Патенты автора Тучин Андрей Витальевич (RU)
Устройство конденсаторной изоляции // 2790861
Изобретение относится к полупроводниковой промышленности, в частности к интегральным микросхемам, и может быть использовано в системах приема, обработки и передачи цифровых и аналоговых данных, в которых необходима гальваническая изоляция приемника и передатчика данных. Техническим результатом изобретения является уменьшение емкости нижней обкладки изолирующего конденсатора за счет применения изолирующей области в подложке микросхемы, расположенной под нижней обкладкой изолирующего конденсатора, что позволяет использовать первый уровень разводки в качестве нижней обкладки изолирующего конденсатора без существенного снижения амплитуды дифференциального сигнала на входе приемника. Устройство конденсаторной изоляции содержит первую и вторую области интегральных микросхем 12 и 21, включающие функциональные схемы 122, 212, схемы управления конденсаторной изоляцией 121, 211, расположенные в подложках интегральных микросхем, изолирующие конденсаторы 1a, 1b, 2а, 2b, выполненные с использованием проводящих слоев этих микросхем. Изолирующие конденсаторы содержат первую обкладку, расположенную на первом проводящем слое, соединенном со схемами управления конденсаторной изоляцией, а также вторую обкладку, расположенную на втором проводящем слое, и подключены к выходам 1, 2, 3, 4. С помощью устройства коммутации 5 первый выход электрически соединен с третьим выходом, второй выход соединен с четвертым выходом, а каждый изолирующий конденсатор содержит область 301, расположенную в подложках микросхем, под нижними обкладками конденсаторов. 1 з.п. ф-лы, 12 ил.
Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано для получения нанокомпозитных материалов для создания источников питания, работающих в экстремальных условиях. Способ получения 2D структур карбида кремния заключается в подаче на электрод из монокристаллического карбида кремния высокого импульсного напряжения, при этом монокристалл разрушается с образованием 2D структур, которые осаждаются на поверхность приемника. Отделение слоев от кристалла по плоскости спаянности происходит при воздействии импульсного электрического поля высокой напряженности (свыше 106 В/см) с импульсами продолжительностью 10-20 мкс со скважностью 3-20. Послойное расслоение с поверхности монокристалла карбида кремния происходит при нормальных условиях (298°К, 105Па) на воздухе, поэтому не требуется создание закрытого реактора. Техническим результатом изобретения является получение изолированных 2D монокристаллов карбида кремния толщиной 10-50 нм энергоэффективным и высокопроизводительным способом. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУИРОВАННЫХ СЛОЕВ МАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА КРЕМНИИ ДЛЯ СПИНТРОНИКИ // 2522956
Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам получения магнитных сред для записи информации с высокой плотностью. Способ получения наноструктурированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники включает магнетронное распыление составной мишени, состоящей из кремния 85-99% и ферромагнитного металла 1-15%, при этом магнетронное распыление проводят в среде аргона, давление в рабочей камере во время распыления составляет (6÷7)×10-3 Па, давление аргона в магнетроне - (6÷7)×10-1 Па, скорость нанесения слоя гетерогенной смеси магнитного материал (22÷25) нм/с, плазмохимическое травление во фторсодержащей плазме при давлении азота в рабочей камере 4÷4,5 Па, скорости травления слоя (10÷12) нм/с, и термическую обработку в вакууме 0,5×10-3 Па, температуре 300-400оС, длительностью 10-15 мин. Повышение однородности распределения компонентов в мелкозернистом слое ноноструктурированной магнитной пленке является техническим результатом изобретения. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
СПОСОБ ЗАПИСИ И ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ // 2510084
Предложен способ записи и воспроизведения информации. В способе воздействуют на поверхность записываемого слоя образца циркулярно-поляризованным светом, вводимым в волновод ближнепольным сканирующим оптическим микроскопом. В качестве образца используют наноструктурированную пленку силицидов переходных металлов на кремнии. Образец исследуют методом магнитно-силовой микроскопии на пригодность с минимальным разрешением, обеспечивающим отображение наноструктуры образца, причем размер наноструктур не должен превышать 50 нм. Образец должен обладать магнитным откликом и находиться в однодоменном состоянии намагниченности. Поверхность образца прецизионно сближают с оптическим зондом с оптической эффективностью не хуже 10-6 и подвергают воздействию циркулярно-поляризованным излучением с энергией светового воздействия не менее 3 мДж/см2, мощностью непрерывного излучения ~1 мВт. Считывание информации осуществляют с помощью сканирующего зонда микроскопа в режиме магнитно-силовой микроскопии в полуконтактном режиме путем идентификации магнитных свойств наноструктурированной пленки. Техническим результатом является повышение плотности записи информации. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
