Патенты автора Гололобов Геннадий Петрович (RU)

Изобретение относится к области ускорительной техники и может быть использовано для формирования пучков (потоков) низкоэнергетических двух- и трехзарядных ионов щелочноземельных и редкоземельных металлов в установках для ионной имплантации и литографии, микрозондового анализа, в ионно-лучевых приборах для модификации поверхности, а также при разработке квантовых компьютеров и атомных часов. Технический результат - повышение эффективности работы источника ионов за счет генерации ионных пучков с заданной зарядностью и малым пространственным и энергетическим «размытием», что позволяет создать компактную модульную конструкцию источника, не требующую использования сложного и дорогостоящего масс-сепаратора. Устройство содержит съемный эмиттерный узел, состоящий из цилиндрического основания, выполняющего роль катодного электрода и изготовленного из металла с хорошей электро- и теплопроводностью, например меди, с плоскими торцами, на один из которых последовательно нанесены тонкая пленка рабочего вещества - щелочноземельного или редкоземельного металла, тонкая пленка твердого электролита на основе Na-β''-Al2O3 керамики, в котором ионы Na+ замещаются двух- или трехвалентными подвижными ионами рабочего вещества, и тонкая пленка пористого проводящего материала, например углерода, выполняющего роль анодного электрода, и омический нагреватель, расположенный с другого торца твердотельного резервуара. Cпособ формирования пучков многозарядных ионов состоит в образовании двухзарядных ионов щелочноземельных металлов или трехзарядных ионов редкоземельных металлов за счет окислительно-восстановительных реакций на границе «катодный электрод-твердый электролит» с последующим их быстрым транспортированием через твердый электролит, стимулированным нагревом до температуры ниже температуры плавления, полевого испарения, в вакуум, и ускорения внешним электрическим полем в пространстве между анодным электродом и входной диафрагмой устройства. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области защитных металлических покрытий, например, для защиты изделий из стали, меди и ее сплавов от коррозии, и может быть использовано для улучшения эксплуатационных и потребительских свойств изделий. Многослойное коррозионностойкое покрытие на основе бинарного сплава Ni-W содержит 6 или более чередующихся слоев. Нечетные слои толщиной 0,1-2 мкм состоят из бинарного сплава Ni-W с низким содержанием вольфрама до 5 мас.%, а четные слои толщиной 0,1-2 мкм состоят из бинарного сплава Ni-W с содержанием вольфрама 5-80 мас.%. Обеспечивается коррозионностойкое многослойное защитное покрытие, которое является химически стойким по отношению к галогенсодержащим средам, обладает высокой механической прочностью, стойкостью к абразивному износу и высокой степенью адгезии к подложке. 1 ил.

Изобретение относится к области нанесения серебряных покрытий на медь и ее сплавы и может быть использовано в технологии электронных приборов, радиотехнической промышленности для нанесения декоративных покрытий, для серебрения волноводов и изделий сложной конфигурации, в качестве электролита предварительного серебрения в технологии гальванического нанесения серебряных покрытий. Электролит для контактного серебрения меди и ее сплавов содержит, г/л: нитрат серебра 2-20, пирофосфат калия 50-300, сульфат аммония 25-50, гидроксид натрия 5-15 и воду дистиллированную до 1 л; рН электролита составляет 9,0-11,0. Изобретение обеспечивает высокую адгезию получаемых серебряных покрытий, стабильность и низкую токсичность электролита. 1 табл.

Изобретение относится к области электрохимии, в частности к технологии получения пористого покрытия, представляющего собой высокоупорядоченный массив нанотрубок диоксида титана, и может быть использовано в устройствах для очистки воды и воздуха от органических соединений, в производстве комплексов промышленной экологии, а также в устройствах для выработки водорода. Способ получения покрытий, синтезируемых методом анодного окисления в водном растворе органического электролита на основе этиленгликоля, включает предварительный этап очистки поверхности титана, дополнительно включающий полирование поверхности, а анодное окисление поверхности титана проводят в потенциодинамическом режиме при наложении переменной составляющей потенциала синусоидальной формы амплитудой 1-10 В с частотой 1 Гц - 10 кГц на постоянную составляющую потенциала величиной 30-80 В. Технический результат: увеличение толщины нанопористого покрытия в 1,2-1,4 раза, повышение степени упорядоченности массива нанотрубок, твердости покрытия, стойкости к истиранию и прочности на изгиб. 2 ил.

