Патенты автора Капустян Андрей Владимирович (RU)

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот с предпочтительным использованием в области антенной техники. Конструктивный элемент метаматериала, монтируемый к излучателю антенны и состоящий из последовательно расположенных слоев, отличающийся тем, что каждый из упомянутых слоёв представляет собой подложку высокоомного кремния с углублениями на её поверхности, форма и расположение которых выбраны исходя из обеспечения излучения антенны в Ku-, K- и/или Ka-диапазонах частот, при этом подложки высокоомного кремния соединены между собой посредством эвтектического слоя из золота и кремния. Технический результат - уменьшение габаритов антенны космического аппарата при сочетании приемлемых массогабаритных и радиотехнических характеристик антенны, в первую очередь возможности использования антенны в нескольких диапазонах. 4 ил.

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, а именно к способам, специально предназначенным для изготовления или обработки плат микроструктурных устройств или систем на монокристаллических кремниевых подложках. Изобретение может быть использовано при изготовлении многокристальных систем, а также СВЧ-устройств. Способ формирования плат микроструктурных устройств со сквозными металлизированными отверстиями на монокристаллических кремниевых подложках включает металлизацию отверстий двумя проводящими слоями и формирование глухой полости под кристалл с фаской по верхнему краю полости, которое обеспечивается комбинированием режима травления, травителя и кристаллографических особенностей кремния. Обеспечивается увеличение надежности формируемых контактных площадок плат и упрощение процесса формирования платы со сквозными металлизированными отверстиями и глухими отверстиями под кристаллы различной величины. 3 з.п. ф-лы, 19 ил.

Группа изобретений относится к области микроэлектроники - технологии изготовления слоистых изделий - и может быть использована при создании электродинамических и/или антенных устройств, содержащих в своей структуре слоистый материал со специфическими электрическими свойствами и обеспечивающих искажение рабочего электромагнитного поля. Технический результат - создание воспроизводимых и стабильных процессов изготовления метаматериалов, в том числе многоуровневых, с качественным и высокоточным исполнением металлических резонансных структур без разрывов и подтравов. Для этого в способе отсутствует операция травления «жертвенного» слоя (жидкостного или плазмохимического травления). Способ изготовления метаматериала заключается в формировании на n пластинах-носителях n защитных слоев, на которых формируют, последовательно чередуя между собой, m+1 уровней резонансных структур и m слоев диэлектрика соответственно, отделяют сформированные последовательно чередующиеся между собой уровни резонансных структур и слои диэлектрика с защитными слоями от соответствующих n пластин-носителей; соединяют последовательно методом монтажа с помощью меток совмещения, расположенных в каждом уровне резонансных структур, отделенные сформированные последовательно чередующиеся между собой уровни резонансных структур и слои диэлектрика с защитным слоем через радиочастотные диэлектрические пластины. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области космического приборостроения и микроэлектроники и может быть использовано для систем защиты информационно-телекоммуникационной аппаратуры ИТА беспилотных малых космических аппаратов от высоких стартовых перегрузок на заданных пороговых значениях. Изобретение обеспечивает повышение технологичности, снижение трудоемкости способа получения групп микроэлектромеханических ключей, повышение надежности срабатывания при достижении пороговых величин ускорений при электромагнитоэлектрическом старте беспилотных малых космических аппаратов. В способе получения микроэлектромеханического ключа, являющегося основой системы защиты информационно-телекоммуникационной аппаратуры космических аппаратов при электромагнитном старте с перегрузками от нескольких тысяч до десятков тысяч единиц ускорений свободного падения тела, формируют чувствительный блок, состоящий из балки и опор, примыкающий при воздействии ускорения к подложке с помощью контактных элементов, формируя при этом сигнал, указывающий на порог величины ускорения, по которому судят о перегрузке аппаратуры, формируют травлением через маску на плоской полупроводниковой подложке проводящие дорожки и контактные площадки из системы металлов ванадий-алюминий, а чувствительный блок получают с помощью двухслойной системы металлов железо-никель, которые осаждают друг на друга в едином технологическом цикле термического испарения в вакууме, которые затем травят через маску в водном растворе соляной кислоты до получения заданной формы чувствительного блока в одном технологическом цикле. 4 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 табл.

 


Наверх