонент тензора диэлектрической проницаемости εх, εу и его нормальной компоненты εz путем решения системы дисперсионных уравнений. Повышение точности измерений поперечной анизотропии диэлектрических материалов является техническим результатом изобретения. 2 ил.
СВЧ СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЯХ НА МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ // 2604094
Изобретение относится к способу определения неоднородностей электрофизических и геометрических параметров диэлектрических и немагнитных покрытий на поверхности металла и может быть использовано при контроле качества твердых покрытий на металле в процессе разработки и эксплуатации неотражающих и поглощающих покрытий, а также в химической, лакокрасочной и других отраслях промышленности. Техническим результатом изобретения является повышение вероятности обнаружения неоднородностей за счет определения порогового значения коэффициента затухания напряженности поля медленной поверхностной E-волны применительно к индивидуальным характеристикам исследуемого покрытия. Указанный технический результат достигается тем, что в известном СВЧ способе обнаружения неоднородностей в диэлектрических покрытиях на металлической подложке, заключающемся в создании электромагнитного поля медленной поверхностной E-волны над диэлектрическим покрытием на электропроводящей подложке и последующей регистрации изменения параметров, характеризующих высокочастотное поле, при расчете коэффициента затухания α напряженности поля медленной поверхностной E-волны в нормальной плоскости относительно ее направления распространения в разнесенных точках и определении границ неоднородностей, предварительно измеряют действительную часть диэлектрической проницаемости ε′ и толщину b эталонного образца покрытия, по которым определяют пороговое значение коэффициента затухания напряженности поля медленной поверхностной Е-волны α0, при этом сравнивают в каждой точке измерений сканируемой поверхности покрытия текущее значение коэффициента затухания напряженности поля поверхностной медленной волны α с пороговым значением коэффициента затухания α0, и если α<α0, то принимают решение о наличии отслоения покрытия d в данной точке. 1 ил.
Изобретение относится к СВЧ-технике и может быть использовано для определения электрофизических параметров и неоднородностей диэлектрических покрытий на поверхности металла. Повышение быстродействия и надежности СВЧ-устройства для измерения электрофизических параметров, увеличение точности измерения и вероятности обнаружения неоднородностей покрытия является техническим результатом изобретения. СВЧ-устройство для измерения электромагнитных параметров диэлектрических и магнитодиэлектрических покрытий на металле состоит из последовательно соединенных генератора СВЧ, блока коммутации антенн, имеющего N-выходов, N-антенн возбуждения медленных поверхностных волн, размещенных в азимутальной плоскости по кругу, при этом n-выход блока коммутации, где , соединен с входом соответствующей антенны, приемной антенны Е-волн и приемной антенны Н-волн, а также из последовательно соединенных блока управления, блока синхронизации, механизма перемещения, взаимодействующих с приемными антеннами, а также блока обработки сигналов, при этом второй, третий и четвертый выходы блока управления соединены со входом СВЧ-генератора, вторым входом блока коммутации антенн, вторым входом механизма перемещения соответственно, а выходы приемных антенн соединены с первым и вторым входом блока обработки сигналов соответственно, при этом второй выход устройства синхронизации соединен с третьим входом блока обработки сигналов. 1 ил.
Изобретение относится к технике измерения оптических характеристик атмосферы. Одновременно с первым зондирующим импульсом производят включение фотоприемника излучения первым стробом-импульсом питания. Принимают эхо-сигнал и передают значение времени задержки между зондирующим импульсом и регистрацией эхо-сигнала в многоканальный сумматор и далее в блок управления и обработки сигналов. Каждый последующий строб-импульс питания фотоприемника смещают на величину, равную времени между началом первого зондирующего импульса и последовательно каждым следующим выключением фотоприемника в первом стробе-импульсе питания. При завершении измерений осуществляют формирование в ячейках памяти гистограммы распределения числа единичных импульсов по времени задержки относительно зондирующего светового импульса по всей длине зондируемого пространства. В течение первого строба производится оцифровка и запись последовательности эхо-сигналов, а также динамический анализ последовательности для обнаружения момента окончания первого слоя облачности и фиксирования в этот момент уровня фонового эхо-сигнала, который в дальнейшем вычитается из последующих уровней принимаемых эхо-сигналов. Технический результат - повышение эффективности использования энергии зондирующего импульса при увеличении вероятности приема эхо-сигнала.
Изобретение относится к способам определения неоднородностей электрофизических и геометрических параметров диэлектрических и магнитодиэлектрических покрытий на поверхности металла и может быть использовано при контроле состава и свойств твердых покрытий на металле, при разработке неотражающих и поглощающих покрытий. Повышение вероятности обнаружения малоразмерных неоднородностей и увеличение точности оценки их границ является техническим результатом предложенного изобретении, который достигается за счет того, что проводят сканирование поверхности покрытия с заданным шагом и формирование двумерной матрицы значений дисперсии коэффициента нормального затухания поля по всей поверхности сканирования, а также формирование второй электромагнитной Е волны с последующим расчетом абсолютного отклонения дисперсий коэффициента затухания поля, с построением пространственного распределения средних значений дисперсий коэффициента нормального затухания поля поверхностных медленных волн Eλ1, Eλ2 и Нλ3, пространственная картина которых визуально отображает распределение неоднородностей и их границу. 4 ил.