Изобретение относится к области электротехники, а именно к защитному покрытию электрических контактов, например магнитоуправлемых контактов (герконов), микроэлектромеханических (МЭМС) коммутаторов, слаботочных и сильноточных контактов коммутационных приборов, электромагнитных реле, и может быть использовано для улучшения эксплуатационных свойств указанных устройств. Повышения значений коммутируемой мощности и срока службы электрических контактов с предложенным защитным покрытием является техническим результатом изобретения. Защитное покрытие электрических контактов выполнено на основе бинарного электролитического сплава W-Ni, нанесенного на никелевую подложку, в котором содержание W линейно возрастает от 0% на границе покрытие-подложка до 50% на внешней границе покрытия, что обеспечивает высокую стойкость покрытия к отслоению.1 ил.

Изобретение относится к области коммутаторов электрического тока, управляемых внешним магнитным полем: магнитоуправлемых контактов (герконов), микроэлектромеханических (МЭМС) коммутаторов и переключателей, и может быть использовано для улучшения эксплуатационных и потребительских свойств данных устройств, в частности увеличения чувствительности к магнитному полю. Техническим результатом является повышение чувствительности магнитоуправляемых коммутаторов без изменения параметров их вибрационной стойкости и стойкости к ударному воздействию, обусловленных возникновением ложных замыканий под действием сил инерции, который достигается путем использования магнитного концентратора в форме равнобедренной трапеции, верхнее (узкое) основание которой направлено к области контактного перекрытия. При этом угол между нижним основанием и стороной трапеции составляет 30-60°, а отношение длин верхнего и нижнего основания находится в пределах 1:2-1: 20. 1 ил.

Изобретение относится к электронной промышленности, области тонкопленочных технологий, нанесения и контроля пленочных покрытий с заданными характеристиками для эмиссионной электроники. Технический результат - повышение достоверности и информативности измерений. Определяется содержание атомов активной компоненты катода прибора, в котором используется антиэмиссионный материал, на поверхности антиэмиссионного материала в одном внешнем моноатомном слое, и определяется температурный диапазон, в котором активная компонента на поверхности антиэмиссионного материала отсутствует или уменьшается до предела ниже допускаемого. Способ и устройство для его реализации позволяют определять температурный диапазон по уровню нижней границы температуры и одновременно определять состав атомов внешнего монослоя поверхности, ответственного за эмиссионные свойства поверхности. Знание состава позволяет устранять все другие побочные эффекты, связанные с составом, влияющие на эмиссионные свойства, и обеспечивает большую информативность и достоверность результатов в сравнении с прототипом. Существенным образом сокращается время определения температурного диапазона работы антиэмиттера. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области нано-, микроэлектроники и аналитического приборостроения и может быть использовано в разработке технологии и в производстве изделий микро- и наноэлектроники, а также в производстве чистых материалов и для диагностики и контроля жидких технологических сред. Способ определения атомного состава активных примесей в жидких средах заключается в подготовке анализируемого объекта и размещении его в вакууме. Затем осуществляют облучение поверхности пучком заряженных частиц и регистрацию вторичных частиц, по которым определяют состав атомов поверхности. При этом подготовку анализируемого объекта осуществляют подготовкой поверхности полупроводниковой пластины химическим травлением, обработкой в перекисно-аммиачном растворе и отмывкой в деионизованной воде. На подготовленную поверхность чистой полупроводниковой пластины наносят каплю анализируемой жидкости размером не менее микрона на поверхность, затем ее удаляют, а для анализа облучают пучком заряженных частиц след удаленной капли. Технический результат направлен на повышение экспрессности анализа, а также на улучшение предела обнаружения, в частности, не менее чем 10-100 раз.

