Патенты автора Шевченко Вячеслав Сергеевич (RU)
Изобретение относится к люминофорам с общей формулой АВС(ВО3)2, где А, В, С - катионы щелочных, щелочноземельных и редкоземельных металлов, излучающих свет в инфракрасной области. Фотолюминесцентный материал состава NaSrYb(BO3)2 излучает свет в инфракрасной области в диапазоне от 950 до 1050 нм и имеет пространственную группу P21/m моноклинной сингонии, параметры решетки а=9.0561(6) b=5.29230(5) с=6.4267(4) β=118.528(4)°. Способ получения фотолюминесцентного материала состава NaSrYb(BO3)2 методом двухстадийного твердофазного синтеза включает приготовление смеси компонентов, взятых в стехиометрическом соотношении, содержащих соответственно, мас.%: карбонат натрия Na2CO3 - 10,04, карбонат стронция SrCO3 - 27,97, Yb2O3 - 37,33 и борную кислоту Н3ВО3 - 24,66. Смесь нагревают на первой стадии до 650°С не менее 5 ч, перетирают до получения однородной массы, затем нагревают на второй стадии до 900°С не менее 12 ч. Группа изобретений обеспечивает расширение арсенала материалов, обладающих фотолюминесцентными свойствами. 2 н.п. ф-лы, 4 ил., 1 пр.
Изобретение относится к получению экологически чистых источников света и люминофоров. Нелинейно-оптический и фотолюминесцентный материал редкоземельного скандобората самария состава Sm0,78Sc3,22(BO3)4 нецентросимметричной моноклинной структуры имеет пространственную группу Сс с параметрами решетки а=7,6819 Å, b=9,8088 Å, с=11,9859 Å, β=105,11, обеспечивает генерацию второй гармоники при накачке на длине волны 1064 нм, излучает свет от 550 нм до 750 нм. Для получения указанного материала методом спонтанной кристаллизации готовят исходную смесь, состоящую из компонентов Sm0,78Sc3,22(BO3)4, взятых в соотношении Sm:Sc=0,3:0,7, содержащую оксид самария Sm2O3, оксид скандия Sc2O3, борную кислоту Н3ВО3, карбонат лития Li2CO3, фторид лития LiF, и компонентов флюса, взятых в соотношении 0,59LiBO2:0,41LiF. Нагревают исходную смесь до 1000°С для получения раствор-расплава, в который вводят платиновую петлю. Снижают температуру со скоростью 20°С/ч до появления первых кристаллов и выращивают спонтанные кристаллы в интервале 910-870°С со скоростью снижения температуры 2°С/сутки. Изобретение позволяет расширить арсенал материалов, обладающих нелинейно-оптическими и фотолюминесцентными свойствами, на основе редкоземельных скандоборатов самария стабильной структуры. 2 н.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.
Изобретение относится к фотолюминесцентному материалу на основе скандобората самария формулы SmSc(BO3)2, излучающего свет от 566 до 708 нм, кристаллизующегося в тригональной сингонии с пространственной группой с параметрами элементарной ячейки а = 4.8923(4) , с = 16.3003(13) . Скандоборат выращен методом спонтанной кристаллизации из собственного расплава смеси исходных компонентов, взятых в стехиометрическом соотношении. Изобретение обеспечивает расширение арсенала материалов, обладающих фотолюминесцентными свойствами. 3 ил., 1 пр.
Изобретение относится к химической промышленности. Фотолюминесцентный материал на основе сложного бората, допированного тербием, относится к пространственной группе Р-1 триклинной сингонии, имеет состав Li3Ba4Sc3B8O22:0,1Tb3+, параметры решетки а=5,2231 b=8,5640 с=11,4209 α=73,362°, β=78,566°, γ=87,037° и излучает свет в диапазоне от 380 до 620 нм. Готовят смесь компонентов, соответствующую формульному составу Li3Ba4Sc3Tb0,1B8O22, содержащую Li2CO3, BaCO3, H3BO3, Sc2O3, Tb4O7. Полученную смесь выдерживают при температуре 600-650 °С в течение суток. Отожженный продукт перетирают и повторно нагревают до 850-870 °C. Расширяется арсенал фотолюминесцентных материалов на основе сложных боратов. 3 ил., 1 пр.
Изобретение может быть использовано при изготовлении экологически чистых источников света. Сначала готовят исходную смесь следующих компонентов, мол.%: карбонат калия K2CO3 - 12,5; карбонат кальция CaCO3 - 25; борную кислоту Н3ВО3 - 50 и оксид редкоземельного элемента неодима Nd2O3 - 12,5. Полученную смесь отжигают при 650°C в течение суток. Затем отожженный порошок перетирают, таблетируют, повторно нагревают до 850°C и выдерживают при этой температуре 8-12 ч. Полученный фотолюминесцентный материал редкоземельного ортобората имеет состав KCaNd(BO3)2, пространственную группу Pbca орторомбической сингонии, параметры решетки , Z=8 и излучает свет в диапазоне 850-1080 нм. Изобретение позволяет расширить арсенал материалов, обладающих фотолюминесцентными свойствами. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к получению монокристаллов метабората бария ΒaΒ2O4 (ВВО), применяемых в лазерных системах. Рост кристалла ВВО осуществляют в прецизионной нагревательной печи, обладающей высокой симметрией и стабильностью теплового поля из высокотемпературного раствора-расплава, включающего расплав бората бария ΒaΒ2O4 и комплексный растворитель на основе эвтектического состава LiF - NaF с избытком B2O3 от 3 до 7 вес. %, на вращающуюся ориентированную по направлению [0001] затравку, при скорости вытягивания кристалла от 0,15 до 0,4 мм/сутки с одновременным охлаждением раствора-расплава со скоростью от 0,3 до 1 град/сутки. Технический результат - увеличение размеров кристаллов ВВО и повышение коэффициента выхода с сохранением их оптического качества. 2 ил., 1 пр.
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ПАРАТЕЛЛУРИТА ГРАННОЙ ФОРМЫ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ // 2507319
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов парателлурита методом Чохральского, которые могут быть использованы при изготовлении поляризаторов в ближней ИК-области. Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы из расплава включает наплавление порошка диоксида теллура в платиновый тигель, создание необходимого осевого распределения температуры, обеспеченного градиентом температуры 1-2 град/см над расплавом, скачком в 2-3 град на границе раздела воздух-расплав, повышением температуры на 2-3 градуса до глубины 2 см и постоянством температуры по всей оставшейся толщине расплава, нахождение равновесной температуры при касании затравочным кристаллом поверхности расплава, рост кристалла при его вращении и вытягивании с заданным изменением площади поперечного сечения с использованием системы весового автоматического контроля и нагревательной печи с четырьмя независимыми нагревательными элементами по вертикали, отрыв кристалла от расплава и охлаждение кристалла до комнатной температуры, при этом используют печь, в которой средние нагревательные элементы выполнены в виде трех одинаковых сегментов по 120 градусов каждый, а рост кристалла ведут в условиях неоднородного радиального разогрева расплава повышением на 1-2 градуса температуры в 120-градусном секторе в нижней части ростового тигля. Изобретение позволяет получить крупногабаритные кристаллы парателлурита (массой до 1,8 кг) с пониженным светорассеянием и полностью свободные от газовых включений. 2 н. п. ф-лы, 4 ил., 1 табл., 1 пр.