Изобретение относится к области эмиссионной и наноэлектроники и может быть использовано в разработке и в технологии производства фотоэлектронных преобразователей второго поколения, эмиттеров с отрицательным электронным сродством для приборов ИК-диапазона. Способ изготовления фотоэмиттера с отрицательным электронным сродством для инфракрасного диапазона заключается в нагреве поверхности подложки (основы) из легированного арсенида галлия с дырочной проводимостью (p-GaAs), снижении температуры до комнатной, напыления на поверхность подложки поочередно атомов цезия и кислорода, измерения тока фотоэмиссии с поверхности. При этом подложку нагревают до повышения концентрации мышьяка на поверхности более чем в 1.5 раза, затем фиксируют состав поверхности резким снижением температуры подложки до комнатной температуры, затем напыляют поочередно атомы цезия и кислорода дозами долей монослоя до образования цезиевой пленки моноатомной толщины, затем эмиттер помещают на несколько минут в атмосферу инертного газа. Изобретение обеспечивает увеличение фоточувствительности и повышение времени технологической жизни, интервала времени после формирования до запайки в прибор, уменьшение глубины анализируемого слоя, повышение достоверности результатов анализа и повышение совместимости аппаратуры для его реализации с другими методами анализа и технологическим оборудованием. 4 ил.

Использование: для определения зарядового состояния атомов в субнанослойных пленках на поверхности металлов и полупроводников. Сущность: заключается в том, что поверхность анализируемого объекта облучают ионами инертных газов низких энергий, регистрируют энергетический спектр отраженных ионов от поверхности, измеряют энергетическое положение и величины пиков адатомов субнанослойной пленки и пиков атомов адсорбента (подложки) в энергетическом спектре отраженных ионов, по энергетическому положению пиков в спектре определяют типы адатомов и атомов подложки, затем такие измерения проводят на тест-объекте с различными концентрациями адатомов в пределах от чистой поверхности адсорбента (подложки) до одного моноатомного слоя, далее определяют зависимости величин пиков тест-подложки и адатомов от концентрации адатомов, по отношениям величин пиков адатомов и подложки анализируемого объекта и тест-объекта соответственно определяют концентрацию адатомов на поверхности анализируемого объекта, затем с использованием спектров для чистых массивных материалов подложки и адатомов по линейной экстраполяции определяют величины пиков для найденных концентраций, затем по отношениям измеренных пиков адатомов и подложки анализируемого объекта к линейно-экстраполированным величинам пиков определяют зарядовое состояние адатомов и атомов подложки (адсорбента). Технический результат: уменьшение глубины анализируемого слоя и повышение достоверности результатов анализа. 4 ил.

Использование: для определения кристаллической фазы в аморфных пленках наноразмерной толщины. Сущность заключается в том, что выполняют бомбардировку поверхности пучком ионов и регистрацию интенсивности отраженных ионов, при этом анализируемую поверхность бомбардируют ионами инертного газа с энергией менее 100 эВ и регистрируют энергетический спектр отраженных ионов в диапазоне энергий, больше энергии первичных ионов, затем по энергиям пиков парного соударения в полученном спектре определяют типы атомов в одном верхнем монослое атомов, по наличию пика с энергией, равной энергии бомбардирующих ионов, судят о наличии кристаллической фазы на аморфной или аморфизованной поверхности, в том числе в пленке наноразмерной толщины, а по отношению величин указанного пика без потерь энергии к пику или пикам парного соударения определяют поверхностную концентрацию кристаллической фазы на аморфной или аморфизованной поверхности. Технический результат: уменьшение глубины анализируемого слоя до субнаноразмерных величин, повышение достоверности результатов анализа и повышение совместимости аппаратуры для реализации способа с другими методами анализа и технологическим оборудованием. 2 ил.

 


Наверх